蒸發(fā)閘閥三星半導體

微泰主要產(chǎn)品有1、-手動鎖定閥：操作鎖定按鈕關(guān)閉正在抽吸中的切斷閥門切斷現(xiàn)象的源頭：2、特殊閥門：全金屬配件構(gòu)成，由電磁閥+傳感器+D-Sub+角閥組成；3、三位閥：半開功能的壓力控制閥。氣動閘閥：?產(chǎn)品范圍：1.5~30英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?響應時間：0.2秒~3秒；手動（鎖定）閘閥?產(chǎn)品范圍：1.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次；專門用閘閥：產(chǎn)品范圍：1.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次，響應時間：0.2秒客戶指定的法蘭，可安裝角閥；三位閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：20萬次?響應時間：0.2秒~3秒；有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。非金屬材料高壓閘閥有陶瓷閥門、玻璃閥門、塑料閥門。蒸發(fā)閘閥三星半導體

半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的解決方案，真空插板閥品牌—微泰?？刂葡到y(tǒng)閥門是安裝在半導體? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備中的主要閥門?？刂葡到y(tǒng)閥門起到調(diào)節(jié)腔內(nèi)壓力的作用，通過控制系統(tǒng)自動調(diào)節(jié)閘板的開啟和關(guān)閉。精確控制腔內(nèi)壓力的閥門分為三類：控制系統(tǒng)閘閥、蝶閥、多定位閘閥。控制系統(tǒng)和蝶閥使用步進電機操作，而多定位閘閥、多位置閘閥使用氣動控制操作。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。三防閘閥L型轉(zhuǎn)移閥閘閥體內(nèi)設一個與介質(zhì)流向成垂直方向的平面閘板，靠這一閘板的升降來開啟或關(guān)閉介質(zhì)的通路。

微泰半導體閘閥的工作原理主要是通過閘板的升降來控制流體的通斷。當閘板升起時，閘閥打開，允許流體通過；當閘板降下時，閘閥關(guān)閉，阻止流體通過。在具體工作中，它利用各種機構(gòu)和設計來實現(xiàn)精確的控制和可靠的密封，以滿足半導體設備中對工藝控制的要求。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁?/p>

微泰，屏蔽閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? 濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)? Coating（涂層）? Etch? Diffusion?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*閥體和阻斷器之間的間隙小于1mm*防止流入的氣體（粉末）進入閥體內(nèi)部*使用維修配件工具包易于維護*應用:隔離泵，氣流中的高水平工藝。屏蔽閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：2.5英寸~ 10英寸、法蘭類型：ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：2.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù)：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構(gòu)溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績?yōu)榱吮苊庠陬w粒敏感應用中產(chǎn)生顆粒，滑動閘門機構(gòu)的設計旨在避免閥殼處的摩擦。

微泰轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導體PVDCVD設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它充當將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。此外，它極大限度地減少了由于閘板打開和關(guān)閉造成的真空壓力變化，使腔室內(nèi)的真空壓力得以維持。負責門控半導體晶圓轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移閥分為兩種類型:I型和L型。一、I型轉(zhuǎn)移閥。I型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制成，用于傳輸晶圓小于450毫米的半導體系統(tǒng)和隔離工藝室。本型的特點是葉片在垂直方向上快速移動，確保完美的腔室壓力維持。它采用具有LM導向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機構(gòu)，保證高耐用性和長壽命。二、L型轉(zhuǎn)移閥。L型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制造，其特點是設計緊湊，易于維護。L型轉(zhuǎn)移閥的特點是閘門在兩個階段從垂直到水平方向移動，確保完美的腔室壓力維護。它的內(nèi)部機構(gòu)，包括一個LM導向系統(tǒng)和滯留彈簧和楔形營地結(jié)構(gòu)，保證了高耐用性和長壽命，同時提供穩(wěn)定和精確的運動。I型和L型轉(zhuǎn)移閥在在閘門開啟和關(guān)閉過程中極大限度地減少了振動，并且對溫度變化非常穩(wěn)定，確保了較長的使用壽命。此外，即使長時間使用柵極，它們產(chǎn)生的顆粒也很少，從而避免了晶圓缺陷或主器件的污染。微泰不斷創(chuàng)新，在開發(fā)先進的壓力控制和控制閥制造專業(yè)從事真空閘閥不懈努力。微泰，高壓閘閥應用于? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。閘閥法蘭閘閥

真空閘閥的設計具有獨特的特征。它們具有堅固的結(jié)構(gòu)，通常使用不銹鋼或鋁等材料來抵抗真空條件。蒸發(fā)閘閥三星半導體

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，插板閥，氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥-按產(chǎn)品尺寸和法蘭類型排列-ID為1.5英寸至30英寸，ISO、CF&JIS和ASA法蘭等-現(xiàn)有手動閘閥的鎖定功能（Exist Manual GV of Locking Function）。微泰氣動（鎖定）閘閥和手動（鎖定）閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。蒸發(fā)閘閥三星半導體