北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

EN 引腳有一個內(nèi)部上拉電流源，從而允許用戶保持EN 引腳懸空來使能芯片。另外根據(jù)實際應(yīng)用需要，EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內(nèi)部集成了一個5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護內(nèi)部電路受到過壓風(fēng)險。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時，串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流，防止損壞齊納二極管。芯片內(nèi)部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個斜坡信號產(chǎn)生電路，以減少開關(guān)抖動。。內(nèi)置開關(guān)頻率限制 （16kHz-125kHz），可以有效抑制音頻噪聲和降 低開關(guān)損耗。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

給藍牙模塊供電，220V降壓3.3V，輸出可調(diào)，電路簡單。芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP35062集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護等。主要特點?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓撲?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護功能：?過載保護(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(OVP)?過溫保護(OTP)?封裝類型SOP-8上海低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨；當工作 于空載附近時，系統(tǒng)將重新進入調(diào)頻模式以降低待 機損耗。

18V降壓DCDC芯片，低待機。KP52220XA 是一顆用于各種中壓輸入電壓軌(4.5V-17V) 應(yīng)用的2A 直流同步降壓轉(zhuǎn)換器，尤其適用于12V 的輸入電壓軌。該轉(zhuǎn)換器采用恒定導(dǎo)通時間(COT) 控制策略，實現(xiàn)了超快的瞬態(tài)響應(yīng)，同時無需外部環(huán)路補償，有助于節(jié)省輸出電容和減少解決方案的整體尺寸。另外KP52220XA 的內(nèi)部導(dǎo)通時間定時器與輸入電壓成反比，與輸出電壓成正比，實現(xiàn)了在不同的工作條件下固定的工作頻率。該產(chǎn)品還額外集成了輸出電壓誤差放大器，可以消除COT 控制策略形成的半個紋波的直流輸出電壓失調(diào)，從而達到更高的輸出電壓精度和負載調(diào)整率。在輕載條件下，KP522201A 工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM) 中，通過降低開關(guān)頻率來保持高輕載輸出效率；而KP522208A 工作在強制脈寬調(diào)制模式(FPWM) 中，通過保持開關(guān)頻率的恒定以保持低輸出電壓紋波。

固定5V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP320X內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計，提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。該芯片通過智能控制交流能 量輸入以減小系統(tǒng)損耗，提高系統(tǒng)效率，同時有效 降低系統(tǒng)待機。

BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設(shè)計有異常過流檢測模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當CS電壓高于該閾值時，內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內(nèi)部集成的過熱保護電路會檢測芯片的芯片結(jié)溫，當芯片結(jié)溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進入到自動重啟模式。在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電 感電流峰值將上升過于劇烈。中國臺灣大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

AC交流輸入，輸出12V/500mA電流的低成本BUCK降壓芯片。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

輸出電容選擇：對于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格，輸出電容根據(jù)實際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負載選擇：需在空載輸出電壓和待機損耗上折中：即過大的假負載可以壓制空載輸出上飄電壓，但系統(tǒng)待機損耗也隨之加大；而過小的假負載則反之。一般而言，芯片系統(tǒng)推薦假負載阻值范圍在1-2k范圍內(nèi)(隨輸出電壓調(diào)整)，假負載損耗控制在10-15mW左右即可。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

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