SiP具有以下優(yōu)勢：小型化 – 半導(dǎo)體制造的一個極具影響力的元素是不斷小型化的能力。這一事實(shí)在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和小工具的新時代變得越來越重要。但是，當(dāng)系統(tǒng)中只有幾個組件可以縮小時，維護(hù)起來變得越來越困難。SiP在這里大放異彩，因?yàn)樗梢蕴峁└玫男酒珊透o密的無源集成。通過這種方式，SiP方法可以將給定系統(tǒng)的整體尺寸減小多達(dá)65%。簡化 – SiP方法允許芯片設(shè)計(jì)人員使用更抽象的構(gòu)建模塊，從而具有更高的周轉(zhuǎn)率和整體更短的設(shè)計(jì)周期的優(yōu)勢。此外，BOM也得到了簡化，從而減少了對已經(jīng)經(jīng)過驗(yàn)證的模塊的測試。SiP系統(tǒng)級封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，為芯片和器件整合提供了新的可能性。江蘇MEMS...

系統(tǒng)級封裝（SiP）是將多個集成電路（IC）和無源元件捆綁到單個封裝中，在單個封裝下它們協(xié)同工作的方法。這與片上系統(tǒng)（SoC）形成鮮明對比，功能則集成到同一個芯片中。將基于各種工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，BiCMOS）的不同電路的硅芯片可以垂直或并排堆疊在襯底上。該封裝由內(nèi)部接線進(jìn)行連接，將所有芯片連接在一起形成一個功能系統(tǒng)。系統(tǒng)級封裝類似于片上系統(tǒng)(SOC)，但它的集成度較低，并且使用的不是單一半導(dǎo)體制造工藝。常見的SiP解決方案可以利用多種封裝技術(shù)，例如倒裝芯片、引線鍵合、晶圓級封裝等。封裝在系統(tǒng)中的集成電路和其他組件的數(shù)量可變，理論上是無限的，因此，工程師基本上可以將整個系統(tǒng)集成到單個...

PoP封裝技術(shù)有以下幾個有點(diǎn)：1）存儲器件和邏輯器件可以單獨(dú)地進(jìn)行測試或替換，保障了良品率；2）雙層POP封裝節(jié)省了基板面積, 更大的縱向空間允許更多層的封裝；3）可以沿PCB的縱向?qū)ram,DdramSram,Flash,和 微處理器進(jìn)行混合裝聯(lián)；4）對于不同廠家的芯片, 提供了設(shè)計(jì)靈活性,可以簡單地混合裝聯(lián)在一起以滿足客戶的需求，降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和成本；5）目前該技術(shù)可以取得在垂直方向進(jìn)行層芯片外部疊加裝聯(lián)；6）頂?shù)讓悠骷B層組裝的電器連接，實(shí)現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以應(yīng)對邏輯器件和存儲器件之間的高速互聯(lián)。SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路器件集成到一個封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)整...

汽車汽車電子是 SiP 的重要應(yīng)用場景。汽車電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。以發(fā)動機(jī)控制單元（ECU）舉例，ECU 由微處理器（CPU）、存儲器（ROM、RAM）、輸入/輸出接口（I/O）、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（A/D）以及整形、驅(qū)動等大規(guī)模集成電路組成。各類型的芯片之間工藝不同，目前較多采用 SiP 的方式將芯片整合在一起成為完整的控制系統(tǒng)。另外，汽車防抱死系統(tǒng)（ABS)、燃油噴射控制系統(tǒng)、安全氣囊電子系統(tǒng)、方向盤控制系統(tǒng)、輪胎低氣壓報(bào)警系統(tǒng)等各個單元，采用 SiP 的形式也在不斷增多。SIP發(fā)展趨勢，多樣化，復(fù)雜化，密集化。上海WLCSP封裝工藝SiP以后會是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)該是一個與...

SiP 與先進(jìn)封裝也有區(qū)別：SiP 的關(guān)注點(diǎn)在于系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實(shí)現(xiàn)，所以系統(tǒng)是其重點(diǎn)關(guān)注的對象，和 SiP 系統(tǒng)級封裝對應(yīng)的為單芯片封裝；先進(jìn)封裝的關(guān)注點(diǎn)在于：封裝技術(shù)和工藝的先進(jìn)性，所以先進(jìn)性的是其重點(diǎn)關(guān)注的對象，和先進(jìn)封裝對應(yīng)的是傳統(tǒng)封裝。SiP 封裝并無一定形態(tài)，就芯片的排列方式而言，SiP 可為多芯片模塊（Multi-chipModule；MCM）的平面式 2D 封裝，也可再利用 3D 封裝的結(jié)構(gòu)，以有效縮減封裝面積；而其內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純地打線接合（WireBonding)，亦可使用覆晶接合（FlipChip)，但也可二者混用。SiP系統(tǒng)級封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，...

近年來，半導(dǎo)體公司面臨更復(fù)雜的高集成度芯片封裝的挑戰(zhàn)，消費(fèi)者希望他們的電子產(chǎn)品體積更小，性能參數(shù)更高，功耗更低，并將更多功能集成到單部設(shè)備中。半導(dǎo)體封裝工藝的提升，對于解決這些挑戰(zhàn)具有重要意義。當(dāng)前和未來的芯片封裝工藝，對于提高系統(tǒng)性能，增加使用功能，降低系統(tǒng)功耗、縮小外形尺寸的要求，需要一種被稱為系統(tǒng)集成的先進(jìn)封裝方法。模塊劃分是指從電子設(shè)備中分離出一塊功能，既便于后續(xù)的整機(jī)集成又便于SiP封裝。SiP工藝技術(shù)難點(diǎn)：清洗，定制清洗設(shè)備、清洗溶液要求、清洗參數(shù)驗(yàn)證、清洗標(biāo)準(zhǔn)制定；植球，植球設(shè)備選擇、植球球徑大小、球體共面性檢查、BGA測試、助焊劑殘留要求等；基板，陶瓷基板的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證難度高，工...

應(yīng)用領(lǐng)域，SiP技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍，包括但不限于：智能手機(jī)和平板電腦：SiP技術(shù)使得這些設(shè)備能夠在有限的空間內(nèi)集成更多的功能，如高性能處理器、內(nèi)存和傳感器?？纱┐髟O(shè)備：支持可穿戴設(shè)備的小型化設(shè)計(jì)，同時集成必要的傳感器和處理能力。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備：為IoT設(shè)備提供了一種高效的方式來集成通信模塊、處理器和其他傳感器。汽車電子：隨著汽車逐漸變得“更智能”，SiP技術(shù)在汽車電子中的應(yīng)用也在增加，用于控制系統(tǒng)、導(dǎo)航和安全特性等。盡管SiP技術(shù)有許多優(yōu)勢，但也面臨一些挑戰(zhàn)：熱管理：多個功率密集型組件集成在一起可能導(dǎo)致熱量積聚。設(shè)計(jì)復(fù)雜性：設(shè)計(jì)一個SiP需要多學(xué)科的知識，包括電子、機(jī)械和熱學(xué)。測試和...

SiP主流的封裝結(jié)構(gòu)形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝...

系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)種類繁多，裸片與無源器件貼片，植球——將焊錫球置于基板焊盤上，用于電氣連接，回流焊接（反面）——通過控制加溫熔化焊料達(dá)到器件與基板間的，鍵合，塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及器件，減薄——通過研磨將多余的塑封材料去除，BGA植球——進(jìn)行成品的BGA（球柵陣列封裝）植球，切割——將整塊基板切割為多個SiP成品。通過測試后的芯片成品，將被集成在各類智能產(chǎn)品內(nèi)，較終應(yīng)用在智能生活的各個領(lǐng)域。SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動組件SMT及塑封技術(shù)。廣西系統(tǒng)級封裝測試什么是系統(tǒng)級封裝SIP？1、SIP介紹，SIP（System In Package，系...

SIP發(fā)展趨勢，多樣化，復(fù)雜化，密集化，SIP集成化越來越復(fù)雜，元件種類越來越多，球間距越來越小，開始采用銅柱代替錫球。多功能化，技術(shù)前沿化，低成本化，新技術(shù)，多功能應(yīng)用較前沿，工藝成熟，成板下降。工藝難點(diǎn)，清洗，定制清洗設(shè)備、清洗溶液要求、清洗參數(shù)驗(yàn)證、清洗標(biāo)準(zhǔn)制定，植球，植球設(shè)備選擇、植球球徑要求、球體共面性檢查、BGA測試、助焊劑殘留要求。SIP技術(shù)是一項(xiàng)先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SIP技術(shù)具有一系列獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，滿足了當(dāng)今電子產(chǎn)品更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，在微電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用市場和發(fā)展前景。。此外，國際上至今尚沒有制定出SIP技術(shù)的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，在一定程度妨...

至于較初對SiP的需求，我們只需要看微處理器。微處理器的開發(fā)和生產(chǎn)要求與模擬電路、電源管理設(shè)備或存儲設(shè)備的要求大不相同。這導(dǎo)致系統(tǒng)層面的集成度明顯提高。盡管SiP一詞相對較新，但在實(shí)踐中SiP長期以來一直是半導(dǎo)體行業(yè)的一部分。在1970年代，它以自由布線、多芯片模塊（MCM）和混合集成電路（HIC） 的形式出現(xiàn)。在 1990 年代，它被用作英特爾奔騰 Pro3 集成處理器和緩存的解決方案。如今，SiP已經(jīng)變成了一種解決方案，用于將多個芯片集成到單個封裝中，以減少空間和成本。汽車汽車電子是 SiP 的重要應(yīng)用場景。湖南IPM封裝哪家好SiP失效機(jī)理：失效機(jī)理是指引起電子產(chǎn)品失效的物理、化學(xué)過程。...

系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)種類繁多，裸片與無源器件貼片，植球——將焊錫球置于基板焊盤上，用于電氣連接，回流焊接（反面）——通過控制加溫熔化焊料達(dá)到器件與基板間的，鍵合，塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及器件，減薄——通過研磨將多余的塑封材料去除，BGA植球——進(jìn)行成品的BGA（球柵陣列封裝）植球，切割——將整塊基板切割為多個SiP成品。通過測試后的芯片成品，將被集成在各類智能產(chǎn)品內(nèi)，較終應(yīng)用在智能生活的各個領(lǐng)域。SiP技術(shù)是一項(xiàng)先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SiP技術(shù)具有一系列獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢。南通BGA封裝供應(yīng)商幾種類型的先進(jìn)封裝技術(shù)：首先就是 SiP，隨著...

晶圓級封裝（WLP）：1、定義，在晶圓原有狀態(tài)下重新布線，然后用樹脂密封，再植入錫球引腳，然后劃片將其切割成芯片，從而制造出真實(shí)芯片大小的封裝。注：重新布線是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布線層。2、優(yōu)勢，傳統(tǒng)封裝中，將芯片裝進(jìn)封裝中的時候，封裝的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技術(shù)的優(yōu)勢是能夠?qū)崿F(xiàn)幾乎與芯片尺寸一樣大小的封裝。不只芯片是批量化制造，而且封裝也是批量化制造，可以較大程度上降低成本。WLP技術(shù)使用倒裝焊技術(shù)（FCB），所以被稱為FBGA（Flip Chip類型的BGA），芯片被稱為晶圓級CSP（Chip Size Package）。工藝流程，晶圓級封裝工藝流程：① 再布線工程（形...

通信SiP 在無線通信領(lǐng)域的應(yīng)用較早，也是應(yīng)用較為普遍的領(lǐng)域。在無線通訊領(lǐng)域，對于功能傳輸效率、噪聲、體積、重量以及成本等多方面要求越來越高，迫使無線通訊向低成本、便攜式、多功能和高性能等方向發(fā)展。SiP 是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢，降低成本，縮短上市時間，同時克服了 SOC 中諸如工藝兼容、信號混合、噪聲干擾、電磁干擾等難度。手機(jī)中的射頻功放，集成了頻功放、功率控制及收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)等功能，完整地在 SiP 中得到了解決。SIP板身元件尺寸小，密度高，數(shù)量多，傳統(tǒng)貼片機(jī)配置難以滿足其貼片要求。河北系統(tǒng)級封裝方案失效分析三步驟 X射線檢測(3D X–ray)：透過...

SiP 可以將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，諸如 MEMS 或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。這么看來，SiP 和 SoC 極為相似，兩者的區(qū)別是什么？能較大限度地優(yōu)化系統(tǒng)性能、避免重復(fù)封裝、縮短開發(fā)周期、降低成本、提高集成度。對比 SoC，SiP 具有靈活度高、集成度高、設(shè)計(jì)周期短、開發(fā)成本低、容易進(jìn)入等特點(diǎn)。而 SoC 發(fā)展至今，除了面臨諸如技術(shù)瓶頸高、CMOS、DRAM、GaAs、SiGe 等不同制程整合不易、生產(chǎn)良率低等技術(shù)挑戰(zhàn)尚待克服外，現(xiàn)階段 SoC 生產(chǎn)成本高，以及其所需研發(fā)時間過長等因素，都造成 SoC ...