碳化硅下游應(yīng)用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機(jī)量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠(yuǎn)高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更...

碳化硅單晶材料按電學(xué)性能分導(dǎo)電型和半絕緣型，而導(dǎo)電型對應(yīng)同質(zhì)外延，半絕緣型對應(yīng)異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢壘二極管）、MOSFET（縮寫為MOS，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導(dǎo)電型SiC襯底上生長SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達(dá)、國?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-1...

PVT法通過感應(yīng)加熱碳化硅粉料，在密閉生長腔室內(nèi)高溫低壓下使其升華產(chǎn)生反應(yīng)氣體，通過固—?dú)夥磻?yīng)產(chǎn)生碳化硅單晶反應(yīng)源，在生長腔室頂部設(shè)置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區(qū)形成碳化硅氣態(tài)前驅(qū)物，帶入低溫區(qū)沉積形成碳化硅晶體。LPE法基于“溶解—析出”原理，通過碳在1400℃至1800℃高溫純硅溶液中的溶解和從過飽和溶液中析出碳化硅晶體來實(shí)現(xiàn)生長，需助熔劑提高碳溶解度?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，...

半導(dǎo)體材料作為一種在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽(yù)為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時間順序來看，半導(dǎo)體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導(dǎo)體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導(dǎo)體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導(dǎo)體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對高溫、高功率、gao壓、高頻等復(fù)雜場景的器件要求。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平...

碳化硅下游應(yīng)用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機(jī)量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠(yuǎn)高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平...

將碳化硅晶錠用X射線單晶定向儀定向，再用精密機(jī)械加工成標(biāo)準(zhǔn)尺寸和角度的碳化硅晶棒，并對所有晶棒進(jìn)行尺寸、角度等指標(biāo)檢測。在考慮后續(xù)加工余量后，用金剛石細(xì)線切割碳化硅晶棒至所需厚度，并通過全自動測試設(shè)備對面型進(jìn)行檢測。切片作為晶體加工的首要步驟，對后續(xù)加工和產(chǎn)能的影響較大。碳化硅的高硬度導(dǎo)致鋸線消耗大、加工時間長、廢料率高、產(chǎn)量有限、高成本等問題?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、202...

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度，而后者會降低熱循環(huán)能力。對于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用（例如混合動力汽車和電動汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?；澹ㄌ沾桑┖蛯?dǎo)體（銅）的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，會在熱循環(huán)期間對鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力，進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長，設(shè)計(jì)者找到了新方法來確保這些推動極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

先進(jìn)陶瓷又稱高性能陶瓷、精細(xì)陶瓷、高技術(shù)陶瓷等，是指采用高純度、超細(xì)人工合成或精選的無機(jī)化合物為原料，具有優(yōu)異的力學(xué)、聲、光、熱、電、生物等特性的陶瓷。先進(jìn)陶瓷在原料、工藝方面有別于傳統(tǒng)陶瓷，特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)使其具有g(shù)ao強(qiáng)、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、絕緣、超導(dǎo)、生物相容等一系列優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于國防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2...

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中，實(shí)現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓?fù)浞绞?，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶...

“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平...

PVT法通過感應(yīng)加熱碳化硅粉料，在密閉生長腔室內(nèi)高溫低壓下使其升華產(chǎn)生反應(yīng)氣體，通過固—?dú)夥磻?yīng)產(chǎn)生碳化硅單晶反應(yīng)源，在生長腔室頂部設(shè)置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區(qū)形成碳化硅氣態(tài)前驅(qū)物，帶入低溫區(qū)沉積形成碳化硅晶體。LPE法基于“溶解—析出”原理，通過碳在1400℃至1800℃高溫純硅溶液中的溶解和從過飽和溶液中析出碳化硅晶體來實(shí)現(xiàn)生長，需助熔劑提高碳溶解度。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，...

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度，而后者會降低熱循環(huán)能力。對于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用（例如混合動力汽車和電動汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇?；澹ㄌ沾桑┖蛯?dǎo)體（銅）的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，會在熱循環(huán)期間對鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力，進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長，設(shè)計(jì)者找到了新方法來確保這些推動極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶...

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中，實(shí)現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓?fù)浞绞?，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶...

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！“2025年中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會：粉末冶金及硬質(zhì)合金...

目前，陶瓷注射成型技術(shù)開始向精密化發(fā)展，研究與開發(fā)的重點(diǎn)由過去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴(kuò)展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類越來越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因?yàn)槠涑叽缧　⒕雀?、?nèi)孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國外公司生產(chǎn)的產(chǎn)品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關(guān)節(jié)、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據(jù)世界衛(wèi)...

碳化硅外延需經(jīng)過光刻、沉積、離子注入等前段工藝形成碳化硅晶圓，再經(jīng)過減薄、封裝等后段工藝分別形成碳化硅芯片、功率器件及功率模塊。在制程上，SiC芯片與硅基器件的工藝類似，但SiC制備需要特殊設(shè)備，如高溫離子注入機(jī)和高溫?zé)崽幚碓O(shè)備等。刻蝕、減薄等環(huán)節(jié)也需特殊設(shè)備?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展...

碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢，并通過車企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和20...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時間對陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際...

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢，具有極高的產(chǎn)業(yè)價值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)專jia稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，是國?家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)...

半導(dǎo)體材料作為一種在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽(yù)為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時間順序來看，半導(dǎo)體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導(dǎo)體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導(dǎo)體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導(dǎo)體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對高溫、高功率、gao壓、高頻等復(fù)雜場景的器件要求?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平...

目前，陶瓷注射成型技術(shù)開始向精密化發(fā)展，研究與開發(fā)的重點(diǎn)由過去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴(kuò)展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類越來越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因?yàn)槠涑叽缧　⒕雀?、?nèi)孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國外公司生產(chǎn)的產(chǎn)品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關(guān)節(jié)、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據(jù)世界衛(wèi)...

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！先進(jìn)制造業(yè)新發(fā)展格局“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”...

AlN有兩個非常重要的性能值得注意：一個是高的熱導(dǎo)率，一個是與Si相匹配的膨脹系數(shù)。缺點(diǎn)是即使在表面有非常薄的氧化層也會對熱導(dǎo)率產(chǎn)生影響，只有對材料和工藝進(jìn)行嚴(yán)格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產(chǎn)技術(shù)國內(nèi)像斯利通這樣能大規(guī)模生產(chǎn)的少之又少，相對于Al2O3，AlN價格相對偏高許多，這個也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過隨著經(jīng)濟(jì)的提升，技術(shù)的升級，這種瓶頸終會消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導(dǎo)地位而被大量運(yùn)用?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展...

將碳化硅晶錠用X射線單晶定向儀定向，再用精密機(jī)械加工成標(biāo)準(zhǔn)尺寸和角度的碳化硅晶棒，并對所有晶棒進(jìn)行尺寸、角度等指標(biāo)檢測。在考慮后續(xù)加工余量后，用金剛石細(xì)線切割碳化硅晶棒至所需厚度，并通過全自動測試設(shè)備對面型進(jìn)行檢測。切片作為晶體加工的首要步驟，對后續(xù)加工和產(chǎn)能的影響較大。碳化硅的高硬度導(dǎo)致鋸線消耗大、加工時間長、廢料率高、產(chǎn)量有限、高成本等問題?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、202...

“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應(yīng)用于各個領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時抗彎強(qiáng)度好；在2mol%時斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

碳化硅是通過鍵能很高的共價鍵結(jié)合的晶體。碳化硅是用石英沙(SiO2)加焦碳直接加熱至高溫還原而成，其燒結(jié)工藝主要有熱壓和反應(yīng)燒結(jié)兩種。由于碳化硅表面有一層薄氧化膜，因此很難燒結(jié)，需添加燒結(jié)助劑促進(jìn)燒結(jié)，常加的助劑有硼、碳、鋁等。碳化硅的特點(diǎn)是高溫強(qiáng)度高，有很好的耐磨損、耐腐蝕、抗蠕變性能，其熱傳導(dǎo)能力很強(qiáng)，僅次于氧化鈹陶瓷。碳化硅陶瓷常用于制造火箭噴嘴、澆注金屬的喉管、熱電偶套管、爐管、燃?xì)廨啓C(jī)葉片及軸承，泵的密封圈、拉絲成型模具等。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌150...

“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢，具有極高的產(chǎn)業(yè)價值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，是國家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機(jī)IACECHINA2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMICCHINA...

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵途徑。對于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,0...

碳化硅外延需經(jīng)過光刻、沉積、離子注入等前段工藝形成碳化硅晶圓，再經(jīng)過減薄、封裝等后段工藝分別形成碳化硅芯片、功率器件及功率模塊。在制程上，SiC芯片與硅基器件的工藝類似，但SiC制備需要特殊設(shè)備，如高溫離子注入機(jī)和高溫?zé)崽幚碓O(shè)備等。刻蝕、減薄等環(huán)節(jié)也需特殊設(shè)備?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展...