規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關，專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應用中，無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標準產品為無鉛和無鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導通電阻：在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度：在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護：HBM為±8000V，MM為±600V

應用領域：

· 手機

· MID（移動互聯(lián)網設備）

· 其他便攜式設備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設備。其優(yōu)異的性能和多種保護功能使其成為現(xiàn)代電子設備中的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56301D05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12

ESD73011N：單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用來保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD73011N包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用領域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護的應用提供了出色的保護。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD63011NWPM2341-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

    ESD5304D是一個專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應力而設計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結合了四對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準的每線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準的EFT保護：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進固態(tài)硅技術，結合極低電容轉向二極管和TVS二極管，提供優(yōu)異保護。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設備中的關鍵保護組件。小巧封裝且環(huán)保，易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

技術特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD9X5VU-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色，如某些電子設備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球對環(huán)保意識的日益增強，無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環(huán)保要求。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E28-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73031N

ESD9X12VD-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-923。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準，提供10A（8/20μs）的浪涌保護

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術

應用：

· 手機

· 計算機和外設：為計算機主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應力而設計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強，廣泛應用于手機、計算機和便攜式設備，確保設備穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD5682E12

深圳安美斯科技有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳安美斯科技供應和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產品，我們將以更好的狀態(tài)，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！