規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73031N

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應力影響。

      包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術

應用領域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯系我們。 ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-563。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73031N

     SD5302F是一款專為保護高速數據接口設計的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設計用于保護連接到數據線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

主要特性：

· 截止電壓：5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）標準的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）標準的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護高速數據接口免受靜電放電等損害，確保信號完整性，承受力強。適合緊湊設備，環(huán)保。是高速數據接口的理想保護組件。詳情查閱手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5311ZWL2803E30-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術

應用領域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備，緊湊且環(huán)保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 WS3202E61-6/TR 過壓過電流保護IC 監(jiān)控和復位芯片 封裝：SOT-23-6L。

    WS4665是一個單通道負載開關，提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設備包含一個N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關由開/關輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中，增加了一個230Ω的片上負載電阻，用于在開關關閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負載開關

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開關上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經過JESD22測試2000VHBM和1000VCDM

應用領域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網本

· 平板電腦

· 消費電子產品

· 機頂盒/住宅網關

· 電信系統

    WS4665適用于多種應用場合，如超極本、筆記本電腦/上網本、平板電腦、消費電子產品、機頂盒/住宅網關以及電信系統等。如需更多信息或技術規(guī)格，請查閱相關數據手冊或與我們聯系。 WL2801E12-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABHN0-3/TR

ESD5302N-3/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-3L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73031N

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數據線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據IEC61000-4-2標準，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

· 根據IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據IEC61000-4-5標準，提供10A（8/20μs）的浪涌保護

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術

應用：

· 手機

· 計算機和外設：為計算機主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應力而設計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強，廣泛應用于手機、計算機和便攜式設備，確保設備穩(wěn)定運行和數據安全。如需詳細信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73031N

深圳安美斯科技有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳安美斯科技供應和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產品，我們將以更好的狀態(tài)，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！