中國香港AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片價格

來源: 發(fā)布時間:2024-09-13

非隔離降壓電源芯片的發(fā)展趨勢主要體現(xiàn)在以下幾個方面:高效率與節(jié)能:隨著環(huán)保意識的增強(qiáng),節(jié)能減排成為電子行業(yè)的重要發(fā)展方向。因此,提高非隔離降壓電源芯片的轉(zhuǎn)換效率,減少能源損失,成為技術(shù)研發(fā)的重點。小型化與集成化:在便攜式設(shè)備和穿戴式設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域,小型化和集成化是電源芯片的重要發(fā)展趨勢。非隔離降壓電源芯片也在不斷減小體積,集成更多的功能,以適應(yīng)這些設(shè)備的需求。高可靠性與穩(wěn)定性:非隔離降壓電源芯片需要具備高可靠性和穩(wěn)定性,以確保設(shè)備的正常運行和延長使用壽命。因此,提高芯片的抗干擾能力和溫度穩(wěn)定性,也是未來的重要研究方向。智能化控制:隨著物聯(lián)網(wǎng)和智能化技術(shù)的發(fā)展,非隔離降壓電源芯片需要具備智能化控制能力,能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)程控制和實時監(jiān)測等功能,以滿足智能化設(shè)備的需求。優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力。中國香港AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片價格

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PCB設(shè)計對芯片的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要,請遵循以下指南設(shè)計以獲得比較好的電路工作性能:1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應(yīng)該盡可能短和寬以減小回路壓降,提高轉(zhuǎn)換效率。3.SW節(jié)點的電壓波形為高頻方波,適當(dāng)減小SW節(jié)點的鋪銅可以改善EMI性能,另一方面適當(dāng)增大SW節(jié)點的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能,可根據(jù)實際情況適當(dāng)折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠(yuǎn)離噪聲源,比如SW節(jié)點和BST節(jié)點。5.輸出電壓VOUT的采樣點靠近輸出電容末端放置,且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設(shè)計中,推薦為GND引腳設(shè)置一個完整的GND層,并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔。浙江低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨為了降低系統(tǒng)損 耗,隨著負(fù)載的降低芯片會自動降低峰值電流 基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。

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互勤科技在電子芯片領(lǐng)域有著的表現(xiàn),其推出的18V低功耗DCDC降壓芯片更是具有諸多優(yōu)勢。這款芯片具有寬輸入電壓范圍,從4.5V到17V,能夠適應(yīng)多種不同的電源輸入環(huán)境,無論是一些小型的移動電源還是較為復(fù)雜的電子設(shè)備供電系統(tǒng),都能輕松應(yīng)對。其輸出電壓范圍在0.768V到7V之間,具有高度的靈活性,可以滿足各類電子元件對不同電壓的需求。它支持2A持續(xù)輸出電流,這一強(qiáng)大的電流輸出能力,使得它能夠為諸如一些高性能的微處理器、傳感器等設(shè)備提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)。在電感電流連續(xù)模式下,擁有600kHz的開關(guān)頻率,這一高頻特性有助于減小外部電感和電容的尺寸,從而實現(xiàn)更加緊湊的電路設(shè)計。

互勤科技于電子元器件領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力,銳意創(chuàng)新并實現(xiàn)重大突破,其精心打造的高性能、低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP3112展現(xiàn)出了的優(yōu)勢與鮮明的特點。KP3112乃是專門針對離線式小功率降壓型應(yīng)用場景而量身定制的一款高性能且兼具低成本的PWM控制功率開關(guān)。經(jīng)由互勤科技的潛心研發(fā)與精心優(yōu)化,其外圍電路極為簡潔,所需器件數(shù)量稀少,極大程度地降低了整體系統(tǒng)的復(fù)雜程度與成本投入。與此同時,產(chǎn)品內(nèi)部配置了高耐壓MOSFET,這一精妙設(shè)計增強(qiáng)了系統(tǒng)的浪涌耐受能力,使得設(shè)備在面對各類復(fù)雜多變的電氣環(huán)境時,依然能夠穩(wěn)健運行。集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能: VDD 欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、 過熱保護(hù)。

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當(dāng)過流或者過熱故障發(fā)生時,芯片進(jìn)入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通,同時VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計數(shù)器對振蕩周期的計數(shù),當(dāng)振蕩周期數(shù)超過511次時芯片退出保護(hù)模式并重新開始工作。如果故障解除,系統(tǒng)開始正常工作;否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定,推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài),即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計算公式如下:L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中:Vo:輸出電壓;Vf:續(xù)流二極管壓降;Toff_min:IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時間,約32us;ΔI:電感紋波電流,CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講,參考5V-100mA輸出規(guī)格,設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍,即120mA;芯片采用了多模式 PWM 控 制技術(shù),有效簡化了外圍電路設(shè)計。湖南AC高壓220V降24V非隔離BUCK電源芯片

精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能。中國香港AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片價格

在設(shè)計應(yīng)用非隔離降壓芯片時,需要注意以下幾個方面:輸入電壓范圍:非隔離降壓芯片通常有一個特定的輸入電壓范圍,超出這個范圍可能會導(dǎo)致芯片損壞或性能下降。因此,在設(shè)計時需要確保輸入電壓在芯片規(guī)定的范圍內(nèi)。輸出電壓和電流:根據(jù)應(yīng)用需求,選擇合適的輸出電壓和電流。同時,需要考慮負(fù)載變化對輸出電壓和電流的影響,以及芯片在不同負(fù)載下的效率和穩(wěn)定性。散熱設(shè)計:非隔離降壓芯片在工作時會產(chǎn)生一定的熱量,如果散熱不良可能會導(dǎo)致芯片過熱,影響性能和壽命。因此,在設(shè)計時需要充分考慮散熱問題,采取合適的散熱措施,如增加散熱片、優(yōu)化PCB布局等。安全保護(hù):在設(shè)計應(yīng)用非隔離降壓芯片時,需要考慮電路的安全保護(hù)問題。例如,過流保護(hù)、過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)等,以確保電路在異常情況下能夠安全地關(guān)閉或降低輸出。電磁兼容性:非隔離降壓芯片在工作時可能會產(chǎn)生電磁干擾,需要注意電磁兼容性問題??梢圆扇∫恍┐胧﹣頊p少電磁干擾,如增加濾波電路、優(yōu)化PCB布局等。布線和接地:在PCB布線時,需要注意信號線和電源線的分離,避免相互干擾。同時,接地也是非常重要的,需要確保接地良好,以減少噪聲和干擾。中國香港AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片價格