瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號，單擊0K按鈕確認(rèn)。 同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。 很多其他工具都忽略選通Strobe信號和時鐘Clock信號之間的時序分析功...

"DDRx"是一個通用的術(shù)語，用于表示多種類型的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR2、DDR3和DDR4等。這里的"x"可以是任意一個數(shù)字，了不同的DDR代數(shù)。每一代的DDR標(biāo)準(zhǔn)在速度、帶寬、電氣特性等方面都有所不同，以適應(yīng)不斷增長的計算需求和技術(shù)發(fā)展。下面是一些常見的DDR標(biāo)準(zhǔn)：DDR2：DDR2是第二代DDR技術(shù)，相比于DDR，它具有更高的頻率和帶寬，以及更低的功耗。DDR2還引入了一些新的技術(shù)和功能，如多通道架構(gòu)和前瞻性預(yù)充電（prefetch）。DDR3：DDR3是第三代DDR技術(shù)，進一步提高了頻率和帶寬，并降低了功耗。DDR3內(nèi)存模塊具有更高的密度和容量，可以支持更多的內(nèi)...

可以通過AllegroSigritySI仿真軟件來仿真CLK信號。 (1)產(chǎn)品選擇：從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。 (2)在產(chǎn)品選擇界面選項中選擇AllegroSigritySI(forboard)。 (3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_case.brd文件。 (4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設(shè)置電路板層疊參數(shù)。 將DDRController和Memory器件的IBIS模型memorycontroller.ibs和memory.ibs文件放在當(dāng)前DDR_case.brd文件的同一目錄下，這...

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時鐘信號頻率為400? 800MHz；數(shù)據(jù)信號速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數(shù)據(jù)和選通信號 仍然使用點對點或樹形拓?fù)?，時鐘/地址/命令/控制信號則改用Fly-by的拓?fù)洳季€；數(shù)據(jù)和選 通信號有動態(tài)ODT功能；使用Write Leveling功能調(diào)整時鐘和選通信號間因不同拓?fù)湟鸬?延時偏移，以滿足時序要求。DDR3一致性測試需要運行多長時間？廣西DDR3測試銷售 DDR3一致性測試是一種...

那么在下面的仿真分析過程中，我們是不是可以就以這兩個圖中的時序要求作為衡量標(biāo)準(zhǔn)來進行系統(tǒng)設(shè)計呢?答案是否定的，因為雖然這個時序是規(guī)范中定義的標(biāo)準(zhǔn)，但是在系統(tǒng)實現(xiàn)中，我們所使用的是Micron的產(chǎn)品，而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對Micron芯片的時序控制程度。所以雖然我們通過閱讀DDR規(guī)范文件了解到基本設(shè)計要求，但是具體實現(xiàn)的參數(shù)指標(biāo)要以Micron芯片的數(shù)據(jù)手冊為準(zhǔn)。換句話說，DDR的工業(yè)規(guī)范是芯片制造商Micron所依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)，而我們設(shè)計系統(tǒng)時，既然使用了Micron的產(chǎn)品，那么系統(tǒng)的性能指標(biāo)分析就要以Micron的產(chǎn)品為準(zhǔn)。所以，接下來的任務(wù)就是我們要在Micron的DDR芯片...

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時序圖中，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時序圖中，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現(xiàn)對DQ信號的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單，是要把邏輯設(shè)...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統(tǒng)一進行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

每個 DDR 芯片獨享 DQS，DM 信號；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號?！DR 工作頻率為 133MHz?！DR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設(shè)計需求之后，我們首先要進行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計資料。一般來講，對于經(jīng)過選型的器件，為了使用這個器件進行相關(guān)設(shè)計，需要有如下資料。 · 器件數(shù)據(jù)手冊 Datasheet：這個是必須要有的。如果沒有器件手冊，是沒有辦法進行設(shè)計的（一般經(jīng)過選型的器件，設(shè)計工程師一定會有數(shù)據(jù)手冊）。 DDR3一致性測試是否對不同廠商的...