海南DDR3測試銷售價格

在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網(wǎng)絡(luò)，為這些信號網(wǎng)絡(luò)分組并定義單個或者多個網(wǎng)絡(luò)組。選擇網(wǎng)絡(luò)DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標(biāo)右鍵單擊Assign interface菜單項，定義接口名稱為Data,

設(shè)置完成后，岀現(xiàn)Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網(wǎng)絡(luò)組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網(wǎng)絡(luò)組設(shè)置完成。

單擊設(shè)置走線檢查參數(shù)(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設(shè) 置：勾選阻抗和耦合系數(shù)檢查兩個選項；設(shè)置走線耦合百分比為1%，上升時間為lOOps；選 擇對網(wǎng)絡(luò)組做走線檢查(Check by NetGroup)；設(shè)置交互高亮顯示顏色為白色。 一致性測試是否適用于服務(wù)器上的DDR3內(nèi)存模塊？海南DDR3測試銷售價格

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實驗所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。

在提取出來的拓?fù)渲?，設(shè)置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù)，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設(shè)計沒有接終端的電阻端接。在電路拓?fù)渲袑⒔K端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。 信息化DDR3測試TX/RX如何確保DDR3一致性測試的可靠性和準(zhǔn)確性？

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數(shù)據(jù)率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續(xù)降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏。總的來說，隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內(nèi)存子系統(tǒng)對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統(tǒng)設(shè)計帶來了更多、更大的挑戰(zhàn)。

Bank> Rank及內(nèi)存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內(nèi)部的一種結(jié)構(gòu)，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應(yīng)于有4個Bank的內(nèi)存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應(yīng)Bank信號為BA[2:0],在DDR4內(nèi)存顆粒內(nèi)部有8個或16個Bank，通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內(nèi)部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…，Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡，Pin Mapping跟IBIS 規(guī)范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個管腳對應(yīng)的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應(yīng)關(guān)系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關(guān)的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網(wǎng)絡(luò)的分布參數(shù)模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項，將每條I/O 口和其對應(yīng)的電源地網(wǎng)絡(luò)對應(yīng)起來，以更好地仿真SSN效應(yīng)，這 個選項通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。DDR3內(nèi)存有哪些常見的容量大?。?/p>

時序要求：DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存控制器需要遵循DDR規(guī)范中定義的時序要求來管理和控制內(nèi)存模塊的操作。時序要求包括初始時序、數(shù)據(jù)傳輸時序、刷新時序等，確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作，并實現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作。容量與組織：DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存模塊可以有不同的容量和組織方式。內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。內(nèi)存模塊通常由多個內(nèi)存芯片組成，每個內(nèi)存芯片被稱為一個芯粒（die），多個芯?？梢越M成密集的內(nèi)存模塊。兼容性：DDR技術(shù)考慮了兼容性問題，以確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器在較低速度的DDR模式下工作。什么是DDR3一致性測試？天津DDR3測試調(diào)試

DDR3一致性測試期間是否會影響計算機性能？海南DDR3測試銷售價格

重復(fù)以上步驟，分別對Meml?Mem4分配模型并建立總線時序關(guān)系，置完其中一個，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會同時更新其他Memory 模塊。

3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊；第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型；第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián)，利用模型提取工具按需提取互連模型。對前兩種方法大家比較熟悉，這里以第3種方法為例介紹其使用過程。 海南DDR3測試銷售價格

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