濺射閘閥氣動(dòng)閥

微泰，傳輸閥 (I-MOTION)、I型轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥應(yīng)用于晶圓加工，半導(dǎo)體加工，可替代VAT閘閥。其特點(diǎn)是? 主體材料：鋁或不銹鋼? 緊湊型設(shè)計(jì)? 使用維修配件工具包易于維護(hù)? 應(yīng)用：半導(dǎo)體系統(tǒng)中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離，傳輸閥 (I-MOTION)、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥規(guī)格如下：閘門(mén)密封類(lèi)型：傳輸閥 (I-MOTION)、右動(dòng)轉(zhuǎn)換閥、驅(qū)動(dòng)方式：氣動(dòng)、法蘭尺寸（內(nèi)徑） 32×222/46×236/50×336/56×500 、連接方式：焊接波紋管、閘門(mén)密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間：≤ 2 sec、工作壓力范圍：1×10-10 mbar to 1200 mbar、開(kāi)始時(shí)的壓差：≤ 30 mbar、開(kāi)啟時(shí)壓差： ≤ 1200 mbar r、泄漏率不銹鋼：< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁：< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護(hù)前可用次數(shù)： ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。閘閥的結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，一般由閥體、閥座、閥桿、閘板、閥蓋、密封圈幾部分組成。濺射閘閥氣動(dòng)閥

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，氣動(dòng)多位置閘閥，氣動(dòng)多定位閘閥，多定位插板閥，Pneumatic Multi Position 其特點(diǎn)是1，全開(kāi)和關(guān)閉位置使用帶有位置發(fā)射器的氣動(dòng)電磁閥進(jìn)行控制；2，所有位置控制都由控制器進(jìn)行操作。1)控制類(lèi)型-全開(kāi)：高速閘門(mén)全開(kāi)操作-全閉：高速閘門(mén)全閉操作-位置（POS.）控制：將閘門(mén)移動(dòng)到設(shè)定的位置值；2)操作時(shí)間-完全打開(kāi)?完全關(guān)閉：<2秒（取決于速度控制器設(shè)置)-位置（POS。）控制： 0%?100%工作，<MAX18秒（偏差： < ±0.5%）。微泰氣動(dòng)多位置閘閥，氣動(dòng)多定位閘閥，多定位插板閥，Pneumatic Multi Position，有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。超大型真空閘閥英菲尼亞半導(dǎo)體閘閥形體簡(jiǎn)單，結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度短，制造工藝性好，適用范圍廣。

微泰，三(多)位閘閥、三位閘閥、多位閘閥應(yīng)用于? 蒸發(fā)?濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? 涂層? 蝕刻? 擴(kuò)散?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶹AT閘閥。其特點(diǎn)是*3個(gè)位置功能-閥門(mén)打開(kāi),閥門(mén)關(guān)閉,第3位置*設(shè)備可通過(guò)連接到閥門(mén)的9 Pin D-Sub來(lái)讀取閥門(mén)狀態(tài)*手動(dòng)和氣動(dòng)閥門(mén)組合*應(yīng)用:需要壓力控制的任何其他過(guò)程*應(yīng)用:需要壓力控制的地方。三位閘閥、多位閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：氣動(dòng)、法蘭尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法蘭類(lèi)型ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門(mén)密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應(yīng)時(shí)間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開(kāi)始時(shí)的壓差：≤ 30 mbar、閘門(mén)的差動(dòng)壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護(hù)前可用次數(shù)：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥Heating gate valve，加熱插板閥，加熱閘閥，加熱器的加熱溫度為180-200度（可通過(guò)控制器設(shè)置溫度）-規(guī)格：適用雙金屬（達(dá)到200度時(shí)，斷電后溫度下降后重新啟動(dòng)），應(yīng)用于去除粉末/氣體設(shè)備。微泰，加熱閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上。加熱閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：手動(dòng)或氣動(dòng)、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類(lèi)型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門(mén)密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開(kāi)始時(shí)的壓差：≤ 30 mbar、閘門(mén)的差動(dòng)壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護(hù)前可用次數(shù)：200,000次、、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。閘閥（gate valve）是一個(gè)啟閉件閘板，閘板的運(yùn)動(dòng)方向與流體方向相垂直，閘閥只能作全開(kāi)和全關(guān)。

微泰，大閘閥、大型閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò)MW-PACVD生長(zhǎng)金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴(kuò)散）?CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶹AT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點(diǎn)是*陶瓷球機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護(hù)*應(yīng)用:用于研發(fā)和工業(yè)的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動(dòng)方式：氣動(dòng)、法蘭尺寸（內(nèi)徑）：16? ~ 30?、 法蘭型：ISO、JIS、ASA 、饋通：Viton O-Rin、閥門(mén)密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應(yīng)時(shí)間：可調(diào)節(jié)、工作壓力范圍：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護(hù)前可用次數(shù)：10,000 ~ 100,000次、開(kāi)啟時(shí)壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機(jī)構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動(dòng)器(鋁6061陽(yáng)極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：6~ 8 bar。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)，上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。 真空閘閥的設(shè)計(jì)具有獨(dú)特的特征。它們具有堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)，通常使用不銹鋼或鋁等材料來(lái)抵抗真空條件。屏蔽閘閥SHIELD GATE VALVE

微泰閘閥可替代HVA閘閥、VAT閘閥。濺射閘閥氣動(dòng)閥

微泰半導(dǎo)體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，控制系統(tǒng)閘閥，控制閘閥、控制系統(tǒng)插板閥、控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動(dòng)方式操作，可以在高真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)精確的壓力控制。如半導(dǎo)體等高真空工藝應(yīng)用。控制系統(tǒng)閘閥是自動(dòng)控制到用戶(hù)指定的值，通過(guò)控制器和步進(jìn)電機(jī)保持一致的真空壓力。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過(guò) MW-PACVD 生長(zhǎng)金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對(duì)卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴(kuò)散）、CVD（化學(xué)氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國(guó)臺(tái)灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來(lái)西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績(jī)。該閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁?。濺射閘閥氣動(dòng)閥