湖南低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

降壓非隔離電源芯片220V轉(zhuǎn)5V，KP320X集成有完備的帶自恢復功能的保護功能：VDD欠壓保護(UVLO)、逐周期電流限制(OCP)、輸出過壓保護(OVP)、FB異常保護、過載保護(OLP)和過熱保護等(OTP)。主要特點?固定5V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓啟動電路?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?待機功耗低于100mW?良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護功能：?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(OVP)?FB異常保護?異常過流保護(AOCP)?過熱保護(OTP)?封裝類型SOP-8通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周 期的計數(shù)，當振蕩周期數(shù)超過200 次時芯片退出保 護模式并重新開始工作。湖南低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設計有異常過流檢測模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當CS電壓高于該閾值時，內(nèi)部功率MOSFET即刻關斷并保持關斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內(nèi)部集成的過熱保護電路會檢測芯片的芯片結(jié)溫，當芯片結(jié)溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進入到自動重啟模式。四川AC高壓降3.3V藍牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片型號我們提供可靠質(zhì)量的非隔離BUCK電源降壓芯片。

主要特點?固定12V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓啟動電路?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護功能：?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(OVP)?VDD過壓、欠壓和電壓箝位保護?封裝類型SOP-8/DIP-7典型應用?小家電電源?工業(yè)控制同時芯片采用了多模式 PWM 控制技術，有效簡化了外圍電路設計，提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下，實際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時甚至會振蕩到2 倍的 VIN 電壓，從而過壓擊穿芯片。此時，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。PWM控制電路、**的過零檢測電 路以及各種保護電路，用以實現(xiàn)臨界導通驅(qū)動控制。

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負載的降低會自動降低峰值電流基準以滿足**待機的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。當過流或短路情況發(fā)生時，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通，則芯片識別此情況為過流或短路故障已發(fā)生，并停止開關動作之后進入自動重啟模式(如下描述)。逐周期峰值電流限制和前沿消隱。湖北交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工

該系列產(chǎn)品支持離線式非隔 離降壓和升降壓型拓撲電路，適用于小家電電源和 線性電源替代等場所。湖南低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路，該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號。當芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容，導致Drain端電壓可能過高，芯片將一直無法進入充電窗口。針對該問題，芯片內(nèi)部設計了主動式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達到VDD_OVP以后關閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進行充電。此外，當各種保護（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時，主動式泄放電路也將打開，對VDD電容進行充電，同時對Drain端寄生電容進行放電，以此確保后續(xù)保護邏輯的順利展開和自恢復重啟的順利進行。湖南低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

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