蝕刻閘閥TRANSFER VALVE

來源: 發(fā)布時間:2024-10-12

微泰半導體閘閥的特點,首先介紹一下起三重保護的保護環(huán)機能,采用鋁質材料減少重量,并提高保護環(huán)的內(nèi)部粗糙度,防止工程副產(chǎn)物堆積黏附。提升保護環(huán)內(nèi)部流速設計,保護環(huán)逐步收窄,提升流速,防止粉塵黏附。采用三元系O型圈,保證保護環(huán)驅動穩(wěn)定(保證30萬次驅動)。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。真空閘閥由一個滑動門或板組成,可以移動以阻止或允許通過真空閥體,從而有效地將腔室與外部環(huán)境隔離。蝕刻閘閥TRANSFER VALVE

閘閥

微泰半導體閘閥與其他類型閘閥相比,具有以下一些優(yōu)勢:1. 高精度控制:能更精確地調節(jié)流體流量。2. 適應半導體環(huán)境:對溫度、真空等條件有更好的適應性。3. 低顆粒產(chǎn)生:減少對晶圓等的污染。4. 長壽命和可靠性:確保穩(wěn)定運行,減少維護成本。5. 多功能應用:可適用于多種半導體工藝設備。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴散)、CVD(化學氣相沉積)等設備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。該閘閥由上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰咎峁?。半導體閘閥蝶閥控制系統(tǒng)閘閥??刂葡到y(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥,以滑動方式操作,可以在高真空環(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。

蝕刻閘閥TRANSFER VALVE,閘閥

微泰,大閘閥、大型閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。可替代VAT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:用于研發(fā)和工業(yè)的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規(guī)格如下:驅動方式:氣動、法蘭尺寸(內(nèi)徑):16? ~ 30?、 法蘭型:ISO、JIS、ASA 、饋通:Viton O-Rin、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:可調節(jié)、工作壓力范圍:1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數(shù):10,000 ~ 100,000次、開啟時壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):6~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。

微泰,超高壓閘閥應用于? Evaporation? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? 蝕刻? Diffusion?CVD等設備上。期特點是*陶瓷球機構產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:研發(fā)和工業(yè)中的UHV隔離。高壓閘閥規(guī)格如下:驅動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型:CF、連接方式:焊接波紋管(AM350或STS316L)、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:銅墊圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、初次維護前可用次數(shù):200,000次、閥體溫度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績??刂葡到y(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值,通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。

蝕刻閘閥TRANSFER VALVE,閘閥

微泰,傳輸閥 (L-MOTION)、L型轉換閥、輸送閥、轉移閥應用于晶圓加工,半導體加工,可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材料:鋁或不銹鋼? 緊湊型設計? 使用維修配件工具包易于維護? 應用:半導體系統(tǒng)中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離,傳輸閥 (L-MOTION)、輸送閥、轉移閥規(guī)格如下:閘門密封類型:傳輸閥 (L-MOTION)、左動轉換閥、驅動方式:氣動、法蘭尺寸(內(nèi)徑) 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式:焊接波紋管、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、工作壓力范圍:1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時的壓差:≤ 30 mbar、開啟時壓差: ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼:< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁:< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護前可用次數(shù): ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。 微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,三重防護閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))等設備。全真空閘閥Micron

真空閘閥的設計具有獨特的特征。它們具有堅固的結構,通常使用不銹鋼或鋁等材料來抵抗真空條件。蝕刻閘閥TRANSFER VALVE

微泰,定制大型轉移閥,定制大型輸送閥,?應用:大型涂層系統(tǒng)。定制大型轉移閥,定制大型輸送閥規(guī)格如下:驅動方式:氣動、法蘭尺寸:(內(nèi)徑)80×500、(內(nèi)徑)100×400、(內(nèi)徑)200×1800、(內(nèi)徑)650×1050等法蘭類型:定制、饋通焊接波紋管/O形密封圈、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1×10-10 mbar to 1400 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門上的壓差≤1000 mbar、泄漏率:泄漏率< 5×10 -9 Mbar/秒、維護前可用次數(shù):10,000 ~ 200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:材料:不銹鋼304、A5083~A7075、安裝位置:任意、操作壓力(N2):6 ~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。蝕刻閘閥TRANSFER VALVE