海南pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試操作

確認(rèn)適當(dāng)?shù)钠秒妷阂呀?jīng)被加載在樣品上進(jìn)行周期性測(cè)試。為了比較不同內(nèi)層材料和制程的耐CAF性能，使用100V直流偏壓的標(biāo)準(zhǔn)CAF測(cè)試條件。為了確認(rèn)測(cè)試結(jié)果與實(shí)際壽命之間的關(guān)系，第二個(gè)偏置電壓條件需要選擇給定的最高工作電壓的兩倍。當(dāng)一個(gè)較小的偏置電壓不能有效地區(qū)別更多不同的耐CAF材料和制程時(shí)，更高的偏置電壓由于會(huì)線性地影響失效時(shí)間，應(yīng)該被避免采用。這是因?yàn)檫^(guò)高的偏置電壓會(huì)抵消掉相對(duì)濕度的影響，而相對(duì)濕度由于局部加熱的原因是非常重要的失效機(jī)制部分。精度高：優(yōu)于同業(yè)產(chǎn)品。海南pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試操作

表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟?，被推?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽(yáng)極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長(zhǎng)。線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無(wú)論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問(wèn)題：如何比較好地描述一個(gè)組件的電化學(xué)遷移傾向。海南pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試操作PCB/PCBA絕緣失效分析導(dǎo)通電阻測(cè)試系統(tǒng)。

此外，失效電阻表面還存在少量的乙酸根離子(CH3COO-)，由于工藝生產(chǎn)中引入的有機(jī)弱酸減小了溶液的pH、提高了溶液的導(dǎo)電率，促進(jìn)了金屬陽(yáng)極的溶解過(guò)程，加大金屬陽(yáng)離子的濃度而提升枝晶的生長(zhǎng)速率，造成了電阻的短路失效。從表1離子色譜結(jié)果可以得出原工藝中生產(chǎn)使用的SnPb焊料存在較高的氯離子（Cl-），說(shuō)明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子，加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學(xué)遷移。參考國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)表面絕緣電阻手冊(cè)IPC-TM-6502.3.28.2[4]，“/”表示未檢出，其含量低于方法檢出限，方法檢出限為0.003mg/cm2。

銅鏡實(shí)驗(yàn)IPC-TM-650方法_2.3.32用來(lái)測(cè)試未加熱的助焊劑如何與銅反應(yīng)，也叫做助焊劑誘發(fā)腐蝕測(cè)試。本質(zhì)上講，就是滴一滴定量的助焊劑到涂敷了一層銅膜的玻璃片上，然后在特定環(huán)境中放置一段時(shí)間。這個(gè)環(huán)境接近室溫環(huán)境，相對(duì)濕度是50%。24小時(shí)后清理掉助焊劑，并在白色背景下觀察銅膜被腐蝕掉多少。腐蝕穿透銅膜的程度決定了助焊劑的活性等級(jí)，通常用L、M和H表示。銅板腐蝕實(shí)驗(yàn)IPC-TM-650方法2.6.15是用來(lái)測(cè)試極端條件下，助焊劑殘留物對(duì)銅的腐蝕性。助焊劑和焊料在銅板上加熱直到形成焊接。然后把銅板放置在一個(gè)溫度為40°C的潮濕環(huán)境，這樣可以加速助焊劑殘留物和銅可能發(fā)生的反應(yīng)。銅板需要在測(cè)試前和測(cè)試后仔細(xì)檢查其表面顏色的變化來(lái)確定是否有腐蝕的跡象。觀察結(jié)果通?？梢杂肔、M和H來(lái)表示腐蝕性的等級(jí)。測(cè)試電壓可在1.0-500V(2000V)之間以0.1V步進(jìn)任意可調(diào)。

何謂電化學(xué)遷移。金屬離子在電場(chǎng)的作用下，電路的陽(yáng)極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電信道產(chǎn)生電解腐蝕(Electrolytic Corrosion。樣式如樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，造成不同區(qū)域的金屬互相連接，進(jìn)而導(dǎo)致電路短路。ECM現(xiàn)象好發(fā)于電路板上。造成電化學(xué)遷移(ECM)比較大因素造成ECM形成的比較大因素為「電解質(zhì)層形成」，電解質(zhì)層的形成會(huì)產(chǎn)生自由離子進(jìn)而增加導(dǎo)電率。而會(huì)加速電解質(zhì)層形成的原因大多為濕度、溫度、汗水、環(huán)境中的污染物、助焊劑化學(xué)物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何預(yù)防電解質(zhì)層形成極為重要。相對(duì)的電極還原成本來(lái)的金屬并析出樹(shù)枝狀金屬的現(xiàn)象（類似錫須，容易造成短路），這種現(xiàn)象稱為離子遷移。廣西多功能電阻測(cè)試批量定制

SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：變更回流焊或波峰焊工藝。海南pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試操作

電化學(xué)遷移是PCB組件常見(jiàn)的失效模式。無(wú)論是在設(shè)計(jì)過(guò)程開(kāi)發(fā)階段，還是在生產(chǎn)過(guò)程、控制過(guò)程中，都需要充分的測(cè)試。在電子組裝行業(yè)，有許多可用的方法可以來(lái)評(píng)估組件表面的電化學(xué)遷移傾向。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試將繼續(xù)為SIR。這是因?yàn)樵摐y(cè)試**接近組件的正常使用壽命中導(dǎo)致電化學(xué)遷移的條件，而且它考慮了所有促進(jìn)電化學(xué)遷移機(jī)制的四個(gè)因素之間的相互作用。當(dāng)測(cè)試集中在一個(gè)或一些因素上時(shí)，例如測(cè)試離子含量，它們可能表明每個(gè)組件上離子種類的變化，但它們不能直接評(píng)估電化學(xué)遷移的傾向。在銅、電壓、濕度和離子含量之間的相互作用中存在著一些關(guān)鍵因素，電解會(huì)導(dǎo)致枝晶生長(zhǎng)，這將繼續(xù)推動(dòng)測(cè)試的最佳實(shí)踐朝著直接測(cè)試表面絕緣電阻的方向發(fā)展。**重要的是將SIR測(cè)試的條件盡可能地與操作條件相匹配。一旦裝配過(guò)程得到驗(yàn)證和認(rèn)可，局部萃取和離子色譜測(cè)試等工具和方法在維持離子含量水平以及在確定來(lái)料和工藝控制的變化方面都是有用的。海南pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試操作

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