上海AC高壓降3.3V藍牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片原廠

KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導通時間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導通時間定時器實現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個周期的開始，每當反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時，芯片內(nèi)置高側(cè)MOSFET(HSF)被打開，并且持續(xù)開通固定的導通時間后關(guān)閉，此開通時間由導通時間定時器確定。該導通時間定時器由輸出電壓和輸入電壓共同決定，以使開關(guān)頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當導通時間定時器定時完畢后，HSF將會保持關(guān)閉至少200ns(**小關(guān)斷時間)。**小關(guān)斷時間后，如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓，則HSF將再次打開一個固定導通時間。精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能。上海AC高壓降3.3V藍牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片原廠

EN 引腳有一個內(nèi)部上拉電流源，從而允許用戶保持EN 引腳懸空來使能芯片。另外根據(jù)實際應用需要，EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內(nèi)部集成了一個5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護內(nèi)部電路受到過壓風險。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時，串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流，防止損壞齊納二極管。芯片內(nèi)部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個斜坡信號產(chǎn)生電路，以減少開關(guān)抖動。湖南低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持支持使用MLCC 陶瓷電容，且支持低輸出電容數(shù)量。

芯片BST 引腳和 SW 引腳間需要加入一顆陶瓷電容以穩(wěn)定支撐芯片內(nèi)部高側(cè)N-MOSFET 的驅(qū)動電源。此處推薦使用不低于10V 耐壓的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷電容(0603 封裝)。采用 COT 控制架構(gòu)可以實現(xiàn)超快的負載瞬態(tài)響應性能。在某些對負載瞬態(tài)響應要求更高的應用條件下，還可以通過在輸出反饋分壓電阻上添加前饋電阻RFF 和電容CFF 來進一步提升瞬態(tài)響應性能。考慮到噪聲耦合影響，推薦使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，實際RFF 和 CFF 為可選器件，推薦以實測負載瞬態(tài)響應和輸出調(diào)整率的結(jié)果優(yōu)化選取。

交流高壓AC220降壓12VDC電壓電源芯片，KP1505X高性能、低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP1505X內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計，提升線性調(diào)整率和負載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實際負載情況自動調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機功耗。KP1505X集成有完備的帶自恢復功能的保護功能：VDD欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護和VDD過壓保護等。集成有完備的帶自恢復功能的保護功能： VDD 欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、 過熱保護。

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下，實際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時甚至會振蕩到2 倍的 VIN 電壓，從而過壓擊穿芯片。此時，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。為了避免開通瞬間的 干擾， 芯片內(nèi)設(shè)計有前沿消隱電路（ 典型值 300ns）。四川低功耗40V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

芯片采用管腳復用技術(shù)，內(nèi)部差分采樣電路采樣 VDD 管腳與CS 管腳之間的壓差作為內(nèi)部過流比較 器的輸入。上海AC高壓降3.3V藍牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片原廠

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路，該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號。當芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容，導致Drain端電壓可能過高，芯片將一直無法進入充電窗口。針對該問題，芯片內(nèi)部設(shè)計了主動式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進行充電。此外，當各種保護（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時，主動式泄放電路也將打開，對VDD電容進行充電，同時對Drain端寄生電容進行放電，以此確保后續(xù)保護邏輯的順利展開和自恢復重啟的順利進行。上海AC高壓降3.3V藍牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片原廠

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