廣東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝

靜電可吸附空氣中很多的浮塵并且通電性越大、吸附浮塵的數(shù)目就越大，而浮塵中通常帶有很多種有毒物質(zhì)和病原菌，輕則刺激性肌膚，危害肌膚的光澤度和鮮嫩，重則使肌膚起癍長瘡，更明顯的還會繼續(xù)引起慢性***和心率失常等病癥。靜電造成主要是與衣著相關(guān)，化學(xué)纖維類服飾摩擦?xí)吧姟?。干燥的時節(jié)，這類慢慢累積上去的靜電工作電壓超出3000伏時，便會造成“打架”狀況，充放電時可聽見“嘩啦啦”的響聲，摸電導(dǎo)體的手覺得麻痛。人的身上的靜電盡管工作電壓很高，但電流量不大，不容易發(fā)生相近“觸電事故”的風(fēng)險。ESD靜電放電機(jī)器模型MM的典型**如帶電絕緣的機(jī)器人手臂、車輛、絕緣導(dǎo)體等。廣東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝

ESD保護(hù),在將電纜移去或連接到網(wǎng)絡(luò)分析儀上時，防止靜電放電（ESD）是十分重要的。靜電可以在您的身體上形成且在放電時很容易損壞靈敏的內(nèi)部電路元件。一次太小以致不能感覺出的靜電放電可能造成長久性損壞。為了防止損壞儀器，應(yīng)采取以下措施：1、保證環(huán)境濕度。2、鋪設(shè)防靜電地板或地毯。3、使用離子風(fēng)槍、離子頭、離子棒等設(shè)施，使在一定范圍內(nèi)防止靜電產(chǎn)生。4、半導(dǎo)體器件應(yīng)盛放在防靜電塑料盛器或防靜電塑料袋中,這種防靜電盛器有良好導(dǎo)電性能,能有效防止靜電的產(chǎn)生。當(dāng)然,有條件的應(yīng)盛放在金屬盛器內(nèi)或用金屬箔包裝。5、操作人員應(yīng)在手腕上帶防靜電手帶,這種手帶應(yīng)有良好的接地性能,這種措施**為有效。廣東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝硅基ESD保護(hù)器件的結(jié)電容與其芯片面積成正比關(guān)系。

高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產(chǎn)品內(nèi)部接口的靜電放電風(fēng)險主要是在產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，當(dāng)制造環(huán)境和測試策略進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆漓o電控制后，ESD風(fēng)險能夠得到一定程度的降低，但是實(shí)際經(jīng)驗(yàn)表明，這些內(nèi)部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達(dá)到+2000V以上才是比較安全的。通信產(chǎn)品外部接口的ESD風(fēng)險不僅存在于產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實(shí)際經(jīng)驗(yàn)表明，這些外部接口的ESDS需要達(dá)到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應(yīng)選用防靜電能力強(qiáng)的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機(jī)器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數(shù)。一般HBM參數(shù)應(yīng)不低于500V，CDM和MM參數(shù)應(yīng)不低工200V。

靜電放電機(jī)器模型MM因在日本得到廣泛應(yīng)用，也叫日本模型。與家具模型不同的是它主要由200pf電容串非常低的電阻（<10Ω）代替通常串聯(lián)的電阻構(gòu)成。機(jī)器模型的典型**如帶電絕緣的機(jī)器人手臂、車輛、絕緣導(dǎo)體等。機(jī)器模型放電的波形與預(yù)料的家具模型波形相似，不同的是帶電電容較大。典型的機(jī)器模型對小電阻放電的波形,峰值電流可達(dá)幾百安培，持續(xù)時間（決定于放電通路的電感）為幾百納秒。機(jī)器放電模型是電子元器件的(HBM/MM/CDM)三個重要放電模型之一，其主要的測試設(shè)備為EST883A靜電放電模擬器，它是EST883A靜電放電模擬器(電子元器件如二極管、三極管和集成電路等人體模型**)的基礎(chǔ)上增加了機(jī)器模型(MM)。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點(diǎn)對于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。

防護(hù)管一般和被保護(hù)電路并聯(lián)。防護(hù)管的串聯(lián)寄生電感會阻止ESD脈沖瀉放到地，降低ESD防護(hù)能力。防護(hù)管的結(jié)電容產(chǎn)生的容抗和被保護(hù)電路I/0端口的特征阻抗并聯(lián)，當(dāng)防護(hù)管的結(jié)電容較大時，在高頻下的容抗較小，會嚴(yán)重改變接口的的阻抗特性和頻譜特性。防護(hù)器件的結(jié)電容是影響信號質(zhì)量的主要因素，在高頻接口要求防護(hù)器件的結(jié)電容要盡量小?，F(xiàn)在各種電浪涌防護(hù)管的結(jié)電容要做到很小(小于2pF)還有較大難度，因此現(xiàn)有的防護(hù)器件直接用于GHz和Gbps以上的高頻接口的ESD防護(hù)將對信號質(zhì)量產(chǎn)生不可容忍的影響。防護(hù)器件要具有雙極性(雙向)防護(hù)功能，其響應(yīng)時間小于ns級時，對ESD脈沖才具有較好的防護(hù)效果，響應(yīng)速度越快其防護(hù)效果越好。防護(hù)管的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號峰值電平時也會對高頻信號產(chǎn)生限幅效應(yīng)，箝位電壓過高則ESD防護(hù)效果差，這增加了較高峰值能量的高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)的難度。ESD靜電保護(hù)元件的浪涌防護(hù)等級可用IPP這個參數(shù)來表示。青海天線接口ESD保護(hù)元件電容

典型的機(jī)器模型對小電阻放電的波形, 峰值電流可達(dá)幾百安培，持續(xù)時間決定于放電通路的電感為幾百納秒。廣東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝

對于ESD，我們應(yīng)該如何進(jìn)行一個選型呢？ESD主要分為四類：TVS二極管、壓敏電阻、MLCC、ESD抑制器，各個器件的應(yīng)用場景也不太一樣，我們**常用的esd器件就是tvs二極管了。1）工作電壓選擇ESD器件應(yīng)該選擇系統(tǒng)工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統(tǒng)是0~5V，那么我們應(yīng)該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。2）信號類型單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇，雙向ESD器件可以通過正負(fù)擊穿電壓（VBR）的信號，而單向ESD器件只可以通過正擊穿電壓（VBR）的信號，如果通過負(fù)的就會造成ESD器件擊穿。3）寄生電容ESD器件是有寄生電容的，如圖是寄生電容對高速電路接口的影響，寄生電容會影響電平的上升和下降速度，影響輸出后的信號。4）根據(jù)電路系統(tǒng)的比較大承受電壓沖擊，選擇適合的鉗位電壓；5）確保ESD器件可達(dá)到或超過IEC61000-4-2level4。廣東USB2.0ESD保護(hù)元件封裝

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