轉(zhuǎn)移閘閥HV GATE VALVE

來源: 發(fā)布時間:2024-05-14

微泰,傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導(dǎo)體PVDCVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它充當(dāng)將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。I型和L型轉(zhuǎn)移閥是用于半導(dǎo)體PVD CVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它們的作用是將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽,并極大限度地減少由于閘板打開和關(guān)閉造成的真空壓力變化,以維持腔室內(nèi)的真空壓力。I型轉(zhuǎn)移閥由鋁或不銹鋼制成,用于傳輸晶圓小于450毫米的半導(dǎo)體系統(tǒng)和隔離工藝室。其特點是葉片在垂直方向上快速移動,以確保完美的腔室壓力維持。而L型轉(zhuǎn)移閥也由鋁或不銹鋼制造,其特點是設(shè)計緊湊,易于維護。L型轉(zhuǎn)移閥的閘門在兩個階段從垂直到水平方向移動,以確保完美的腔室壓力維護。這兩種類型的轉(zhuǎn)移閥都具有高耐用性和長壽命的優(yōu)點,并且在閘門開啟和關(guān)閉過程中極大限度地減少了振動,對溫度變化也非常穩(wěn)定,以確保較長的使用壽命。如果您需要了解更多關(guān)于微泰傳輸閥、轉(zhuǎn)換閥、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥的信息,請聯(lián)系上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。閘閥流動阻力小。閥體內(nèi)部介質(zhì)通道是直通的,介質(zhì)成直線流動,流動阻力小。轉(zhuǎn)移閘閥HV GATE VALVE

閘閥

微泰半導(dǎo)體閘閥具有獨特的特點:其插板閥主滑閥采用球機構(gòu)方式,并且在量產(chǎn)工藝設(shè)備上經(jīng)過了性能驗證。該閘閥由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成,陶瓷與金屬接觸驅(qū)動時不會產(chǎn)生顆粒。目前已向中國臺灣的 Micron、UMC、AKT,新加坡的 Micron、Global Foundries,馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體,日本的 Micron、三星半導(dǎo)體等眾多設(shè)備廠批量供貨,且品質(zhì)得到認可,同時也完成了對半導(dǎo)體 Utility 設(shè)備和批量生產(chǎn)設(shè)備的驗證。與其他廠家閘閥的金屬與金屬接觸驅(qū)動會產(chǎn)生大量顆粒不同,微泰半導(dǎo)體閘閥采用鋼陶瓷球,在與金屬摩擦?xí)r不會損壞,且金屬與陶瓷球之間不會產(chǎn)生 Particle。半永久板簧(SUS 鋼板)的應(yīng)用確保了閥門驅(qū)動的同步性,同時還采用了固定球?qū)蚱骱弯撎沾伞N⑻┌雽?dǎo)體閘閥廣泛應(yīng)用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴散)、CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上,可替代 HVIA閘閥、VAT 閘閥。此外,該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。全真空閘閥TRANSFER VALVE控制系統(tǒng)閘閥??刂葡到y(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥,以滑動方式操作,可以在高真空環(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。

轉(zhuǎn)移閘閥HV GATE VALVE,閘閥

微泰轉(zhuǎn)移閥是安裝在半導(dǎo)體PVDCVD設(shè)備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng)。它充當(dāng)將位于工藝模塊中的晶圓轉(zhuǎn)移到工藝室的溝槽。此外,它極大限度地減少了由于閘板打開和關(guān)閉造成的真空壓力變化,使腔室內(nèi)的真空壓力得以維持。負責(zé)門控半導(dǎo)體晶圓轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移閥分為兩種類型:I型和L型。一、I型轉(zhuǎn)移閥。I型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制成,用于傳輸晶圓小于450毫米的半導(dǎo)體系統(tǒng)和隔離工藝室。本型的特點是葉片在垂直方向上快速移動,確保完美的腔室壓力維持。它采用具有LM導(dǎo)向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機構(gòu),保證高耐用性和長壽命。二、L型轉(zhuǎn)移閥。L型轉(zhuǎn)移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制造,其特點是設(shè)計緊湊,易于維護。L型轉(zhuǎn)移閥的特點是閘門在兩個階段從垂直到水平方向移動,確保完美的腔室壓力維護。它的內(nèi)部機構(gòu),包括一個LM導(dǎo)向系統(tǒng)和滯留彈簧和楔形營地結(jié)構(gòu),保證了高耐用性和長壽命,同時提供穩(wěn)定和精確的運動。I型和L型轉(zhuǎn)移閥在在閘門開啟和關(guān)閉過程中極大限度地減少了振動,并且對溫度變化非常穩(wěn)定,確保了較長的使用壽命。此外,即使長時間使用柵極,它們產(chǎn)生的顆粒也很少,從而避免了晶圓缺陷或主器件的污染。微泰不斷創(chuàng)新,在開發(fā)先進的壓力控制和控制閥制造專業(yè)從事真空閘閥不懈努力。

微泰,鋁閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上。期特點是*不論什么工藝的設(shè)備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應(yīng)用:隔離泵。鋁閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動方式:手動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 10英寸、閥體:AL6061 (Anodizing)、機械裝置:AL6061 (Anodizing)、閥門:O型圈(VITON)、真空密封:O型圈(VITON)、響應(yīng)時間≤ 3 sec、驅(qū)動器:氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍:< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時的壓差:≤ 30 mbar、初次維護前可用次數(shù)100,000次、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機構(gòu)溫度≤ 60 °C、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績??商娲鶹AT閥門。真空閘閥的密封裝置確保關(guān)閉時的高真空完整性,防止泄漏并維持腔室內(nèi)的真空壓力。

轉(zhuǎn)移閘閥HV GATE VALVE,閘閥

微泰半導(dǎo)體閘閥的特點:插板閥主滑閥的球機構(gòu)方式-在量產(chǎn)工藝設(shè)備上的性能驗證-由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成,陶瓷和金屬觸摸驅(qū)動無顆粒-已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備,設(shè)備廠批量供貨,已得到品質(zhì)認可,已完成對半導(dǎo)體Utility設(shè)備和批量生產(chǎn)設(shè)備的驗證,而其他廠家閘閥金屬和金屬觸摸驅(qū)動產(chǎn)生大量顆粒。使用鋼陶瓷球,與金屬摩擦?xí)r不會損壞,金屬與陶瓷球之間不會產(chǎn)生Particle,半永久板簧(SUS鋼板)的應(yīng)用確保閥門驅(qū)動同步性,采用了固定球?qū)蚱骱弯撎沾伞N⑻┌雽?dǎo)體閘閥應(yīng)用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。真空閘閥由一個滑動門或板組成,可以移動以阻止或允許通過真空閥體,從而有效地將腔室與外部環(huán)境隔離。全真空閘閥英菲尼亞半導(dǎo)體

微泰高壓閘閥的特點是*陶瓷球機構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應(yīng)用:隔離泵。轉(zhuǎn)移閘閥HV GATE VALVE

微泰半導(dǎo)體閘閥的工作原理主要是通過閘板的升降來控制流體的通斷。當(dāng)閘板升起時,閘閥打開,允許流體通過;當(dāng)閘板降下時,閘閥關(guān)閉,阻止流體通過。在具體工作中,它利用各種機構(gòu)和設(shè)計來實現(xiàn)精確的控制和可靠的密封,以滿足半導(dǎo)體設(shè)備中對工藝控制的要求。微泰半導(dǎo)體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴散)、CVD(化學(xué)氣相沉積)等設(shè)備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導(dǎo)體、日本Micron、三星半導(dǎo)體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰咎峁?。轉(zhuǎn)移閘閥HV GATE VALVE