組成,F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),或者溝道。大部分的不常見體材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,或者有機(jī)場效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。有機(jī)場效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半導(dǎo)體,常常用有機(jī)柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。場效應(yīng)管雖然體積小,但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視?;葜萁Y(jié)型場效應(yīng)管市價(jià)
場效應(yīng)管由源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)三個(gè)主要部分組成。在JFET中,柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離;而在MOSFET中,柵極和通道之間由一層絕緣材料(通常是二氧化硅)隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí),會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)電溝道,從而控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。主要參數(shù)閾值電壓(Vth):使場效應(yīng)管開始導(dǎo)電的較小柵極電壓。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)(Cutoff Region)過渡到飽和區(qū)(Saturation Region)的臨界電壓。當(dāng)柵極-源極電壓(VGS)低于Vth時(shí),場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài),通道不導(dǎo)電;當(dāng)VGS超過Vth時(shí),通道形成,電流開始流動(dòng)。深圳單極型場效應(yīng)管供應(yīng)商場效應(yīng)管具有較高的耐熱性能,適用于高溫環(huán)境。
場效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,焊接場效應(yīng)管是比較方便的,并且確保安全;在未關(guān)斷電源時(shí),一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時(shí)必須注意。
判斷源極S、漏極D,將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因?yàn)闇y試前提不同,測出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS(on),在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。場效應(yīng)管的類型包括N溝道和P溝道兩種,可以根據(jù)具體需求選擇。
現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管,使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高,故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,所以在應(yīng)用上,它的驅(qū)動(dòng)電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source)三個(gè)端,分別大致對(duì)應(yīng)雙極性晶體管的基極(base)、集電極(collector)和發(fā)射極(emitter)。在安裝場效應(yīng)管時(shí),要確保其散熱良好,避免過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。深圳單極型場效應(yīng)管供應(yīng)商
場效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色。惠州結(jié)型場效應(yīng)管市價(jià)
對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場合,因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話,相對(duì)延時(shí)太多,且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,故100kHz以上開關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以。對(duì)于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn):單電源工作,控制信號(hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場合?;葜萁Y(jié)型場效應(yīng)管市價(jià)