WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產(chǎn)品均不含鉛和鹵素，符合環(huán)保要求。 ...

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET 產(chǎn)品描述 WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路...

WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關(guān)，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設(shè)計，如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。W...

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD...

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護神 ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低...

WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速...

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD...

WNM6002是一種N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負載開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性： ...

ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各...