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設(shè)計(jì)特征和工藝驗(yàn)證對(duì)于準(zhǔn)備制造一個(gè)新的PCB組件非常關(guān)鍵。這將包括調(diào)查來(lái)料、開(kāi)發(fā)適當(dāng)?shù)暮附庸に噮?shù)、并**終敲定一個(gè)經(jīng)過(guò)很多步驟驗(yàn)證的典型的PCB組件。這將花費(fèi)比用于驗(yàn)證每個(gè)組裝過(guò)程多得多的時(shí)間。本文將重點(diǎn)討論工藝驗(yàn)證步驟中應(yīng)該進(jìn)行的測(cè)試。助焊劑特性測(cè)試IPC要求焊接用的所有助焊劑都按照J(rèn)-STD-004（目前在B版中)_進(jìn)行分類。這份標(biāo)準(zhǔn)概述了助焊劑的基本性能要求和用于描述助焊劑在焊接過(guò)程中和組裝后在環(huán)境中與銅電路的反應(yīng)的行業(yè)標(biāo)測(cè)試方法。一旦經(jīng)過(guò)測(cè)試，就可以使用諸如“ROL0”之類的代碼對(duì)助焊劑進(jìn)行分類。該代碼表示助焊劑基礎(chǔ)成分、活性水平和鹵化物的存在。以ROL0為例，它表示：助焊劑是松香基，低活性等級(jí)，此助焊劑不含鹵化物。有幾種測(cè)試方法有助于這一評(píng)級(jí)，其中許多電化學(xué)可靠性測(cè)試方法都適用于助焊劑。(注:對(duì)于J-STD-004B中規(guī)定的錫膏助焊劑或含芯焊錫線的助焊劑，有些方法可能略有不同)。維柯多通道導(dǎo)通電阻實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng) GWLR256與冷熱沖擊試驗(yàn)箱配合使用，用于產(chǎn)品導(dǎo)通（低 阻）性能驗(yàn)證。海南sir電阻測(cè)試服務(wù)電話

為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。廣東智能電阻測(cè)試訂做價(jià)格評(píng)估一家PCB板廠是否符合產(chǎn)品的要求，除了成本考量、工藝技術(shù)評(píng)估之外，有更為重要的PCB基板電氣性能評(píng)估。

陽(yáng)極溶解過(guò)程從材料熱力學(xué)觀點(diǎn)看，通過(guò)金屬材料的標(biāo)準(zhǔn)電極電位可以判斷其腐蝕的傾向，常見(jiàn)的電子金屬材料發(fā)生電化學(xué)遷移的優(yōu)先順序?yàn)椋篈g>Mo>Pb>Sn>Cu>Zn[8]。因此，當(dāng)電阻貼裝的焊料為Sn-Pb合金時(shí)，在電化學(xué)遷移過(guò)程中，Pb比Sn更容易發(fā)生電化學(xué)遷移。在電化學(xué)遷移過(guò)程中，在陽(yáng)極區(qū)主要發(fā)生電極溶解生成金屬離子的反應(yīng)，同時(shí)伴有少量氧氣和氯氣的生成，反應(yīng)方程式如下：Pb→Pb2++2e-Sn→Sn2++2e-Sn2+→Sn4++2e-2H2O→4H++O2+4e-2Cl-→Cl2+2e-從上述反應(yīng)過(guò)程可知，通過(guò)抑制陽(yáng)極溶解可以改善電化學(xué)遷移的敏感性。首先陽(yáng)極溶解必須在電解液中發(fā)生，因此避免工作面潮濕顯的尤為重要，而此產(chǎn)品的灌封膠工藝存在缺陷，給潮濕水汽的進(jìn)入留有空間，提供了電化學(xué)遷移的通道，構(gòu)成了電化學(xué)遷移的必要條件之一。

金屬離子遷移過(guò)程此失效樣品灌封膠有機(jī)物與電路板上電阻存在一定縫隙，未能完全隔絕兩端電極，縫隙的存在為電化學(xué)遷移提供了遷移通道。因此密封電阻與電路板間縫隙能夠抑制金屬離子的遷移過(guò)程。針對(duì)金屬離子的遷移過(guò)程，可以加入絡(luò)合劑，使其與金屬正離子形成帶負(fù)電荷的絡(luò)合物，帶負(fù)電的絡(luò)合物將不會(huì)往陰極方向遷移和在陰極處發(fā)生還原沉積，由此達(dá)到抑制金屬離子往陰極遷移的目的。同時(shí)，隨著外電場(chǎng)強(qiáng)度增大，會(huì)加快陽(yáng)極溶解、離子遷移和離子沉積過(guò)程。根據(jù)文獻(xiàn)[10]報(bào)道，當(dāng)外電壓不超過(guò)2V時(shí)，形成的樹(shù)枝狀沉積物數(shù)目較少，且外加電壓的增加會(huì)使得電化學(xué)遷移造成的短路失效時(shí)間會(huì)***縮短。因此，盡量在設(shè)計(jì)階段中，設(shè)置元件在工作狀態(tài)時(shí)為較低的外電場(chǎng)，也能避免由于快速發(fā)生電化學(xué)遷移而導(dǎo)致的短路失效，延長(zhǎng)使用壽命。測(cè)試速度快：20ms/所有通道。

局部萃取的離子色譜法在過(guò)去的十年中，一種新興的方法得到了***的應(yīng)用，那就是局部萃取，然后用離子色譜(IC)分析來(lái)控制重要的清潔度，通常被稱為C3測(cè)試。這種方法使用冷蒸汽直接通過(guò)一個(gè)小噴嘴，并在選定的電路板和組件表面冷凝，用以溶解各種離子。然后噴嘴將水和離子的溶液萃取回測(cè)試池中進(jìn)行測(cè)試。電流通過(guò)萃取物，并測(cè)量達(dá)到持續(xù)狀態(tài)的時(shí)間。然后用離子色譜法對(duì)萃取物進(jìn)行檢測(cè)，以確定其中存在的離子種類及數(shù)量。這種類型的測(cè)試特別適用于對(duì)電路板上潛在的問(wèn)題區(qū)域進(jìn)行抽查，例如低間距組件、高熱質(zhì)量區(qū)域、選擇性焊接的部件和清洗過(guò)的組件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到質(zhì)量保證協(xié)議中，以驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果隨時(shí)間變化的一致性和很多不同組裝工藝的一致性。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試速度 20mS/所有通道。廣西sir電阻測(cè)試直銷價(jià)

廣州維柯GWHR-256 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：結(jié)構(gòu)、配置靈活：板卡設(shè)計(jì)，可選擇 16 路*N(1≥N≤16)。海南sir電阻測(cè)試服務(wù)電話

ROSE是用2-丙醇和水溶液，通過(guò)手工、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)三種方法萃取板表面的任何殘留物。通常是將整個(gè)板子浸入溶液中，然后測(cè)量這種萃取物的電阻率，測(cè)量值由板子表面所有可溶性離子種類的離子含量決定。每種萃取方法在如何準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)這一過(guò)程上各不相同。通常，**測(cè)試電阻率是不夠的，因?yàn)樗荒軈^(qū)分是哪些離子導(dǎo)致萃取電阻率下降。為了評(píng)估哪些離子存在，必須進(jìn)行額外的離子色譜檢測(cè)。通過(guò)允許操作人員從過(guò)程中識(shí)別離子含量的來(lái)源，來(lái)完成測(cè)試。此外，過(guò)程控制從組裝工藝的開(kāi)始就要進(jìn)行，線路板和元器件的進(jìn)廠清潔度與組裝的**終清潔度同樣重要。這也可以通過(guò)一種能夠在較小規(guī)模上從表面萃取的測(cè)試方法更有效地實(shí)現(xiàn)。海南sir電阻測(cè)試服務(wù)電話

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