ESD靜電的來(lái)源,在電子制造業(yè)中，靜電的來(lái)源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源，這主要有三個(gè)方面的原因：1、人體接觸面廣，活動(dòng)范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時(shí)也有許多機(jī)會(huì)將人體自身所帶的電荷轉(zhuǎn)移到器件上或者通過(guò)器件放電；2、人體與大地之間的電容低，約為50一250pF，典型值為150PF，故少量的人體靜電荷即可導(dǎo)致很高的靜電勢(shì)；3、人體的電阻較低，相當(dāng)于良導(dǎo)體，如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆，手指產(chǎn)生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆，故人體處于靜電場(chǎng)中也容易感應(yīng)起電，而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。防靜電的四項(xiàng)基本原則...

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過(guò)外殼流向大地(大部分電流);另一條通過(guò)內(nèi)部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號(hào),集膚效應(yīng)及金屬外殼的低阻抗特性(測(cè)試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認(rèn)良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十?dāng)_是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會(huì)從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經(jīng)通過(guò)金屬外殼流人大地,那為什么還會(huì)出現(xiàn)ADC的異常工作呢?ADC電路的設(shè)計(jì)肯定存在較薄弱的環(huán)節(jié)。檢查電路發(fā)現(xiàn),ADC存在模擬地和數(shù)字地,電路設(shè)計(jì)時(shí)為了使數(shù)字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數(shù)字地和模擬地之問(wèn)跨接了磁珠進(jìn)行隔...

人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車(chē)間內(nèi)，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面，并盡可能保持濕潤(rùn)。操作人員應(yīng)穿防靜電鞋，以減少人體帶電。如鋪有地毯應(yīng)夾織金屬絲，并與自來(lái)水管等接地體連接，以盡快導(dǎo)除靜電。(2)在易燃易爆場(chǎng)所，工作人員不應(yīng)穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場(chǎng)所的坐椅不宜采用人造革之類(lèi)的高阻材料制造。(4)對(duì)高壓帶電體應(yīng)加屏蔽，人體應(yīng)避免與高速?lài)娚涞臍怏w接近，以防靜電感應(yīng)。避免靜電過(guò)量積累有幾種簡(jiǎn)單易行的方法：***，到自然環(huán)境中去。有條件的話，在地上赤足運(yùn)動(dòng)一下，因?yàn)槌Ｒ?jiàn)的鞋底都屬絕緣體，身體無(wú)法和大地直接接觸，也就無(wú)法釋放身上積累的靜電。第二，盡量少穿化纖類(lèi)衣物，或者選用經(jīng)過(guò)防靜電處...

現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進(jìn)半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細(xì)引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進(jìn)一步縮小，氧化層進(jìn)一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來(lái)越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來(lái)越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來(lái)越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來(lái)越...

靜電可以引起電氣絕緣和電子元器件擊穿是否正確？這一表述是合理的，工作電壓可以做到幾萬(wàn)元伏的，假如在電子元器件上邊一瞬間的話，便會(huì)擊穿里邊的一些電子器件?；鸹ǚ烹姇?huì)造成**的，損害醫(yī)生和病人；在煤礦業(yè)，則會(huì)造成煤層氣，會(huì)造成職工傷亡，煤礦損毀?？偠灾?，靜電傷害起因于用電力工程和靜電火苗，靜電傷害中**明顯的是靜電充放電造成易燃物的著火和。靜電的危害：身體長(zhǎng)期性在靜電輻射源下，會(huì)讓人煩躁不安、頭疼、胸悶氣短、呼吸不暢、干咳。在家庭生活之中，靜電不但化纖衣服有，腳底的毛毯、日常的塑膠用品、漆料家具直到各種各樣家用電器均很有可能發(fā)生靜電狀況。硅基ESD保護(hù)器件的結(jié)電容與其工作電壓成反比關(guān)系。山東低電...

由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來(lái)實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過(guò)一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來(lái)的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來(lái)實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，...

MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為...

現(xiàn)行的 IEC61000—4—2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 的測(cè)試方法和實(shí)驗(yàn)平 臺(tái)仍存在一定局限性，需進(jìn)一步研究 和改進(jìn) 。ESD協(xié) 會(huì) WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標(biāo)準(zhǔn)化 國(guó)際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測(cè)試 的一致性，對(duì)現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)展 開(kāi)***的討論和完善 。但是我國(guó)相關(guān)領(lǐng)域 的工作開(kāi)展不多?，F(xiàn)行的 ESD抗擾度實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)是沿用原 IEC標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的制定和修改工作沒(méi)有與國(guó)際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測(cè)試方面仍然落后于西方發(fā)達(dá)國(guó)家。我過(guò)也在積極的開(kāi)展研究靜電放電測(cè)試方面的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成立了各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)。靜電源包裝，出ESD防護(hù)區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響。山...

ESD是一種常見(jiàn)的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強(qiáng)電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。·電流>1A，·上升時(shí)間～15ns，衰減時(shí)間～150ns。ESD靜電放電的特點(diǎn)：靜電起電的**常見(jiàn)原因是兩種材料的接觸和分離。**經(jīng)常發(fā)生的靜電起電現(xiàn)象是固體間的摩擦起電現(xiàn)象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應(yīng)起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強(qiáng)電場(chǎng)和寬帶電磁干擾等特點(diǎn)。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式。湖北SIM卡ESD保護(hù)元件電容ESD靜電的來(lái)源,在電子制造業(yè)中，靜電的來(lái)源是多方面的，如人體...

靜電可吸附空氣中很多的浮塵并且通電性越大、吸附浮塵的數(shù)目就越大，而浮塵中通常帶有很多種有毒物質(zhì)和病原菌，輕則刺激性肌膚，危害肌膚的光澤度和鮮嫩，重則使肌膚起癍長(zhǎng)瘡，更明顯的還會(huì)繼續(xù)引起慢性***和心率失常等病癥。靜電造成主要是與衣著相關(guān)，化學(xué)纖維類(lèi)服飾摩擦?xí)吧姟薄８稍锏臅r(shí)節(jié)，這類(lèi)慢慢累積上去的靜電工作電壓超出3000伏時(shí)，便會(huì)造成“打架”狀況，充放電時(shí)可聽(tīng)見(jiàn)“嘩啦啦”的響聲，摸電導(dǎo)體的手覺(jué)得麻痛。人的身上的靜電盡管工作電壓很高，但電流量不大，不容易發(fā)生相近“觸電事故”的風(fēng)險(xiǎn)。ESD靜電放電機(jī)器模型MM的典型**如帶電絕緣的機(jī)器人手臂、車(chē)輛、絕緣導(dǎo)體等。廣東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝ES...

人體靜電電壓比較高可達(dá)約50kV以下，因?yàn)楫?dāng)存在連續(xù)起電過(guò)程時(shí)，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動(dòng)產(chǎn)生的靜電電位有所不同。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達(dá)幾千伏甚至幾萬(wàn)伏。3、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對(duì)外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負(fù)電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無(wú)法流失，就會(huì)聚集起來(lái)。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束...

對(duì)于ESD，我們應(yīng)該如何進(jìn)行一個(gè)選型呢？ESD主要分為四類(lèi)：TVS二極管、壓敏電阻、MLCC、ESD抑制器，各個(gè)器件的應(yīng)用場(chǎng)景也不太一樣，我們**常用的esd器件就是tvs二極管了。1）工作電壓選擇ESD器件應(yīng)該選擇系統(tǒng)工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統(tǒng)是0~5V，那么我們應(yīng)該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。2）信號(hào)類(lèi)型單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇，雙向ESD器件可以通過(guò)正負(fù)擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，而單向ESD器件只可以通過(guò)正擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，如果通過(guò)負(fù)的就會(huì)造成ESD器件擊穿。3）寄生電容ESD器件是有寄生電容的，如圖是寄生電容對(duì)高速電路接口的...

人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車(chē)間內(nèi)，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面，并盡可能保持濕潤(rùn)。操作人員應(yīng)穿防靜電鞋，以減少人體帶電。如鋪有地毯應(yīng)夾織金屬絲，并與自來(lái)水管等接地體連接，以盡快導(dǎo)除靜電。(2)在易燃易爆場(chǎng)所，工作人員不應(yīng)穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場(chǎng)所的坐椅不宜采用人造革之類(lèi)的高阻材料制造。(4)對(duì)高壓帶電體應(yīng)加屏蔽，人體應(yīng)避免與高速?lài)娚涞臍怏w接近，以防靜電感應(yīng)。避免靜電過(guò)量積累有幾種簡(jiǎn)單易行的方法：***，到自然環(huán)境中去。有條件的話，在地上赤足運(yùn)動(dòng)一下，因?yàn)槌Ｒ?jiàn)的鞋底都屬絕緣體，身體無(wú)法和大地直接接觸，也就無(wú)法釋放身上積累的靜電。第二，盡量少穿化纖類(lèi)衣物，或者選用經(jīng)過(guò)防靜電處...

人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車(chē)間內(nèi)，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面，并盡可能保持濕潤(rùn)。操作人員應(yīng)穿防靜電鞋，以減少人體帶電。如鋪有地毯應(yīng)夾織金屬絲，并與自來(lái)水管等接地體連接，以盡快導(dǎo)除靜電。(2)在易燃易爆場(chǎng)所，工作人員不應(yīng)穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場(chǎng)所的坐椅不宜采用人造革之類(lèi)的高阻材料制造。(4)對(duì)高壓帶電體應(yīng)加屏蔽，人體應(yīng)避免與高速?lài)娚涞臍怏w接近，以防靜電感應(yīng)。避免靜電過(guò)量積累有幾種簡(jiǎn)單易行的方法：***，到自然環(huán)境中去。有條件的話，在地上赤足運(yùn)動(dòng)一下，因?yàn)槌Ｒ?jiàn)的鞋底都屬絕緣體，身體無(wú)法和大地直接接觸，也就無(wú)法釋放身上積累的靜電。第二，盡量少穿化纖類(lèi)衣物，或者選用經(jīng)過(guò)防靜電處...

在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見(jiàn)的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時(shí)，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過(guò)雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時(shí)，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄。四Ｊ较缕骷墓暮苄?，因此其抗ESD能力非常強(qiáng)。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用...

高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)主要是致力于降低防護(hù)電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感，并要求防護(hù)器件有ns級(jí)的響應(yīng)速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開(kāi)關(guān)二極管是比較廉價(jià)的方案，在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會(huì)有更加理想的ESD防護(hù)效果。ESD防護(hù)電路的防護(hù)能力與選用的防護(hù)器件、被保護(hù)器件的ESD敏感度、電路結(jié)構(gòu)形式、布線等因素密切相關(guān)，一般無(wú)法直接確定一個(gè)防護(hù)電路單元的防護(hù)能力，必須把防護(hù)電路單元和被保護(hù)的具體電路作為一個(gè)整體并按照標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試，以確定一個(gè)實(shí)際電路的防護(hù)效果。ESD防護(hù)電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地。北...

ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號(hào)接口時(shí)，產(chǎn)品的組裝、測(cè)試和用戶使用過(guò)程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長(zhǎng)久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場(chǎng)上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計(jì)和制造通信產(chǎn)品時(shí)除了加強(qiáng)產(chǎn)品制造過(guò)程的ESD控制外，還要加強(qiáng)產(chǎn)品的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，尤其是高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式。浙江低電容ESD保護(hù)元件電容靜電的發(fā)...

靜電放電形式與帶電體的幾何形狀、電壓和帶電體的材質(zhì)有關(guān)。靜電放電形式：電暈放電(1)電暈放電：是發(fā)生在帶電體前列或曲率半徑很小處附近的局部放電。電暈放電可能伴有輕微的嘶嘶聲和微弱的淡紫色光。電暈放電一般沒(méi)有引燃危險(xiǎn)。刷形放電和傳播型刷形放電(2)刷形放電和傳播型刷形放電:都是發(fā)生在絕緣體表面的有聲光的多分支放電。當(dāng)絕緣體背面緊貼有金屬導(dǎo)體時(shí)，絕緣體正面將出現(xiàn)傳播型刷形放電。同一絕緣體上可發(fā)生多次刷形放電或傳播型刷形放電。刷形放電有一定的引燃危險(xiǎn)；傳播型刷形放電的引燃危險(xiǎn)性大。(3)火花放電:是帶電體之間發(fā)生的通道單一的放電。火花放電有明亮的閃光和有短促的爆裂聲。其引燃危險(xiǎn)性很大。(4)雷型放電...

ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號(hào)接口時(shí)，產(chǎn)品的組裝、測(cè)試和用戶使用過(guò)程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長(zhǎng)久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場(chǎng)上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計(jì)和制造通信產(chǎn)品時(shí)除了加強(qiáng)產(chǎn)品制造過(guò)程的ESD控制外，還要加強(qiáng)產(chǎn)品的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，尤其是高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強(qiáng)的器件。浙江貼片ESD保護(hù)元件電容提高防護(hù)電路箱位電壓或?qū)?..

ESD防護(hù)電路主要采用“過(guò)壓防護(hù)”的原理，通過(guò)隔離電路、箝位(限幅)電路、衰減電路、濾波電路等降低ESD沖擊電壓、限制脈沖電流的大小，使其降低到被保護(hù)器件可以承受的程度。ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的難度增火。ESD脈沖具有持續(xù)時(shí)間短(ns~數(shù)百ns級(jí))，能量較低(微焦耳級(jí))的特征，頻譜分布在數(shù)百KHz到數(shù)GHz的范圍，其能量主要集中在數(shù)MHz到數(shù)百M(fèi)Hz的范圍內(nèi)，由于ESD的高頻、快速放電特性，其防護(hù)電路要求比一般的電浪涌防護(hù)電路具有更快的響應(yīng)速度和良好的高頻性能。因CMOS使用**為***的工...

靜電放電ESD接觸放電就是是電荷集中到一點(diǎn)然后通過(guò)可接觸的導(dǎo)體直接轉(zhuǎn)移到測(cè)試產(chǎn)品里面，這個(gè)是有預(yù)期的，一般打在控制板附近，固控制板的螺絲、可接觸的引腳上面。ESD空氣放電是電荷集中到***頭頂端保持5秒，通過(guò)慢慢靠近被測(cè)試產(chǎn)品不能導(dǎo)電的部分看電荷能不能擊穿絕緣部分，或者通過(guò)縫隙擊穿空氣進(jìn)去。這個(gè)觸發(fā)是360度隨機(jī)的。這樣的方式可以找到產(chǎn)品的不足之處。一般擊打屏幕縫隙、按鍵縫隙、還有嵌入式的引腳端口等不能直接接觸到導(dǎo)體的地方。在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見(jiàn)的器件。浙江低電容ESD保護(hù)元件封裝靜電的發(fā)生機(jī)制。由于不同原子的原子核對(duì)電子的束縛能力不同，物體相互靠近時(shí)，電子就會(huì)在物體之間發(fā)生轉(zhuǎn)移...

人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車(chē)間內(nèi)，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面，并盡可能保持濕潤(rùn)。操作人員應(yīng)穿防靜電鞋，以減少人體帶電。如鋪有地毯應(yīng)夾織金屬絲，并與自來(lái)水管等接地體連接，以盡快導(dǎo)除靜電。(2)在易燃易爆場(chǎng)所，工作人員不應(yīng)穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場(chǎng)所的坐椅不宜采用人造革之類(lèi)的高阻材料制造。(4)對(duì)高壓帶電體應(yīng)加屏蔽，人體應(yīng)避免與高速?lài)娚涞臍怏w接近，以防靜電感應(yīng)。避免靜電過(guò)量積累有幾種簡(jiǎn)單易行的方法：***，到自然環(huán)境中去。有條件的話，在地上赤足運(yùn)動(dòng)一下，因?yàn)槌Ｒ?jiàn)的鞋底都屬絕緣體，身體無(wú)法和大地直接接觸，也就無(wú)法釋放身上積累的靜電。第二，盡量少穿化纖類(lèi)衣物，或者選用經(jīng)過(guò)防靜電處...

人體放電模型（HBM）法規(guī)：十九世紀(jì)時(shí)，人們?cè)眠@種模型來(lái)調(diào)查礦坑中的氣體混合物事件。美國(guó)***標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883的第3015.8號(hào)方法建立了一個(gè)簡(jiǎn)化的等效電路，以及模擬人體模型需要的測(cè)試程序。另一個(gè)國(guó)際廣為使用的法規(guī)是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：靜電放電敏感度測(cè)試。人體模型主要用在工廠生產(chǎn)環(huán)境中，另一個(gè)類(lèi)似的法規(guī)IEC61000-4-2，是系統(tǒng)級(jí)的靜電測(cè)試法規(guī)，則是在在系統(tǒng)層級(jí)的測(cè)試。我國(guó)靜電放電對(duì)應(yīng)的國(guó)標(biāo)相對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)為GB/T17626.2。ESD靜電保護(hù)元件可提供多種封裝形式。四川低電容ESD保護(hù)元件原理Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù)，它往往用于輔助的...

Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù)，它往往用于輔助的ESD保護(hù)，如芯片Input***級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。當(dāng)ESD電流過(guò)大，***級(jí)ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時(shí)，第二級(jí)ESD器件的導(dǎo)通將使其與電阻分壓，從而進(jìn)一步降低進(jìn)入內(nèi)部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過(guò)一電阻接地，而非直接接地。如此一來(lái)，在NMOS漏端發(fā)生正向的ESD脈沖時(shí)，由于NMOS的漏一柵電容，會(huì)使得器件的柵極耦合出一正的電勢(shì)，該電勢(shì)會(huì)促使NMOS的溝道開(kāi)啟，從而起到降低NMOS在ESD應(yīng)力下觸發(fā)電壓的目的。硅基ESD靜電保護(hù)元件具有較低的鉗位電壓。江西低電容ES...

開(kāi)車(chē)外出也要注意靜電的防護(hù)，在加油站時(shí)，一定要防范靜電，加油前先放電，一般情況下，自助加油機(jī)本身就能夠釋放靜電。自助加油機(jī)上的鍵盤(pán)，它的材質(zhì)是金屬并且是直接與地相接觸的，車(chē)主在加油前輸入自己的加油信息時(shí)就已將身上所攜帶的靜電釋放出去了。當(dāng)然，比較好能夠在加油前，先把手按壓在自助加油機(jī)的釋放靜電按鈕上放電，這樣會(huì)更加安全。正確使用加油槍?zhuān)佑颓埃容^好將加油槍在油箱口輕碰一下以消除靜電。在加油時(shí)將油***盡量深入油箱口，這樣可以減少汽油蒸汽的揮發(fā)，相當(dāng)于從源頭上減少了起火介質(zhì)。如果油箱口冒火，千萬(wàn)不要驚慌，應(yīng)馬上停止加油作業(yè)，然后將加油槍口遠(yuǎn)離油源，迅速用滅火器將火撲滅。ESD靜電保護(hù)元件有高分...

ESD是一種常見(jiàn)的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強(qiáng)電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖?！る娏?1A，·上升時(shí)間～15ns，衰減時(shí)間～150ns。ESD靜電放電的特點(diǎn)：靜電起電的**常見(jiàn)原因是兩種材料的接觸和分離。**經(jīng)常發(fā)生的靜電起電現(xiàn)象是固體間的摩擦起電現(xiàn)象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應(yīng)起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強(qiáng)電場(chǎng)和寬帶電磁干擾等特點(diǎn)。目前ESD靜電保護(hù)元件結(jié)電容可做到0.1pF以內(nèi)。湖南低壓ESD保護(hù)元件廠家在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見(jiàn)的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相...

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來(lái)模擬。在測(cè)試過(guò)程中，電容會(huì)充電到數(shù)千伏（常見(jiàn)的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯(lián)到被測(cè)器件進(jìn)行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時(shí)間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數(shù)信號(hào)衰減波形。如果帶電人體通過(guò)其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對(duì)其他物體產(chǎn)生的放電稱(chēng)為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產(chǎn)生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應(yīng)使得人體放電的等效電阻***變...

提高防護(hù)電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計(jì)方法由于低容值要求選用的防護(hù)器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號(hào)可能的**人峰值電壓時(shí)，防護(hù)器件將對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生“壓縮”的限幅問(wèn)題，此時(shí)可以采用以下優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，提高防護(hù)器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對(duì)防護(hù)二極管施加反向偏壓，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號(hào)峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過(guò)低容值防護(hù)二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護(hù)電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護(hù)二極管串聯(lián)電容后，高頻信號(hào)通過(guò)二極管對(duì)電容充電，電容充電后對(duì)二極管提供偏壓，提升二極管的正向...

常見(jiàn)的ESD靜電放電模式有四種，分別是人體放電模型、機(jī)器放電模型、帶電器件模型、感應(yīng)放電模型：1.HBM，人體放電模型，即帶電人體對(duì)器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：人體——器件——地。2．MM，機(jī)器模型，即帶電設(shè)備對(duì)器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：機(jī)器——器件——地。3．CDM，帶電器件模型，即帶電器件直接對(duì)敵放電。放電途徑為：器件——地。4．FICDM,感應(yīng)放電模型，即器件感應(yīng)帶電后放電。途經(jīng)：電場(chǎng)——器件帶電——地。ESD靜電保護(hù)元件可提供多種封裝形式。江蘇天線接口ESD保護(hù)元件原理ESD靜電的來(lái)源,在電子制造業(yè)中，靜電的來(lái)源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器...

常見(jiàn)的ESD靜電放電模式有四種，分別是人體放電模型、機(jī)器放電模型、帶電器件模型、感應(yīng)放電模型：1.HBM，人體放電模型，即帶電人體對(duì)器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：人體——器件——地。2．MM，機(jī)器模型，即帶電設(shè)備對(duì)器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：機(jī)器——器件——地。3．CDM，帶電器件模型，即帶電器件直接對(duì)敵放電。放電途徑為：器件——地。4．FICDM,感應(yīng)放電模型，即器件感應(yīng)帶電后放電。途經(jīng)：電場(chǎng)——器件帶電——地。靜電保護(hù)元件可提供多種封裝形式。廣東按鍵接口ESD保護(hù)元件參數(shù) TVS/ESD靜電保護(hù)元件陣列，ESD靜電保護(hù)元器件RLESD保護(hù)器件可避免電子設(shè)備中的敏感電路受到E...