中國香港交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電藍(lán)牙非隔離BUCK電源芯片原廠

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-04-11

芯片內(nèi)部**小Toff時(shí)間固定為32us,同時(shí)為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實(shí)際工作中,系統(tǒng)開關(guān)頻率取決于負(fù)載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準(zhǔn)的高低,所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當(dāng)過流比較器翻轉(zhuǎn)時(shí)高壓MOSFET關(guān)斷直至下一個(gè)周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾,芯片內(nèi)設(shè)計(jì)有前沿消隱電路(典型值400ns),在此時(shí)間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關(guān)斷。提升線性調(diào)整 率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。中國香港交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電藍(lán)牙非隔離BUCK電源芯片原廠

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在輕載工作條件下自動進(jìn)入脈沖頻率調(diào)制模式(PFM),以保持輕載高效率。當(dāng)負(fù)載電流逐漸減小時(shí),電感電流紋波的波谷逐漸下降,直至電感電流波谷為0A,此時(shí)即為電感電流連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式的臨界——電感電流臨界導(dǎo)通模式。繼續(xù)降低負(fù)載電流,當(dāng)檢測到電感電流過零時(shí),將會關(guān)閉低側(cè)MOSFET (LSF),從而電感電流保持為零。在這種情況下,輸出電容只被負(fù)載電流放電,輸出電壓下降速度變慢,從而開關(guān)頻率將會降低。由于開關(guān)頻率的降低,輕載時(shí)的開關(guān)損耗也將降低,從而提高了系統(tǒng)的輕載效率。江蘇AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持逐周期峰值電流限制和前沿消隱。

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輸出電壓可調(diào),高壓交流220V非隔離BUCK電路芯片,非常適用于智能照明,智能家電控制產(chǎn)品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合,外圍電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,KP35064內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動MOSFET,系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù),有效簡化了外圍電路設(shè)計(jì),提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。

我們芯片采用高壓集成工藝,內(nèi)部集成有500V高壓MOSFET,適用于小家電和輔助電源應(yīng)用場合所需的離線式降壓電路和升降壓電路,也可用于線性電源的替代型電源。芯片采用開關(guān)式峰值電流模式控制,默認(rèn)5V高精度輸出時(shí)很大程度降低了系統(tǒng)成本。此外,芯片經(jīng)過內(nèi)部優(yōu)化,可兼容**壓輸入(15Vdc以上)應(yīng)用。IC芯片的靜態(tài)工作電流典型值為150uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求,同時(shí)也可以幫助系統(tǒng)降低成本。通常條件下建議使用0.1-1uF瓷片電容。該系列產(chǎn)品支持離線式非隔 離降壓和升降壓型拓?fù)潆娐?,適用于小家電電源和 線性電源替代等場所。

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集成了逐周期谷底限流保護(hù)(OCL) 功能。每當(dāng)內(nèi)部低側(cè)MOSFET 導(dǎo)通時(shí),芯片檢測電感電流,當(dāng)電感電流大于電流限流閾值(ILS(OC)) 時(shí),限流比較器翻轉(zhuǎn),芯片 進(jìn)入 OCL模式。此時(shí),芯片內(nèi)部高側(cè)MOSFET 保持關(guān)斷狀態(tài),直到電感電流下降小于電流限流閾值(ILS(OC)) 后才會再次開啟。如果芯片的負(fù)載電流超過電感電流(電感電流被OCL 鉗位),則輸出電容需要提供額外的電流,從而輸出電容放電,輸出電壓開始下降。當(dāng)輸出電壓低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) 時(shí),芯片將停止工作,進(jìn)入到UVP 打嗝模式,以避免溫升過高的情況出現(xiàn)。芯片靜態(tài)工作電流典型值為 200uA。如此 低的工作電流降低了對于 VDD 電容大小的要求, 同時(shí)也可以提高系統(tǒng)效率。江蘇AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持

集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能: VDD 欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、 過熱保護(hù)。中國香港交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電藍(lán)牙非隔離BUCK電源芯片原廠

當(dāng)過流或者過熱故障發(fā)生時(shí),芯片進(jìn)入到自動重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通,同時(shí)VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計(jì)數(shù)器對振蕩周期的計(jì)數(shù),當(dāng)振蕩周期數(shù)超過511次時(shí)芯片退出保護(hù)模式并重新開始工作。如果故障解除,系統(tǒng)開始正常工作;否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定,推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài),即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計(jì)算公式如下:L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中:Vo:輸出電壓;Vf:續(xù)流二極管壓降;Toff_min:IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時(shí)間,約32us;ΔI:電感紋波電流,CCM條件下為2*(Iocp-Io_max)。舉例來講,參考5V-100mA輸出規(guī)格,設(shè)定Io_max為額定輸出電流的1.2倍,即120mA;中國香港交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電藍(lán)牙非隔離BUCK電源芯片原廠

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