平面型二極管行價

瞬態(tài)抑制二極管(TVS管)，瞬態(tài)電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS，它是一種高效保護器件的一種二極管。當瞬態(tài)電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收高達數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元 器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應時間快、瞬態(tài)功率大、漏電流 低、擊穿電壓偏差 、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優(yōu)點。普遍應用于計算機系統(tǒng)、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流 器、家用電器、儀器儀表電路中。瞬態(tài)電壓抑制二極管有單向和雙向兩種，單向的引腳有正負極方向性，使用方法和穩(wěn)壓管相同，正極接入低電位，負極接入高電位，反向接入電路中。二極管可用于電源、信號處理等領(lǐng)域，具有普遍的應用。平面型二極管行價

二極管的反向特性：當外加反向電壓時，所加的反向電壓加強了內(nèi)電場對多數(shù)載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時的外電場能促使少數(shù)載流子漂移，所以少數(shù)載流子形成很小的反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數(shù)載流子越過PN結(jié)而形成反向飽和電流，繼續(xù)升高反向電壓時反向電流幾乎不再增大。當反向電壓增大到某一值（曲線中的D點）以后，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象叫反向擊穿，這時二極管失去單向?qū)щ娦?。所以一般二極管在電路中工作時，其反向電壓任何時候都必須小于其反向擊穿時的電壓。即：當V＜0時，二極管處于反向特性區(qū)域。中山半導體二極管批發(fā)價格二極管作為基本器件，對電子技術(shù)的發(fā)展和應用起著重要作用。

可以通過手動調(diào)節(jié)晶體表面上的導線，以獲得較佳的信號。這個較為麻煩的設備在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現(xiàn)。因為新出現(xiàn)的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實驗室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀40年代中后期，美國電話電報公司在美國四處新建的微波塔上開始應用這種微波接收器，主要用于傳輸電話和網(wǎng)絡電視信號。不過貝爾實驗室并未研發(fā)出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。

普通二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的半導體器件，即將一個PN結(jié)加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱為正極或陽極，N型區(qū)的引出線稱為負極或陰極，如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向?qū)妷海≒N結(jié)電壓）差別較大，鍺管為0.2～0.3V，硅管為0.6～0.7V。點接觸型二極管，點接觸型二極管是由一根很細的金屬觸絲(如三價元素鋁)和一塊半導體(如鍺)的表面接觸，然后在正方向通過很大的瞬時電流，使觸絲和半導體牢固地熔接在一起，三價金屬與鍺結(jié)合構(gòu)成PN結(jié)，并做出相應的電極引線，外加管殼密封而成。金屬絲為正極，半導體薄片為負極。硅二極管和砷化鎵二極管是常見類型。

階躍二極管，階躍二極管一種特殊的變?nèi)莨?，又稱為階躍恢復二極管或電荷存儲二極管,簡稱階躍管，英文名稱為Step-Recovary Diode，它具有高度非線性的電抗，應用于倍頻器時代獨有的特點，利用其反向恢復電流的快速突變中所包含的豐富諧波，可獲得高效率的高次倍頻，它是微波領(lǐng)域中優(yōu)良的倍頻元件。旋轉(zhuǎn)二極管，旋轉(zhuǎn)二極管主要用于無刷勵磁電機，它實際上就是一個整流二極管，在工作的時候跟著發(fā)動機一起旋轉(zhuǎn)，所以被稱為旋轉(zhuǎn)二極管。旋轉(zhuǎn)二極管的作用就是把勵磁機的交流電壓整流為直流電壓，通過發(fā)動機的大軸，把這個直流電壓加到發(fā)電機的勵磁線圈上，然后通過勵磁屏的調(diào)整來獲得一個理想的勵磁電流。二極管的主要作用之一是整流，將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。中山發(fā)光二極管市場價格

使用二極管時，需要注意正向電壓不超過其額定值，以避免損壞。平面型二極管行價

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很?。绘N二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點。平面型二極管行價