將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時(shí)間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間對(duì)陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時(shí)間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間對(duì)陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際...

碳化硅產(chǎn)業(yè)各鏈條都在互相交融、跨界。系統(tǒng)級(jí)廠商方面，比亞迪從整車(chē)制造跨到碳化硅產(chǎn)業(yè)前端的襯底環(huán)節(jié)，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應(yīng)鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用及國(guó)產(chǎn)替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統(tǒng)硅基器件的差價(jià)正在縮小。SiCSBD產(chǎn)品價(jià)格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價(jià)約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價(jià)格跌幅達(dá)30%-40%，有助于其提升市場(chǎng)滲透率。“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開(kāi)幕！五展...

外延生長(zhǎng)技術(shù)是碳化硅器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對(duì)器件性能影響很大，碳化硅襯底無(wú)法直接制作器件，優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進(jìn)微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯(cuò)、貫穿螺型位錯(cuò)（TSD）、貫穿刃型位錯(cuò)（TED）和基平面位錯(cuò)（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長(zhǎng)缺陷，同時(shí)精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對(duì)應(yīng)不同耐壓等級(jí)的器件規(guī)格。通常，1μm的外延層對(duì)應(yīng)100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時(shí)，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時(shí)，外延層厚度需在100μm以上?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50...

在電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優(yōu)勢(shì)，如功率轉(zhuǎn)換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機(jī)鐵損、束線輕量化和節(jié)省安裝空間等。雖然碳化硅器件價(jià)格較高，但其優(yōu)勢(shì)可降低整車(chē)系統(tǒng)成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車(chē)逆變器效率，越來(lái)越多的車(chē)廠如比亞迪、蔚來(lái)、小鵬、保時(shí)捷等正在轉(zhuǎn)向在電驅(qū)中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)、...

碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國(guó)外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì)，并通過(guò)車(chē)企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國(guó)產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和20...

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵途徑。對(duì)于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測(cè)算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測(cè)算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,0...

AlN有兩個(gè)非常重要的性能值得注意：一個(gè)是高的熱導(dǎo)率，一個(gè)是與Si相匹配的膨脹系數(shù)。缺點(diǎn)是即使在表面有非常薄的氧化層也會(huì)對(duì)熱導(dǎo)率產(chǎn)生影響，只有對(duì)材料和工藝進(jìn)行嚴(yán)格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產(chǎn)技術(shù)國(guó)內(nèi)像斯利通這樣能大規(guī)模生產(chǎn)的少之又少，相對(duì)于Al2O3，AlN價(jià)格相對(duì)偏高許多，這個(gè)也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過(guò)隨著經(jīng)濟(jì)的提升，技術(shù)的升級(jí)，這種瓶頸終會(huì)消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導(dǎo)地位而被大量運(yùn)用?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展...

碳化硅半導(dǎo)體屬于高度技術(shù)密集型行業(yè)，具有較高的技術(shù)、人才、資金、資源和認(rèn)證壁壘，高度依賴(lài)于技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭(zhēng)相投資，碳化硅產(chǎn)業(yè)成為熱門(mén)賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。同時(shí)，全球碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)集中度較高，市場(chǎng)份額主要被美國(guó)、歐洲、日本等國(guó)家和地區(qū)的企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)未來(lái)將面臨國(guó)際先進(jìn)企業(yè)和國(guó)內(nèi)新進(jìn)入者的雙重競(jìng)爭(zhēng)。若競(jìng)爭(zhēng)過(guò)早進(jìn)入白熱化，會(huì)對(duì)大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長(zhǎng)造成致命打擊?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)...

按化學(xué)成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復(fù)合瓷、金屬陶瓷和纖維增強(qiáng)陶瓷等?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、20...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買(mǎi)家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。本屆展會(huì)（2025年）展覽面積將超過(guò)5...

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)品以4英寸和6英寸為主，少數(shù)企業(yè)實(shí)現(xiàn)8英寸量產(chǎn)，與國(guó)際廠商仍有一定差距。我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)起步較晚，國(guó)內(nèi)廠商與國(guó)外企業(yè)在碳化硅襯底產(chǎn)品上存在差距。國(guó)內(nèi)以4英寸和6英寸為主，而國(guó)際廠商如Wolfspeed、意法半導(dǎo)體在2023年已能夠大批量穩(wěn)定供應(yīng)8英寸襯底。國(guó)內(nèi)碳化硅襯底企業(yè)天岳先進(jìn)2024年5月披露，公司8英寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量交貨，將推動(dòng)頭部客戶(hù)向8英寸轉(zhuǎn)型，但8英寸產(chǎn)品品質(zhì)和良率與國(guó)際廠商還有一定差距?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、202...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢(shì)，具有極高的產(chǎn)業(yè)價(jià)值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)稱(chēng)為“黃金投資賽道”。我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，是國(guó)家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過(guò)對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價(jià)值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢(shì)以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACECHINA2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA...

碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長(zhǎng)條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類(lèi)型，重復(fù)性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時(shí)間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于202...

我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)雖起步較晚，但近年來(lái)，在國(guó)家政策推動(dòng)和地方積極產(chǎn)業(yè)布局下，我國(guó)逐步形成了覆蓋襯底、外延、器件等環(huán)節(jié)的完整的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，并形成了以京津冀、長(zhǎng)三角、珠三角等區(qū)域的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。其中，京津冀區(qū)域集中了清華大學(xué)、北京大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所等相關(guān)科研院所，并擁有天科合達(dá)、同光晶體、泰科天潤(rùn)、世紀(jì)金光等第三代半導(dǎo)體企業(yè)，初步形成較為完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈；長(zhǎng)三角區(qū)域目前形成了以蘇州為中心的氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈集群和以上海為中心的碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)集群；珠三角區(qū)域作為國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)資源集中地區(qū)，成立了多個(gè)研究基地，擁有包括東莞天域、東莞中鎵、亞迪半導(dǎo)體等在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)?！暗?..

氧化鋁陶瓷以Al2O3為主要成分,含有少量SiO2的陶瓷，又稱(chēng)高鋁陶瓷。根據(jù)Al2O3含量不同分為75瓷(含75%Al2O3，又稱(chēng)剛玉-莫來(lái)石瓷)、95瓷和99瓷，后兩者又稱(chēng)剛玉瓷。氧化鋁陶瓷耐高溫性能好，可使用到1950℃。具有良好的電絕緣性能及耐磨性。微晶剛玉的硬度極高(僅次于金剛石)。氧化鋁陶瓷被用作耐火材料，如耐火磚、坩堝、熱偶套管，淬火鋼的切削刀具、金屬拔絲模，內(nèi)燃機(jī)的火花塞，火箭、導(dǎo)彈的導(dǎo)流罩及軸承等?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線圈...

碳化硅單晶材料按電學(xué)性能分導(dǎo)電型和半絕緣型，而導(dǎo)電型對(duì)應(yīng)同質(zhì)外延，半絕緣型對(duì)應(yīng)異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、MOSFET（縮寫(xiě)為MOS，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導(dǎo)電型SiC襯底上生長(zhǎng)SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類(lèi)功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達(dá)、國(guó)?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長(zhǎng)GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-1...

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過(guò)調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率低于10%，是我國(guó)碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國(guó)際主流廠商包括美國(guó)亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購(gòu)?fù)呃锇玻?，日本?ài)發(fā)科及日清公司，國(guó)內(nèi)廠商主要有中國(guó)電科48所（爍科中科信），中車(chē)思銳（收購(gòu)IBS）和凱世通也在介入。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上...

碳化硅下游應(yīng)用場(chǎng)景眾多，包括新能源車(chē)、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會(huì)影響碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模體量，比如新能源車(chē)的產(chǎn)銷(xiāo)量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機(jī)量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價(jià)格有所下降，但碳化硅功率器件價(jià)格仍遠(yuǎn)高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價(jià)格與性能優(yōu)勢(shì)帶來(lái)的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對(duì)上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更...

陶瓷注射成型技術(shù)作為一種新興的精密制造技術(shù)，有著其不可比擬的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。成為國(guó)內(nèi)外精密陶瓷零部件中具有優(yōu)勢(shì)的先進(jìn)制備技術(shù)?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形...

碳化硅下游應(yīng)用場(chǎng)景眾多，包括新能源車(chē)、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會(huì)影響碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模體量，比如新能源車(chē)的產(chǎn)銷(xiāo)量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機(jī)量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價(jià)格有所下降，但碳化硅功率器件價(jià)格仍遠(yuǎn)高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價(jià)格與性能優(yōu)勢(shì)帶來(lái)的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對(duì)上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更...

碳化硅單晶材料按電學(xué)性能分導(dǎo)電型和半絕緣型，而導(dǎo)電型對(duì)應(yīng)同質(zhì)外延，半絕緣型對(duì)應(yīng)異質(zhì)外延。同質(zhì)外延制成SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、MOSFET（縮寫(xiě)為MOS，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率器件，適用于電子電力領(lǐng)域如新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、光伏發(fā)電等；在導(dǎo)電型SiC襯底上生長(zhǎng)SiC外延層可制得SiC外延片，用于各類(lèi)功率器件。異質(zhì)外延制成HEMT（高電子遷徙率晶體管）等微波射頻器件，適用于高頻、高溫環(huán)境如5G通訊、雷達(dá)、國(guó)?防jun工等領(lǐng)域；在半絕緣型SiC襯底上生長(zhǎng)GaN外延層可制得SiC基GaN外延片用于GaN射頻器件?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-1...

PVT法通過(guò)感應(yīng)加熱碳化硅粉料，在密閉生長(zhǎng)腔室內(nèi)高溫低壓下使其升華產(chǎn)生反應(yīng)氣體，通過(guò)固—?dú)夥磻?yīng)產(chǎn)生碳化硅單晶反應(yīng)源，在生長(zhǎng)腔室頂部設(shè)置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長(zhǎng)為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區(qū)形成碳化硅氣態(tài)前驅(qū)物，帶入低溫區(qū)沉積形成碳化硅晶體。LPE法基于“溶解—析出”原理，通過(guò)碳在1400℃至1800℃高溫純硅溶液中的溶解和從過(guò)飽和溶液中析出碳化硅晶體來(lái)實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)，需助熔劑提高碳溶解度?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，...

半導(dǎo)體材料作為一種在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽(yù)為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間順序來(lái)看，半導(dǎo)體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導(dǎo)體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導(dǎo)體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導(dǎo)體具有高禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對(duì)高溫、高功率、gao壓、高頻等復(fù)雜場(chǎng)景的器件要求?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平...

碳化硅下游應(yīng)用場(chǎng)景眾多，包括新能源車(chē)、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會(huì)影響碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模體量，比如新能源車(chē)的產(chǎn)銷(xiāo)量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機(jī)量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價(jià)格有所下降，但碳化硅功率器件價(jià)格仍遠(yuǎn)高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價(jià)格與性能優(yōu)勢(shì)帶來(lái)的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對(duì)上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平...

將碳化硅晶錠用X射線單晶定向儀定向，再用精密機(jī)械加工成標(biāo)準(zhǔn)尺寸和角度的碳化硅晶棒，并對(duì)所有晶棒進(jìn)行尺寸、角度等指標(biāo)檢測(cè)。在考慮后續(xù)加工余量后，用金剛石細(xì)線切割碳化硅晶棒至所需厚度，并通過(guò)全自動(dòng)測(cè)試設(shè)備對(duì)面型進(jìn)行檢測(cè)。切片作為晶體加工的首要步驟，對(duì)后續(xù)加工和產(chǎn)能的影響較大。碳化硅的高硬度導(dǎo)致鋸線消耗大、加工時(shí)間長(zhǎng)、廢料率高、產(chǎn)量有限、高成本等問(wèn)題?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、202...

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過(guò)了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度，而后者會(huì)降低熱循環(huán)能力。對(duì)于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用（例如混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇。基板（陶瓷）和導(dǎo)體（銅）的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，會(huì)在熱循環(huán)期間對(duì)鍵合區(qū)產(chǎn)生壓力，進(jìn)而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應(yīng)用的增長(zhǎng)，設(shè)計(jì)者找到了新方法來(lái)確保這些推動(dòng)極具挑戰(zhàn)性的新技術(shù)發(fā)展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時(shí)間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間對(duì)陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際...

先進(jìn)陶瓷又稱(chēng)高性能陶瓷、精細(xì)陶瓷、高技術(shù)陶瓷等，是指采用高純度、超細(xì)人工合成或精選的無(wú)機(jī)化合物為原料，具有優(yōu)異的力學(xué)、聲、光、熱、電、生物等特性的陶瓷。先進(jìn)陶瓷在原料、工藝方面有別于傳統(tǒng)陶瓷，特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)使其具有g(shù)ao強(qiáng)、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、絕緣、超導(dǎo)、生物相容等一系列優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于國(guó)防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA)、2...

在需要高功率的場(chǎng)景中，常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中，實(shí)現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類(lèi)型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓?fù)浞绞?，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類(lèi)型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶...