海南多功能電阻測(cè)試以客為尊

表面絕緣電阻（SIR）IPC-TM-650方法定義了在高濕度環(huán)境下表面絕緣電阻的測(cè)試條件。SIR測(cè)試在40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體里進(jìn)行。樣板的制備和ECM測(cè)試一樣，都是依據(jù)方法制備（如圖1）。***版本的測(cè)試要求規(guī)定每20分鐘要檢查一次樣板。在七天的測(cè)試中，不同模塊之間的表面絕緣電阻值衰減必須少于10Ohms，但是要排除**開(kāi)始24小時(shí)的穩(wěn)定時(shí)間。電壓是恒定不變的。這和ECM測(cè)試在很多方面不一樣。兩者的不同點(diǎn)是：持續(xù)時(shí)間、測(cè)試箱體條件和頻繁測(cè)量數(shù)據(jù)的目的。樣板同樣需要目測(cè)檢查枝晶生長(zhǎng)是否超過(guò)間距的20%和是否有任何腐蝕引起的變色問(wèn)題。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試速度 20mS/所有通道。海南多功能電阻測(cè)試以客為尊

過(guò)程控制方法的討論J-STD-001文件定義了焊接電氣和電子組件的要求。第8節(jié)討論了清洗過(guò)程的要求和電化學(xué)可靠性相關(guān)的測(cè)試。本節(jié)參考了幾種測(cè)試方法，這些方法可用于評(píng)估印刷電路板表面什么樣的離子含量可以降低電阻值。它還包括用戶和供應(yīng)商同意的方法選項(xiàng)。TM-650方法提供了三種過(guò)程控制方法，即利用溶劑萃取物的電阻率檢測(cè)和測(cè)量可電離表面污染物，通常稱為ROSE測(cè)試。溶劑萃取物的電阻率（ROSE）這種測(cè)試方法已經(jīng)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)幾十年了。然而，這一方法近年來(lái)在一些發(fā)表的論文中，受到了越來(lái)越多的研究。加強(qiáng)監(jiān)測(cè)的明顯原因是：在某些情況下，這種測(cè)試方法已被確定與SIR的結(jié)果相***。除了正在進(jìn)行的討論內(nèi)容之外，這種測(cè)試對(duì)于過(guò)程控制來(lái)說(shuō)可能是不切實(shí)際和費(fèi)力的。這增加了尋找新方法的動(dòng)力，這些新方法比整板萃取更快，操作規(guī)模更小。江蘇pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)解決方案SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：使用新色敷形涂料或工藝。

電子元器件失效分析項(xiàng)目1、元器件類失效電感、電阻、電容：開(kāi)裂、破裂、裂紋、參數(shù)變化2、器件/模塊失效二極管、三極管、LED燈3、集成電路失效DIP封裝芯片、PGA封裝芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封裝芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分層、阻焊膜脫落、發(fā)黑，遷移氧化，腐蝕，開(kāi)路，短路、CAF短時(shí)失效；板面變色，錫面變色，焊盤(pán)變色；孔間絕緣性能下降；深孔開(kāi)裂；爆板等PCBA（ENIG、化鎳沉金、電鍍鎳金、OSP、噴錫板）焊接不良；端子（引腳）上錫不良，表面異物、電遷移、元件脫落等5、DPA分析電阻器/電容器/熱敏電阻器/二極管等電子元器件可靠性驗(yàn)證服務(wù)

    類型1~2000V通道數(shù)16-256測(cè)試組數(shù)1-16組工作時(shí)間1-9999小時(shí)偏置電壓1-2000VDC（步進(jìn)）測(cè)試電壓1-2000VDC（步進(jìn)）電阻測(cè)量范圍1x104-1x1014Ω電阻測(cè)量精度1x104-1x1010Ω≤±2%1x1010-1x1011Ω≤±5%1x1011-1x1014Ω≤20%測(cè)試間隔時(shí)間1-600分鐘測(cè)試速度20mS/所有通道測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間1-600秒（可設(shè)置）高阻判定閥值1x106-109Ω短路保護(hù)電流閥值5–500uA保護(hù)電阻1MΩ測(cè)試電纜線材耐高溫特氟綸線（≧1014Ω，200℃）長(zhǎng)度標(biāo)配，office軟件、數(shù)據(jù)庫(kù)GWHR-256產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：1、精度高：優(yōu)于同業(yè)產(chǎn)品；2、測(cè)試速度快：20ms/所有通道；3、結(jié)構(gòu)、配置靈活：板卡設(shè)計(jì)，可選擇16路*N(1≥N≤16);4、測(cè)試配置靈活：每組板卡可設(shè)置不同的測(cè)試電壓，可同時(shí)完成多任務(wù)測(cè)試；5、容錯(cuò)機(jī)制強(qiáng)：任何一組板卡發(fā)生故障不影響其它通道的正常測(cè)試；6、接口友好：軟件可定制，或開(kāi)放數(shù)據(jù)接口，或接入實(shí)驗(yàn)室LIMS系統(tǒng)；7、操作方便：充分考慮實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用場(chǎng)景，方便工程師實(shí)施工作。 多通道導(dǎo)通電阻實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)，可監(jiān)測(cè)溫度范圍：-70℃-200℃，精度± 1℃。

在96個(gè)小時(shí)的靜置時(shí)間后，測(cè)試電壓和偏置電壓的極性必須是始終一致的。在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，建議每24到100個(gè)小時(shí)需要換用另外的電阻檢測(cè)器，確保測(cè)試電壓和偏置電壓的極性始終一致。在電阻測(cè)量過(guò)程中，為了保證測(cè)試的準(zhǔn)確性，如果觀察到周期性的電阻突降，也應(yīng)該被算作一次失效。因?yàn)殛?yáng)極導(dǎo)電絲是很細(xì)的，很容易被破壞掉。當(dāng)50%的部分已經(jīng)失效了，測(cè)試即可停止。當(dāng)CAF發(fā)生時(shí)，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會(huì)下降。當(dāng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)的阻值接近限流電阻的阻值時(shí)，顯得尤為明顯。所以在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，并不需要調(diào)整電壓。9、500個(gè)小時(shí)的偏置電壓后（一共596個(gè)小時(shí)），像之前一樣重新進(jìn)行絕緣電阻的測(cè)量。10、在500小時(shí)的偏壓加載后，可以進(jìn)行額外的T/H/B條件。然而，**少要進(jìn)行500小時(shí)加載偏置電壓的測(cè)試，來(lái)作為CAF測(cè)試的結(jié)果之一。SIR測(cè)試參考標(biāo)準(zhǔn)：JIS Z 3197 Test methods for soldering fluxes釬焊熔劑的試驗(yàn)方法。浙江離子遷移絕緣電阻測(cè)試以客為尊

SIR表面絕緣阻抗測(cè)試，可通過(guò)加速溫濕度的變化，測(cè)量測(cè)試在特定時(shí)間內(nèi)電流的變化。海南多功能電阻測(cè)試以客為尊

可靠性試驗(yàn)中，有一項(xiàng)，叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱HAST)，主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過(guò)外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi)，再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard)，進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn)，看似簡(jiǎn)單，但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中，卻發(fā)現(xiàn)客戶都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡(jiǎn)稱BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡(jiǎn)稱CSP）封裝比例越來(lái)越高，且錫球間距也越來(lái)越小，在執(zhí)行HAST時(shí)，非常容易有電化學(xué)遷移(簡(jiǎn)稱ECM）現(xiàn)象的產(chǎn)生，造成芯片于可靠性實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生電源短路異常。海南多功能電阻測(cè)試以客為尊

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