湖南供應(yīng)電阻測(cè)試服務(wù)電話

設(shè)計(jì)特性描述IPCJ-STD-001是一份規(guī)范焊接電子組件制造實(shí)踐和要求的文件。一般來說，根據(jù)J-STD-004的分類標(biāo)準(zhǔn)，這些助焊劑適用于電子組裝。在使用幾種不同的涂層和助焊劑時(shí)，兼容性也需要測(cè)試。兼容性測(cè)試的方法因應(yīng)用而異，但需要使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法測(cè)試。理想情況下，電化學(xué)可靠性/兼容性應(yīng)該用**新型組裝的電路板和元器件進(jìn)行測(cè)試。由爐溫定義的加熱循環(huán)過程對(duì)助焊劑的表現(xiàn)也很關(guān)鍵。清洗工藝也應(yīng)該使用類似于SIR的方法在IPC-B-52的板子上驗(yàn)證。一旦優(yōu)化了組裝，就應(yīng)該進(jìn)行深入的測(cè)試去確定組裝的設(shè)計(jì)和工藝。在J-STD-001中，就以IPC-9202和9203來舉例。在組裝區(qū)域，溫度曲線經(jīng)歷了比較大的熱量，因此比較低和**短的峰值被復(fù)制應(yīng)用于任何測(cè)試樣板制作，以確保測(cè)試結(jié)果的一致性和可靠性的預(yù)期。測(cè)試評(píng)估絕緣電阻性能的綜合解決方案。湖南供應(yīng)電阻測(cè)試服務(wù)電話

剖面結(jié)構(gòu)觀察通過SEM觀察失效電阻鑲樣的橫截面，如圖4所示。由圖4可發(fā)現(xiàn)：電阻一端外電極有一個(gè)明顯的腐蝕凹坑，這是由電化學(xué)反中陽(yáng)極溶解所產(chǎn)生的，腐蝕形態(tài)主要為點(diǎn)蝕。根據(jù)文獻(xiàn)[5]報(bào)道，在電解液中存在Cl-的電化學(xué)過程中，陽(yáng)極表面的鈍化膜易溶解于含Cl-的溶液中，或Cl-直接滲透陽(yáng)極表面的鈍化膜，造成鈍化膜開裂或形成微孔誘發(fā)局部腐蝕，**終形成點(diǎn)蝕坑的腐蝕形貌。電化學(xué)遷移失效復(fù)現(xiàn)根據(jù)失效分析，得出離子、潮氣及電場(chǎng)為失效的敏感因子，故設(shè)計(jì)故障復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)。將樣品分為兩組，1000h潮熱加電實(shí)驗(yàn)。廣西直銷電阻測(cè)試批量定制表面絕緣電阻（SIR）測(cè)試可以用來評(píng)估金屬導(dǎo)體之間短路或者電流泄露造成的問題。

焊點(diǎn)助焊劑(Flux)清潔與否，將影響ECM發(fā)生多寡IC芯片封裝成BGA后，于植球時(shí)會(huì)使用助焊劑(Flux)確保兩種不同的金屬或合金連接順利。宜特可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室就觀察到，F(xiàn)lux工藝后，若沒有進(jìn)行清潔動(dòng)作，不僅殘留物將阻礙Underfill流動(dòng)路徑(圖四)，導(dǎo)致填充膠無法填滿芯片底部，造成許多的氣泡(延伸閱讀:如何利用真空壓力烤箱消滅UnderfillVoid)，更會(huì)加劇ECM的發(fā)生。可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室，特別做了兩項(xiàng)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)，實(shí)驗(yàn)條件套用HAST常見的溫度:130°C/濕度:85%RH，使用助焊劑為坊間常見免清洗型助焊劑。***項(xiàng)DOE樣品不做助焊劑清潔(Flux clean)，第二項(xiàng)DOE樣品做助焊劑清潔(Flux Clean)，DOE結(jié)果可清楚看到，未做Flux Clean的樣品，出現(xiàn)了ECM現(xiàn)象(圖五(左))，而有做Flux Clean的樣品，盡管同樣出現(xiàn)ECM現(xiàn)象(圖五(右))，但非常細(xì)微。

幾十年來，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直認(rèn)為SIR測(cè)試是比較好的方法。然而，在實(shí)踐中，這種方法有一些局限性。首先，它是在標(biāo)準(zhǔn)梳狀測(cè)試樣板上進(jìn)行的，而不是實(shí)際的組裝產(chǎn)品。根據(jù)不同的PCB表面處理、回流工藝條件、處理工序等，需要進(jìn)行**的測(cè)試設(shè)置。而且測(cè)試方法的選擇，可能需要組裝元器件，也可能不需要。由于和助焊劑分類有關(guān)，這些因素的標(biāo)準(zhǔn)化是區(qū)分可比較的助焊劑類別的關(guān)鍵。另一方面，工藝的優(yōu)化和控制可能會(huì)遺漏一些關(guān)鍵的失效來源。其次，由于組件處于生產(chǎn)過程中，無法實(shí)時(shí)收集結(jié)果。根據(jù)測(cè)試方法的不同，測(cè)試時(shí)間**少為72小時(shí)，**多為28天，這使得測(cè)試對(duì)于過程控制來說太長(zhǎng)了。從而促使制造商尋求能快速有效地表征電化學(xué)遷移傾向的測(cè)試方法，以控制組裝工藝。測(cè)試電壓可以擴(kuò)展使用外接電壓，最大電壓可高達(dá)2000V。

為SAC305開發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。為SAC305開發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。導(dǎo)電陽(yáng)極絲CAF的增加會(huì)使板子易吸附水汽，將會(huì)造成環(huán)氧樹脂與玻璃纖維的表面分離。江蘇電阻測(cè)試歡迎選購(gòu)

實(shí)現(xiàn)多通道電流同時(shí)采集，實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試樣品離子和材料絕緣劣化過程。湖南供應(yīng)電阻測(cè)試服務(wù)電話

測(cè)量電阻。采用50V的直流偏置電壓，用100V的測(cè)試電壓測(cè)試每塊板的菊花鏈網(wǎng)絡(luò)的絕緣電阻前至少充電60S的時(shí)間。偏置電壓的極性和測(cè)試電壓的極性必須隨時(shí)保持一致。4、在初始的絕緣電阻測(cè)量后關(guān)閉測(cè)試系統(tǒng)，使樣品在65±2℃或85±2℃、相對(duì)濕度為87+3/-2%RH、無偏壓的環(huán)境下靜置96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）。96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）的靜置期后，在每個(gè)菊花鏈網(wǎng)絡(luò)和地之間測(cè)試絕緣電阻。5、確認(rèn)所有的測(cè)試樣品的連接是有效的，每個(gè)測(cè)試電路對(duì)應(yīng)適當(dāng)?shù)南蘖麟娮?。然后將測(cè)試板與電源相連開始進(jìn)行T/H/B部分的CAF測(cè)試。廣州維柯信息技術(shù)有限公司的高低阻（CAF/TCH）測(cè)試系統(tǒng)可以做到湖南供應(yīng)電阻測(cè)試服務(wù)電話

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