MOS管參數(shù):功率MOSFET的一定較大額定值:注①:漏源較大電壓VDSS,可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,故只有一個方向。注②:柵源較大電壓VGSS,即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層,只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,故有兩個方向“±”。注③:漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR(或稱為IS)一般規(guī)格書中數(shù)值一致,均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結的較大電流。注④:ID(pulse)需要看施加電流的脈沖寬度,脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤:雪崩電流IAP同樣需要關注脈沖寬度。使用場效應管時,應注意其溫度特性,避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能。南京金屬場效應管價格
內(nèi)置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了,一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力,外置MOSFET是獨一的選擇方式,IC需要合適 的驅動能力,MOSFET輸入電容是關鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,具體數(shù)值大小同IC的峰值驅動輸出能力有關,可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結合IC驅動能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應用中IC的驅動可以直接驅動MOSFET,但是考慮到通常驅動走線不是直線,感量可能會更大,并且為了防止外部干擾,還是要使用Rg驅動電阻進行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。深圳增強型場效應管注意事項場效應管在無線電領域具有普遍應用,如射頻放大器、混頻器、振蕩器等,提高通信質(zhì)量。
MOS管的工作原理,在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路,如圖2漏極原封不動地接負載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。NMOS管的開路漏極電路,在開關電源應用方面,這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如,DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關功能,這些開關交替在電感里存儲能量,然后把能量釋放給負載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,因為頻率越高,磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,MOS管只相當于一個導體。因此,我們電路或者電源設計人員較關心的是MOS的較小傳導損耗。
雪崩失效的預防措施,雪崩失效歸根結底是電壓失效,因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。1:合理降額使用,目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。2:合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及TVS吸收電路設計。4:大電流布線盡量采用粗、短的布局結構,盡量減少布線寄生電感。5:選擇合理的柵極電阻Rg。6:在大功率電源中,可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收。場效應管制造工藝成熟,產(chǎn)量大,成本低,有利于大規(guī)模應用。
我們經(jīng)??碝OS管的PDF參數(shù),MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導通阻抗,對開關應用來說,RDS(ON)也是較重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經(jīng)開關的電流有關,但對于充分的柵極驅動,RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導通的MOS管很容易發(fā)熱。另外,慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的較簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。場效應管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動,具有與電阻不同的工作方式。上海漏極場效應管廠家直銷
場效應管具有高頻響應特性,適用于高頻、高速電路,如雷達、衛(wèi)星通信等。南京金屬場效應管價格
場效應管主要參數(shù):一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS:是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。二、夾斷電壓,夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。四、跨導??鐚m是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權衡場效應管放大才能的重要參數(shù)。南京金屬場效應管價格