浙江貼片ESD保護元件電容

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設(shè)計的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號接口時，產(chǎn)品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計和制造通信產(chǎn)品時除了加強產(chǎn)品制造過程的ESD控制外，還要加強產(chǎn)品的ESD防護設(shè)計，尤其是高頻信號接口的ESD防護設(shè)計已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個重要環(huán)節(jié)。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。浙江貼片ESD保護元件電容

提高防護電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號可能的**人峰值電壓時，防護器件將對高頻信號產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優(yōu)化設(shè)計方法，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護二極管串聯(lián)電容后，高頻信號通過二極管對電容充電，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向?qū)姌贰Ｌ旖騏SB TYPE C ESD保護元件應(yīng)用MM機器模型放電的波形與預(yù)料的家具模型波形相似，不同的是帶電電容較大。

人體靜電防護編輯 播報人體是**普遍存在的靜電危害源。對于靜電來說，人體是導(dǎo)體，所以可以對人體采取接地的措施。(1).使用防靜電地面/ 防靜電鞋/ 襪(靜電從腳導(dǎo)到大地)通過腳穿防靜電性地面、地墊、地毯，人員穿上防靜電鞋襪，形成組合接地。(2).佩戴防靜電腕帶并接地(靜電從手導(dǎo)到大地)通過手用以泄放人體的靜電。它由防靜電松緊帶、活動按扣、彈簧軟線.保護電阻及插頭或夾頭組成。松緊帶的內(nèi)層用防靜電紗線編織，外層用普通紗線編織。

ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機器模型與人體模型的差異較大，實際上機器的儲電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大于人體模式，同等電壓對器件的損害，機器模式遠大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的。IEC61000-4-2是系統(tǒng)級靜電測試常用的測試標(biāo)準。

現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現(xiàn)在通信設(shè)備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數(shù)百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。通過串聯(lián)的方式可以有效降低ESD防護電路的電容。江西RS485接口ESD保護元件電容

單位面積的ESD防護能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。浙江貼片ESD保護元件電容

防靜電的四項基本原則是：原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導(dǎo)體實現(xiàn)等電位連接，避免因?qū)珟ъo電發(fā)生放電；原則二：靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制；原則三：靜電源包裝，出ESD防護區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響；原則四，ESD防護措施不能降低安全水準，如安全與之***，安全第一。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護技術(shù)，如電子工業(yè)、半導(dǎo)體、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及興航與***領(lǐng)域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失。浙江貼片ESD保護元件電容

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