江蘇sir電阻測(cè)試供應(yīng)商

PCB/PCBA絕緣失效失效機(jī)理絕緣電阻是表征PCB絕緣性能的一個(gè)簡(jiǎn)單而且容易測(cè)量的指標(biāo)，絕緣失效是指絕緣電阻減小。一般,影響絕緣電阻的因素有溫度、濕度、電場(chǎng)強(qiáng)度以及樣品處理等。絕緣失效通常可能發(fā)生在PCB表面或者內(nèi)部,前者多見于電化學(xué)遷移(ECM)或化學(xué)腐蝕,后者則多見于導(dǎo)電陽(yáng)極絲(CAF)。1、電化學(xué)遷移(ECM)電化學(xué)遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運(yùn)動(dòng)。在潮濕條件下,金屬離子會(huì)在陽(yáng)極形成,并向陰極遷移(見圖6.1),形成枝晶。當(dāng)枝晶連接兩種導(dǎo)體時(shí),便造成了短路,而且枝晶會(huì)因電流驟增而發(fā)生熔斷。1、電化學(xué)遷移(ECM)電化學(xué)遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運(yùn)動(dòng)。在潮濕條件下,金屬離子會(huì)在陽(yáng)極形成,并向陰極遷移(見圖6.1),形成枝晶。當(dāng)枝晶連接兩種導(dǎo)體時(shí),便造成了短路,而且枝晶會(huì)因電流驟增而發(fā)生熔斷。2、導(dǎo)電陽(yáng)極絲(CAF)目前公認(rèn)的CAF成因是銅離子的電化學(xué)遷移隨著銅鹽的沉積。在高溫高濕條件下,PCB內(nèi)部的樹脂和玻纖之間的附力劣化,促成玻纖表面的硅烷偶聯(lián)劑產(chǎn)生水解,樹脂和玻纖分離并形成可供離子遷移的通道。精度高：優(yōu)于同業(yè)產(chǎn)品。江蘇sir電阻測(cè)試供應(yīng)商

幾十年來(lái)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直認(rèn)為SIR測(cè)試是比較好的方法。然而，在實(shí)踐中，這種方法有一些局限性。首先，它是在標(biāo)準(zhǔn)梳狀測(cè)試樣板上進(jìn)行的，而不是實(shí)際的組裝產(chǎn)品。根據(jù)不同的PCB表面處理、回流工藝條件、處理工序等，需要進(jìn)行**的測(cè)試設(shè)置。而且測(cè)試方法的選擇，可能需要組裝元器件，也可能不需要。由于和助焊劑分類有關(guān)，這些因素的標(biāo)準(zhǔn)化是區(qū)分可比較的助焊劑類別的關(guān)鍵。另一方面，工藝的優(yōu)化和控制可能會(huì)遺漏一些關(guān)鍵的失效來(lái)源。其次，由于組件處于生產(chǎn)過(guò)程中，無(wú)法實(shí)時(shí)收集結(jié)果。根據(jù)測(cè)試方法的不同，測(cè)試時(shí)間**少為72小時(shí)，**多為28天，這使得測(cè)試對(duì)于過(guò)程控制來(lái)說(shuō)太長(zhǎng)了。從而促使制造商尋求能快速有效地表征電化學(xué)遷移傾向的測(cè)試方法，以控制組裝工藝。湖南制造電阻測(cè)試歡迎選購(gòu)GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試速度 20mS/所有通道。

可靠性研究的兩大內(nèi)容就是失效分析和可靠性測(cè)試（包括破壞性實(shí)驗(yàn)）。兩者之間是相互影響和相互制約的。電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ)，元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此，必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作，通過(guò)分析確定失效機(jī)理，找出失效原因，反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用，共同研究和實(shí)施糾正措施，提高電子元器件的可靠性。電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象，分辨其失效模式和失效機(jī)理，確認(rèn)結(jié)果的失效原因，提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝的建議，防止失效的重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件可靠性。

局部萃取的離子色譜法在過(guò)去的十年中，一種新興的方法得到了***的應(yīng)用，那就是局部萃取，然后用離子色譜(IC)分析來(lái)控制重要的清潔度，通常被稱為C3測(cè)試。這種方法使用冷蒸汽直接通過(guò)一個(gè)小噴嘴，并在選定的電路板和組件表面冷凝，用以溶解各種離子。然后噴嘴將水和離子的溶液萃取回測(cè)試池中進(jìn)行測(cè)試。電流通過(guò)萃取物，并測(cè)量達(dá)到持續(xù)狀態(tài)的時(shí)間。然后用離子色譜法對(duì)萃取物進(jìn)行檢測(cè)，以確定其中存在的離子種類及數(shù)量。這種類型的測(cè)試特別適用于對(duì)電路板上潛在的問(wèn)題區(qū)域進(jìn)行抽查，例如低間距組件、高熱質(zhì)量區(qū)域、選擇性焊接的部件和清洗過(guò)的組件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到質(zhì)量保證協(xié)議中，以驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果隨時(shí)間變化的一致性和很多不同組裝工藝的一致性。表面絕緣電阻（SIR）測(cè)試可以用來(lái)評(píng)估金屬導(dǎo)體之間短路或者電流泄露造成的問(wèn)題。

表面絕緣電阻（SIR）IPC-TM-650方法定義了在高濕度環(huán)境下表面絕緣電阻的測(cè)試條件。SIR測(cè)試在40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體里進(jìn)行。樣板的制備和ECM測(cè)試一樣，都是依據(jù)方法制備（如圖1）。***版本的測(cè)試要求規(guī)定每20分鐘要檢查一次樣板。在七天的測(cè)試中，不同模塊之間的表面絕緣電阻值衰減必須少于10Ohms，但是要排除**開始24小時(shí)的穩(wěn)定時(shí)間。電壓是恒定不變的。這和ECM測(cè)試在很多方面不一樣。兩者的不同點(diǎn)是：持續(xù)時(shí)間、測(cè)試箱體條件和頻繁測(cè)量數(shù)據(jù)的目的。樣板同樣需要目測(cè)檢查枝晶生長(zhǎng)是否超過(guò)間距的20%和是否有任何腐蝕引起的變色問(wèn)題。維柯多通道導(dǎo)通電阻實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng) GWLR256與冷熱沖擊試驗(yàn)箱配合使用，用于產(chǎn)品導(dǎo)通（低 阻）性能驗(yàn)證。江蘇智能電阻測(cè)試銷售廠家

1-500V 1-2000V 以0.1V分辨率任意值可調(diào)。江蘇sir電阻測(cè)試供應(yīng)商

SIR和局部萃取的結(jié)果是通過(guò)或失敗。判定標(biāo)準(zhǔn)分別基于電路電阻率和萃取液電阻率。為了便于參考，附錄中包含了詳細(xì)的結(jié)果。如表1所示，通過(guò)被編碼為綠色，失敗被編碼為橙色。結(jié)果顯示了一個(gè)清晰的定義：即所有未清洗的測(cè)試模塊都沒有通過(guò)測(cè)試，所有清洗過(guò)的測(cè)試模塊都通過(guò)了測(cè)試。事實(shí)上，助焊劑殘?jiān)泻写罅康碾x子，局部萃取試驗(yàn)很快就超過(guò)了電阻率極限。在未清洗板上有幾種離子濃度很高。總的來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)非常極端的比較，因?yàn)楦锌赡苁遣糠智逑炊皇峭耆辞逑?。這加強(qiáng)了必須清洗使用了水溶性焊錫膏組件的重要性。江蘇sir電阻測(cè)試供應(yīng)商

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