場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。選型場效應(yīng)管時需考慮工作頻率、功率需求等因素。徐州半導體場效應(yīng)管廠家供應(yīng)MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與...

導通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導通時的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個電流值可能會導致器件過熱、性能退化甚至長久損壞。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電壓。超過這個電壓值可能會導致場效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲。場效應(yīng)管的優(yōu)勢在于低噪聲、高放大倍數(shù)和低失真，適用于高要求的音頻放大電路中。上海漏極場效應(yīng)管加工...

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。場效...

MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導通。判斷柵極G，MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅(qū)動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間。將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕...

開關(guān)時間：場效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導通（或相反）所需的時間。柵極驅(qū)動電路的設(shè)計對開關(guān)時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關(guān)時間，此外，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路：場效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性，常用于音頻放大器、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開關(guān)電源中，場效應(yīng)管用于控制能量的存儲和釋放，實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。場效應(yīng)管的體積小，適合集成在微型電子設(shè)備中。南京結(jié)型場效應(yīng)管供應(yīng)商場效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN...

MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路，MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因?；緢鲂?yīng)管的特點包括輸入電阻高、...

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。場效應(yīng)管的開關(guān)速度快，適用于需要快速響應(yīng)的電路系統(tǒng)中。珠海金屬半導體場效應(yīng)管制造商場效應(yīng)管（英語：f...

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。場效應(yīng)管的體積小，適合集成在微型電子設(shè)備中。徐州氧化物場效應(yīng)管批發(fā)價格場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸...

對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多，且所需驅(qū)動功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點：單電源工作，控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。場效應(yīng)管在新能源汽車...

場效應(yīng)管使用優(yōu)勢：場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電，被稱之為雙極型器件。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場效應(yīng)管的柵極電壓對其導電性能有明顯影響，通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以控制電路的...

電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應(yīng)當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設(shè)計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。在連續(xù)導通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這...

對比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點：1.場效應(yīng)管的源極s、柵極g、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應(yīng)管是由多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強。在環(huán)境條件（溫...

場效應(yīng)管使用優(yōu)勢：場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電，被稱之為雙極型器件。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓，可實現(xiàn)精確控制。徐州高穩(wěn)定場效應(yīng)管規(guī)格...

下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效...

組成，F(xiàn)ET由各種半導體構(gòu)成，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導體制造技術(shù)制造，使用單晶半導體硅片作為反應(yīng)區(qū)，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應(yīng)晶體管中的非晶半導體。有機場效應(yīng)晶體管基于有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制型半導體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān)。場效應(yīng)管在電路設(shè)計中常作為信號放大器使用，能夠有效地放大微弱信號。江門源極場效應(yīng)管價格MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵...

場效應(yīng)管注意事項：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意。場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域有普遍應(yīng)用，如電機驅(qū)動、電源管理等。江門高穩(wěn)定場效應(yīng)管制造商場效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性。(...

電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應(yīng)當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設(shè)計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。在連續(xù)導通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這...

溝道增強型MOSFET場效應(yīng)管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒有導電溝道，所以這時漏極電流iD≈0。② vGS>0 的情況，若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場。電場方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負離子)，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子...

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。作用：1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場效應(yīng)管的靈敏度較高，可以實現(xiàn)精確的電流控制。上海雙柵極場效應(yīng)管廠家供應(yīng)場效應(yīng)管的分類：場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣...

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf，各位工程時使用的時候請根據(jù)實際漏級電路ID，柵極驅(qū)動電壓Vg進行判斷。場效應(yīng)管還具有低輸出阻抗，可以提供較大的輸出電流。南京絕緣柵場效應(yīng)管參考價對于開關(guān)頻率小于...

場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了。場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導體器件。場效應(yīng)管又是單極型晶體管，即導電過程中幾乎只有一種載流子運動，類似金屬導電。熟練掌握場效應(yīng)管的使用方法和注意事項，對于電子工程師來說是提升電路設(shè)計能...

對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多，且所需驅(qū)動功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點：單電源工作，控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。來看這個電路，控制信...

對比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點：1.場效應(yīng)管的源極s、柵極g、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應(yīng)管是由多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強。在環(huán)境條件（溫...

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管。當瀉放電阻過小，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。估算導通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候，就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍，遠非一兩篇文章可以概括。場效應(yīng)管的類型包括N溝道和P溝道兩種，可以根據(jù)具體需求選擇。廣州耗盡型場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有如...

效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點：1.場效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時，其特性差異很大，β值將減小很多。2.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。3.場效應(yīng)管和三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路，但由于前者制造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點，因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。4.三極管導通電阻大，場效應(yīng)管導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)用電器件上，一般都用場效應(yīng)管做開關(guān)來用，他的效率是比較高的。場效應(yīng)管雖然體積小，但在現(xiàn)代電子技術(shù)中...

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)...

導通時隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui、關(guān)斷時為DUi，若主功率管S可靠導通電壓為12V，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］。為保證導通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點：①電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，具有電氣隔離作用。當脈寬變化時，驅(qū)動的關(guān)斷能力不會隨著變化。②該電路只需一個電源，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動的管子時提供一個負壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當D較小時，負向電壓小，該電路的抗干擾性變差，且正向電壓較高，應(yīng)該注意使其幅值不超過MOSFET柵極...

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應(yīng)管實踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù)，是指場效應(yīng)管正常工作時，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。場效應(yīng)管作為音頻放大器，具有低失真、高保真的特點，提升音質(zhì)效果。強抗輻場效應(yīng)管行價如果GATE相對于BACKGATE...

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管，制造非對稱晶體管有很多理由，但所有的較終結(jié)果都是一樣的，一個引線端被優(yōu)化作為drain，另一個被優(yōu)化作為source，如果drain和source對調(diào)，這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。場效應(yīng)管在電子設(shè)備中普...

LED 燈具的驅(qū)動。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管，對LED恒流驅(qū)動而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。因此，設(shè)計時必須注意柵極驅(qū)動器負載能力必須足夠大，以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電。而MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系。使用者雖然無法降低Cin的值，但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值，從而減小柵極回路 的充放電時間常數(shù)，加快開關(guān)速度一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里，我們談選擇MOSFET是指外置MO...