手動閘閥三星半導體

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。有-屏蔽閘閥：防止氣體和粉末進入閥內(nèi)的隔離閥，-三重防護閘閥：屏蔽1和2+保護環(huán)的3重隔離系統(tǒng)，還有步進電機閘閥和鋁閘閥，屏蔽門閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?響應時間：0.2秒~3秒；三級預防閘閥，三重防護閘閥：產(chǎn)品范圍：4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進電機閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進電機閘閥；鋁閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓氣動?維護前可用次數(shù)：10萬次?響應時間：0.2秒~3秒；有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。高壓閘閥只許介質(zhì)單向流動，安裝時有方向性。它的結構長度大于閘閥，同時流體阻力大。手動閘閥三星半導體

微泰半導體閘閥具有諸多特點：其閥門驅(qū)動部分的所有滾子和軸承都經(jīng)過精心防護處理，形成屏蔽和保護環(huán)（Shield Blocker 和 Protection Ring），通過三重預防方式有效切斷粉末（Powder），從而延長閥門驅(qū)動及使用壽命。該閘閥采用的三重預防驅(qū)動方式中的 Shield 功能，能夠出色地防止氣體和粉末侵入閥體內(nèi)部，同時具備三重保護驅(qū)動保護環(huán)，可延長 GV 壽命的 Shield 方法，并已供應給海外半導體 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 設備。此外，擋板與閥體之間的距離小于 1mm，能夠強力阻擋內(nèi)部粉末和氣體的流入，屏蔽擋板采用 1.5t AL 材料制成，充分考慮了其復原力，并通過 Viton 粉末熱壓工藝制成。而三重保護保護環(huán)的主要功能則包括：AL 材料的重量減輕和保護環(huán)內(nèi)部照明的改善、保護環(huán)內(nèi)部流速的增加以及三元環(huán)的應用確保了驅(qū)動性能的提升。三防閘閥I型轉(zhuǎn)移閥閘閥的結構比較簡單，一般由閥體、閥座、閥桿、閘板、閥蓋、密封圈幾部分組成。

微泰，屏蔽閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? 濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)? Coating（涂層）? Etch? Diffusion?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*閥體和阻斷器之間的間隙小于1mm*防止流入的氣體（粉末）進入閥體內(nèi)部*使用維修配件工具包易于維護*應用:隔離泵，氣流中的高水平工藝。屏蔽閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：2.5英寸~ 10英寸、法蘭類型：ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：2.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù)：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績

微泰轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導體PVDCVD設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它充當將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。此外，它極大限度地減少了由于閘板打開和關閉造成的真空壓力變化，使腔室內(nèi)的真空壓力得以維持。負責門控半導體晶圓轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移閥分為兩種類型:I型和L型。一、I型轉(zhuǎn)移閥。I型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制成，用于傳輸晶圓小于450毫米的半導體系統(tǒng)和隔離工藝室。本型的特點是葉片在垂直方向上快速移動，確保完美的腔室壓力維持。它采用具有LM導向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機構，保證高耐用性和長壽命。二、L型轉(zhuǎn)移閥。L型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制造，其特點是設計緊湊，易于維護。L型轉(zhuǎn)移閥的特點是閘門在兩個階段從垂直到水平方向移動，確保完美的腔室壓力維護。它的內(nèi)部機構，包括一個LM導向系統(tǒng)和滯留彈簧和楔形營地結構，保證了高耐用性和長壽命，同時提供穩(wěn)定和精確的運動。I型和L型轉(zhuǎn)移閥在在閘門開啟和關閉過程中極大限度地減少了振動，并且對溫度變化非常穩(wěn)定，確保了較長的使用壽命。此外，即使長時間使用柵極，它們產(chǎn)生的顆粒也很少，從而避免了晶圓缺陷或主器件的污染。微泰不斷創(chuàng)新，在開發(fā)先進的壓力控制和控制閥制造專業(yè)從事真空閘閥不懈努力。微泰閘閥可替代HVA閘閥、VAT閘閥。

微泰，鋁閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。期特點是*不論什么工藝的設備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應用:隔離泵。鋁閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 10英寸、閥體：AL6061 (Anodizing)、機械裝置：AL6061 (Anodizing)、閥門：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、響應時間≤ 3 sec、驅(qū)動器：氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍：< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時的壓差：≤ 30 mbar、初次維護前可用次數(shù)100,000次、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機構溫度≤ 60 °C、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績?？商娲鶹AT閥門。微泰，高壓閘閥能應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD。PVD閘閥蝶閥

高壓閘閥，屬于強制密封式閥門，所以在閥門關閉時，必須向閘板施加壓力，以強制密封面不泄漏。手動閘閥三星半導體

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥Heating gate valve，加熱插板閥，加熱閘閥，加熱器的加熱溫度為180-200度（可通過控制器設置溫度）-規(guī)格：適用雙金屬（達到200度時，斷電后溫度下降后重新啟動），應用于去除粉末/氣體設備。微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。加熱閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù)：200,000次、、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。手動閘閥三星半導體