中山變?nèi)荻O管作用

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-08-26

在電子工程領(lǐng)域,二極管作為基礎(chǔ)的電子元件,其種類(lèi)繁多,功能各異。其中,穩(wěn)壓二極管和普通二極管因其獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景而備受關(guān)注。本文將詳細(xì)比較穩(wěn)壓二極管與普通二極管的不同之處,以便讀者更好地理解和應(yīng)用這兩種元件。功能區(qū)別,穩(wěn)壓二極管,也被稱為齊納二極管,其主要功能是維持電路中的穩(wěn)定電壓值。它利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),在電流可在很大范圍內(nèi)變化時(shí)保持電壓基本不變,從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓功能。這種特性使得穩(wěn)壓二極管在電路中起到了關(guān)鍵的穩(wěn)定作用,為電子設(shè)備提供了可靠的電壓支撐。相比之下,普通二極管則主要作為一個(gè)開(kāi)關(guān)器件或整流器使用。在正向電壓下,普通二極管導(dǎo)通,允許電流通過(guò);而在反向電壓下,則截止,阻止電流通過(guò)。這種單向?qū)щ娦允沟闷胀ǘO管在開(kāi)關(guān)電路和整流電路中發(fā)揮著重要作用。二極管的導(dǎo)通特性與P-N結(jié)有關(guān)。中山變?nèi)荻O管作用

中山變?nèi)荻O管作用,二極管

在汞弧閥(具有冷陰極的汞蒸氣離子閥)中,一種難熔的導(dǎo)電陽(yáng)極與一池作為陰極的液態(tài)汞之間會(huì)形成電弧,電壓?jiǎn)挝豢蛇_(dá)數(shù)百千瓦,這對(duì)高壓直流輸電的發(fā)展起到了促進(jìn)作用。一些小型的熱離子整流器有時(shí)候也用汞蒸氣填充,以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強(qiáng)真空器件的電流額定值。因此近年來(lái),在音響發(fā)燒友和錄音棚所用的音頻設(shè)備中,應(yīng)用真空二極管的老式音頻設(shè)備有回潮的跡象,如家用音響系統(tǒng)甚至是吉他效果器。PIN二極管作為一種特種微波半導(dǎo)體元件,普遍應(yīng)用于微波和射頻電路的設(shè)計(jì)中,具有許多優(yōu)良的特點(diǎn),例如:開(kāi)關(guān)速度快、可控功率大、損耗低、反向擊穿電壓高等。另外,PIN二極管無(wú)論被正向或者反向偏置均可得到類(lèi)似于短路與開(kāi)路。因而,PIN二極管已經(jīng)成為各種電子設(shè)備中的重要組成部分。中山變?nèi)荻O管作用在使用二極管時(shí),需注意其正向電壓和反向擊穿電壓的限制,以免損壞器件。

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二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域:當(dāng)VBR<V<0時(shí),反向電流很小,且基本不隨反向電壓的變化而變化,此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí),反向電流急劇增加,VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū),硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡,反向飽和電流也很??;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟,過(guò)渡比較圓滑,反向飽和電流較大。從擊穿的機(jī)理上看,硅二極管若|VBR|≥7 V時(shí),主要是雪崩擊穿;若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿,當(dāng)在4 V~7 V之間兩種擊穿都有,有可能獲得零溫度系數(shù)點(diǎn)。

二極管,(英語(yǔ):Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管較普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷 (稱為逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。二極管的種類(lèi)非常多,常見(jiàn)的有以下幾種,看看有沒(méi)有你不認(rèn)識(shí)呢?1.整流二極管,整流二極管英文名稱為Rectifier diode,它是一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件,是電子行業(yè)中應(yīng)用較普遍的一種二極管,整流二極管1N系列的比較多,比如1N4001-1N4007。整流二極管有SMT和THT兩種封裝形式,SMT封裝常見(jiàn)的有SMA、SMB、SMC和SOD123等。整流二極管的原理圖和PCB庫(kù)封裝(SMA)。二極管在保護(hù)電路中扮演著重要角色,能有效防止電路過(guò)壓或過(guò)流。

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變?nèi)荻O管: 變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)的電容隨外加偏壓而變化這一特性制成的非線性電容元件,被普遍地用于參量放大器,電子調(diào)諧及倍頻器等微波電路中。瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS: 一種固態(tài)二極管,專門(mén)用于ESD保護(hù)。TVS二極管是和被保護(hù)電路并聯(lián)的,當(dāng)瞬態(tài)電壓超過(guò)電路的正常工作電壓時(shí),二極管發(fā)生雪崩,為瞬態(tài)電流提供通路,使內(nèi)部電路免遭超額電壓的擊穿。發(fā)光二極管LED: 用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成,體積小,正向驅(qū)動(dòng)發(fā)光。工作電壓低,工作電流小,發(fā)光均勻、壽命長(zhǎng)、可發(fā)紅、黃、綠單色光。二極管在電源電路中作為整流器使用,可以將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。合肥單向?qū)щ姸O管

二極管技術(shù)不斷發(fā)展,涌現(xiàn)出多種類(lèi)型和應(yīng)用領(lǐng)域,為電子工程師提供更多選擇。中山變?nèi)荻O管作用

面接觸式二極管。面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個(gè)半導(dǎo)體(如本征硅)的一端成為一個(gè)包含負(fù)極性載流子(電子)的區(qū)域,稱作N型半導(dǎo)體;另一端成為一個(gè)包含正極性載流子(空穴)的區(qū)域,稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時(shí),電子會(huì)從N型一側(cè)流向P型一側(cè)。這一區(qū)域電子和空穴相互抵銷(xiāo),造成中間區(qū)域載流子不足,形成“耗盡層”。在耗盡層內(nèi)部存在“內(nèi)電場(chǎng)”:N型側(cè)帶正電,P型側(cè)帶負(fù)電。兩塊區(qū)域的交界處為PN結(jié),晶體允許電子(外部來(lái)看)從N型半導(dǎo)體一端,流向P型半導(dǎo)體一端,但是不能反向流動(dòng)。中山變?nèi)荻O管作用