一、肖特基二極管特性1、肖特基（Schottky）二極管的正向壓降比快恢復(fù)二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小，效率高。2、由于反向電荷恢復(fù)時間極短，所以適宜工作在高頻狀態(tài)下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場上常見的肖特基管高結(jié)溫分100℃、1...

對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為...

二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于，穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會因過熱而損壞...

高壓端口hv通過金屬引線連接所述高壓供電基島13，進而實現(xiàn)與所述高壓供電管腳hv的連接，接地端口gnd通過金屬引線連接所述信號地基島14，進而實現(xiàn)與所述信號地管腳gnd的連接。需要說明的是，所述邏輯電路122可根據(jù)設(shè)計需要設(shè)置在不同的基島上，與所述...

晶閘管集成智能模塊使用簡介1、晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過模塊的控制端口與多...

所以它在斷電時會產(chǎn)生電壓很大的反向電動勢，會擊穿繼電器的驅(qū)動三極管，為此要在繼電器驅(qū)動電路中設(shè)置二極管保護電路，以保護繼電器驅(qū)動管。如圖9-53所示是繼電器驅(qū)動電路中的二極管保護電路，電路中的J1是繼電器，VD1是驅(qū)動管VT1的保護二極管，R1和C...

本實用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝，節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本，并有助于系統(tǒng)小型化。綜上所述，本實用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，包括：塑封體，設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管...

整流橋模塊的作用是什么：整流橋模塊的功能，是將由交流配電單元提供的交流電，變換成48V或者24V直流電輸出到直流配電單元。采用諧振電壓型雙環(huán)控制的諧振開關(guān)電源技術(shù)，具有穩(wěn)壓精度高、動態(tài)響應(yīng)快的特點。整流模塊內(nèi)置MCU，全智能控制，可實現(xiàn)單機或多機并聯(lián)運行。模塊...

所選擇的熔斷器的額定電流不得小于電容器額定電流的。END半導(dǎo)體器件保護熔斷器選用額定電壓：快速熔斷器的額定電壓UN應(yīng)稍大于快速熔斷器熔斷后兩端出現(xiàn)的故障電路的外加交流電壓。若半導(dǎo)體設(shè)備的負荷是有源逆變器、逆變型制動的電動機等逆變型負載時，應(yīng)考慮半導(dǎo)...

具有門極輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、電流關(guān)斷能力強、開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小等優(yōu)點。隨著下游應(yīng)用發(fā)展越來越快，MOSFET的電流能力顯然已經(jīng)不能滿足市場需求。為了在保留MOSFET優(yōu)點的前提下降低器件的導(dǎo)通電阻，人們曾經(jīng)嘗試通過提高MOSFET襯底的摻雜...

西門康IGBT正是作為順應(yīng)這種要求而開發(fā)的，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFE...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點2應(yīng)用3注意事項4發(fā)展趨...

本實用新型屬于電磁閥技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構(gòu)。背景技術(shù)：大多數(shù)家用電器上使用的需要實現(xiàn)全波整流功能的進水電磁閥，普遍將整流橋堆設(shè)置在電腦板等外部設(shè)備上，占用了電腦板上有限的空間，造成制造成本偏高，且有一定的故障率，一旦整...

以及測試電壓vs的影響而產(chǎn)生信號的失真，即避免了公共柵極單元100因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠睿瑥亩岣吡藱z測電流的精度。本發(fā)明實施例提供的igbt芯片，在igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且...

可控硅模塊作為電路中非常重要的一個基礎(chǔ)元件，它也有好壞之分，其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運行質(zhì)量的好壞，所以，在選購可控硅模塊前學(xué)會如何判斷可控硅的好壞是非常重要的，選擇好的可控硅模塊，可以保證運行的質(zhì)量和性能。其實，判斷可控硅模塊是否完好也并不難，需要從四個...

大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“一”、“～”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端)，很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“～”極、“一”極與兩個“～”之間各整流二極管的正...

假設(shè)其PCB板的實際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍，則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故，通過整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過殼體表面自然對流冷卻進行散熱的熱阻()是通過引腳進行散熱這種散熱途徑的熱阻()的...

金屬引線的一端設(shè)置在與管腳連接的導(dǎo)電部件上)，能實現(xiàn)電連接即可，不限于本實施例。需要說明的是，所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實現(xiàn)，不限于本實施例，任意可實現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可，在此不一一贅述。如圖1所示，在本實施例中，所述功...

負極連接所述高壓續(xù)流二極管的負極；所述高壓續(xù)流二極管的正極通過基島或引線連接所述漏極管腳；所述邏輯電路的高壓端口連接所述高壓供電管腳。為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，一電容...

折疊摘要應(yīng)用整流橋到電路中，主要考慮它的大工作電流和大反向電壓。針對整流橋不同冷卻方式的選擇和對其散熱過程的詳細分析，來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義，并在此基礎(chǔ)上提出一種在技術(shù)上可行、使用上操作性強的測量整流橋殼溫的方...

目錄1整流橋模塊的原理2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點3整流橋模塊的優(yōu)點4整流橋模塊的分類展開1整流橋模塊的原理其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管...

可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也...

如上所述，本實用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，具有以下有益效果：本實用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開關(guān)管、邏輯電路通過一個引線框架封裝在同一個塑封體中，以此減小封裝成本。附圖說明圖1顯示為本實用新型的合封整流橋的封裝結(jié)...

本實用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝，節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本，并有助于系統(tǒng)小型化。綜上所述，本實用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，包括：塑封體，設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管...

電動機端電壓波形為正弦波，即全導(dǎo)通狀態(tài)；（圖示兩種狀態(tài)）當(dāng)可控硅導(dǎo)通角α1《180°時，電動機端電壓波形如圖實線所示，即非全導(dǎo)通狀態(tài)，有效值減??；α1越小，導(dǎo)通狀態(tài)越少，則電壓有效值越小，所產(chǎn)生的磁場越小，則電機的轉(zhuǎn)速越低。但這時電動機電壓和電流波...

1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導(dǎo)通所需的小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪...

同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著...

整流橋的作用就是能夠通過二極管的單向?qū)ǖ奶匦詫㈦娖皆诹泓c上下浮動的交流電轉(zhuǎn)換為單向的直流電，通常電源中采用的整流橋除了這種單顆集成式的還有采用四顆二極管實現(xiàn)的，它們的原理完全相同作用就是整流，把交流電變?yōu)橹绷麟?。實質(zhì)上就是把4個硅二極管接成橋式整...

所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口作為所述控制芯片12的高壓端口hv，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12設(shè)置于所述采樣基島18上，接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd，漏極端口d經(jīng)由所述...

整流橋模塊作為一種功率元器件，廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個工作周期內(nèi)，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向?qū)üδ?，把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動...