測量任意兩腳間的電阻，當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（Li...

二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于，穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會因過熱而損壞...

二極管的兩根引腳分別稱為陽極和陰極，由P型半導體一側(cè)引出的電極稱為陽極，由N型半導體一側(cè)引出的電極稱為陰極。在二極管符號中，三角形底邊一端為陽極，另一端為陰極。符號形象地表示了二極管電流流動的方向，即電流只能從陽極流向陰極，而不允許反方向流動。二極...

所述負載連接于所述第三電容c3的兩端。具體地，在本實施例中，所述負載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點。如圖4所示，所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)...

不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個pn結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏、源極間沒有導電溝道，器件無法導通。但如果VGS正向足夠大，此時柵極G和襯底p之間的絕緣層中會產(chǎn)生一個電場，方向從柵極指向襯底，電子在該電場的作用下聚集在柵氧下表面，形成...

將igbt模塊中雙極型三極管bjt的集電極和絕緣柵型場效應(yīng)管mos的漏電極斷開，并替代包含鏡像電流測試的電路中的取樣igbt，從而得到包含無柵極驅(qū)動的電流檢測的igbt芯片的等效測試電路，即圖5中的igbt芯片結(jié)構(gòu)，從而得到第二發(fā)射極單元201和第...

公共柵極單元100與第1發(fā)射極單元101和第二發(fā)射極單元201之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共集電極單元200；接地區(qū)域30則設(shè)置于第1發(fā)射極單元101內(nèi)的任意位置處；電流檢測區(qū)域20和接地區(qū)域30分別用...

[7]二極管雙向觸發(fā)二極管將萬用表置于相應(yīng)的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進行比較，兩者的*值之差越小，說明被測雙向觸發(fā)二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬...

供電質(zhì)量好，傳輸損耗小，效率高，節(jié)約能源，可靠性高，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴展功率也相對比較容易。所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設(shè)備的要求。、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓撲。單端正激式、單...

整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時容易反向擊穿）。這種器件的結(jié)面積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下...

導致VT1管進入飽和狀態(tài)，VT1可能會發(fā)燒，嚴重時會燒壞VT1。如果VD1出現(xiàn)擊穿故障，會導致VT1管基極直流偏置電壓下降，三極管VT1直流工作電流減小，VT1管放大能力減小或進入截止狀態(tài)。二極管控制電路及故障處理二極管導通之后，它的正向電阻大小隨...

大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正...

高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt大為1000A/us。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素...

快速熔斷器的功能介紹及一分鐘選型熔斷器其實就是一種短路保護器，主要進行短路保護或嚴重過載保護。用于配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，現(xiàn)在因為新能源的大力發(fā)展，熔斷器也大量用于新能源的光伏，風電和電動汽車等。熔斷器主要由熔體和安裝熔體的絕緣座一起組成。使用時，熔體...

處于正向?qū)顟B(tài)的肖特基二極管可以使得施加在C1點的交流信號通過肖特基二極管，并在C2的輸出出呈現(xiàn)出來。這就是二極管導通時的狀態(tài)，我們也可稱它為開關(guān)的“導通”狀態(tài)。這是一個簡單的電路，通過直流偏置的狀態(tài)來調(diào)節(jié)肖特基二極管的導通狀態(tài)。從而實現(xiàn)對交流信...

這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導熱性能較差的FR4(其導熱系數(shù)小于.℃)，因此它對整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時，這也驗證了為什么我們在采用整流橋殼體正表面溫度作為計算的殼溫時，對測溫熱電偶位置的放置不同，得到的結(jié)果其離散性很差這一...

金屬引線的一端設(shè)置在與管腳連接的導電部件上)，能實現(xiàn)電連接即可，不限于本實施例。需要說明的是，所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實現(xiàn)，不限于本實施例，任意可實現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可，在此不一一贅述。如圖1所示，在本實施例中，所述功...

所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A...

分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降...

b)整流橋自帶散熱器。1、整流橋不帶散熱器對于整流橋不帶散熱器而采用強迫風冷這種情況，其分析的過程同自然冷卻一樣，只不過在計算整流橋外殼向環(huán)境間散熱的熱阻和PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻時，對其換熱系數(shù)的選擇應(yīng)該按照強迫風冷情形來進行，其數(shù)值通常為20...

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向...

電容C2始終接入電路，此時振蕩頻率降低。4．同類電路工作原理分析如圖所示，電路中的VD1為開關(guān)二極管，控制電壓通過R1加到VD1正極，控制電壓是一個矩形脈沖電壓，波形見圖中所示。當控制電壓為0V時，VD1不能導通，相當于開路，這時對L1和C1、L2...

外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能...

整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強散熱性能。一、整流橋定義整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)了，分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的...

安裝在電路中，保證電路安全運行的電器元件。當電路發(fā)生故障或異常時，伴隨著電流不斷升高，并且升高的電流有可能損壞電路中的某些重要器件或珍貴器件，也有可能燒毀電路甚至造成火災。若電路中正確地安置了熔斷器，那么，熔斷器就會在電流異常升高到一定的高度和一定...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-...

熔斷器的分類：瓷插式RC螺旋式RL有填料式RT無填料密封式RM快速熔斷器RS自恢復熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護用。熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀...

以及測試電壓vs的影響而產(chǎn)生信號的失真，即避免了公共柵極單元100因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠睿瑥亩岣吡藱z測電流的精度。本發(fā)明實施例提供的igbt芯片，在igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且...

光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是利用一定波長的光照信號來代替電信號對器件進行觸發(fā)。光控晶閘管的伏安特性和普通晶閘管一樣，只是隨著光照信號變強其正向轉(zhuǎn)折電壓逐漸變低。[1]中文名光控晶閘管外文名LightTriggeredThyristor簡稱LTT別...

熔斷器是一種過電流保護器。熔斷器主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成。使用時，將熔斷器串聯(lián)于被保護電路中，當被保護電路的電流超過規(guī)定值，并經(jīng)過一定時間后，由熔體自身產(chǎn)生的熱量熔斷熔體，使電路斷開，從而起到保護的作用。以金屬導體作為熔體而分斷電路的...