芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP35064集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)和VDD過壓保護(hù)等。主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動(dòng)電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(hù)(OVP)?過溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOP-8良好的線性調(diào)...

KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個(gè)周期的開始，每當(dāng)反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時(shí)，芯片內(nèi)置高側(cè)MOSFET(HSF)被打開，并且持續(xù)開通固定的導(dǎo)通時(shí)間后關(guān)閉，此開通時(shí)間由導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器確定。該導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器由輸出電壓和輸入電壓共同決定，以使開關(guān)頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器定時(shí)完畢后，HSF將會(huì)保持關(guān)閉至少200ns(**小關(guān)斷時(shí)間)。**小關(guān)斷時(shí)間后，如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓，則HSF將再次打開一個(gè)固定導(dǎo)通時(shí)間。精確的使能...

當(dāng)過流或者過熱故障發(fā)生時(shí)，芯片進(jìn)入到自動(dòng)重啟和VDD振蕩模式中。在此過程中高壓MOSFET不允許導(dǎo)通，同時(shí)VDD電容上電壓持續(xù)在4.87V和4.38V之間振蕩。通過芯片內(nèi)部數(shù)字計(jì)數(shù)器對振蕩周期的計(jì)數(shù)，當(dāng)振蕩周期數(shù)超過511次時(shí)芯片退出保護(hù)模式并重新開始工作。如果故障解除，系統(tǒng)開始正常工作；否則系統(tǒng)再次進(jìn)入振蕩模式。為確保系統(tǒng)工作穩(wěn)定，推薦KP311A系統(tǒng)工作于淺度CCM狀態(tài)，即電感電流紋波ΔI接近于OCP峰值電流(210mA)。具體感量計(jì)算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：輸出電壓；Vf：續(xù)流二極管壓降；Toff_min：IC設(shè)定內(nèi)部**小Toff時(shí)間，約32us...

40V降壓DCDC低功耗電源芯片，主要特點(diǎn)?用于條件嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用?輸入電壓范圍：6V~40V?1A持續(xù)輸出電流?100%比較大占空比可實(shí)現(xiàn)**壓降?支持預(yù)偏置輸出軟啟動(dòng)?輸出過壓/欠壓保護(hù)?輸入過壓保護(hù)/欠壓鎖定?過溫保護(hù)?±1%輸出電壓精度?方案小巧且易于使用?集成270mΩP型高側(cè)MOSFET?集成135mΩN型低側(cè)MOSFET?內(nèi)置補(bǔ)償電路?內(nèi)置軟啟動(dòng)電路?固定5V輸出(KP521405,KP521405A)?固定3.3V輸出(KP521403,KP521403A)?為家電應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)?可實(shí)現(xiàn)單層PCB布局?低開關(guān)速率減輕EMI問題典型應(yīng)用?白電，小家電?電動(dòng)工具?智能照明?通用寬輸入...

輸出電容選擇：對于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格，輸出電容根據(jù)實(shí)際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負(fù)載選擇：需在空載輸出電壓和待機(jī)損耗上折中：即過大的假負(fù)載可以壓制空載輸出上飄電壓，但系統(tǒng)待機(jī)損耗也隨之加大；而過小的假負(fù)載則反之。一般而言，芯片系統(tǒng)推薦假負(fù)載阻值范圍在1-2k范圍內(nèi)(隨輸出電壓調(diào)整)，假負(fù)載損耗控制在10-15mW左右即可。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過程?？山o藍(lán)牙芯片提供穩(wěn)定客戶的電壓。四川低功耗30V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片庫存220V轉(zhuǎn)5V電源芯片高壓BU...

18V低功耗DCDC降壓芯片，主要特點(diǎn)?寬輸入電壓范圍：4.5Vto17V?輸出電壓范圍：0.768Vto7V?支持2A持續(xù)輸出電流?電感電流連續(xù)模式下600kHz的開關(guān)頻率?內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的MOSFET開關(guān)管?低靜態(tài)工作電流：190μA(無開關(guān)動(dòng)作，典型值)?低關(guān)斷電流：2.5μA(典型值)?采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制實(shí)現(xiàn)超快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)?兩種輕載工作模式：?KP522201A：脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)?KP522208A：強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)?高參考電壓精度：0.768V±1.5%@25℃?集成完善的保護(hù)功能：?精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能?內(nèi)部1ms軟啟動(dòng)時(shí)間，避免過沖電壓和...

在輕載工作條件下自動(dòng)進(jìn)入脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)，以保持輕載高效率。當(dāng)負(fù)載電流逐漸減小時(shí)，電感電流紋波的波谷逐漸下降，直至電感電流波谷為0A，此時(shí)即為電感電流連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式的臨界——電感電流臨界導(dǎo)通模式。繼續(xù)降低負(fù)載電流，當(dāng)檢測到電感電流過零時(shí)，將會(huì)關(guān)閉低側(cè)MOSFET (LSF)，從而電感電流保持為零。在這種情況下，輸出電容只被負(fù)載電流放電，輸出電壓下降速度變慢，從而開關(guān)頻率將會(huì)降低。由于開關(guān)頻率的降低，輕載時(shí)的開關(guān)損耗也將降低，從而提高了系統(tǒng)的輕載效率。當(dāng) CS 電壓高于該閾值時(shí)，內(nèi)部功率MOSFET 即刻關(guān) 斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)3 個(gè)PWM 周期.。安徽大功率外置MOS非...

40V低功耗降壓DCDC電源芯片，40V,1A易用高性能同步降壓轉(zhuǎn)換器KP52140X(A)是一款簡單易用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)1A的負(fù)載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍，因此適用于工業(yè)領(lǐng)域中非穩(wěn)壓電源的電源調(diào)節(jié)。KP52140X(A)內(nèi)部集成低導(dǎo)通電阻的P型高側(cè)MOSFET和N型低側(cè)MOSFET，省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了軟啟動(dòng)和補(bǔ)償電路減少了**元器件的數(shù)量，固定5V或3.3V的輸出方式可進(jìn)一步減少**元器件數(shù)量，從而輕松實(shí)現(xiàn)單層PCB布局。KP52140X(A)典型開關(guān)頻率為100kHz，采用低開關(guān)速率設(shè)計(jì)適用于有EMI要求的應(yīng)用場合。KP521...

220V降壓非隔離固定12V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP322X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP322X內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP322X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：...

芯片引腳內(nèi)部有一個(gè)上拉電流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引腳外部懸空時(shí)處于使能狀態(tài)。同時(shí)，上拉電流源同樣也可被用于設(shè)置外部VIN UVLO 功能的電壓閾值和遲滯。引腳EN 引腳電壓 VEN 由 VIN 分壓得到，當(dāng)VEN 隨著 VIN 上升而大于VEN(R) 時(shí)，額外的一個(gè)上拉遲滯電流源(IEN(H)) 會(huì)被打開從而改變VEN 的電壓比，實(shí)現(xiàn)上升和下降閾值分別自定義配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以計(jì)算得到指定VIN UVLO 閾值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 為自定義配置的輸入啟動(dòng)電壓和關(guān)閉電壓值。內(nèi)部...

如果輸出電容在芯片啟動(dòng)時(shí)已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài)，芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動(dòng)開關(guān)，VOUT 開始上升。該預(yù)偏置軟啟動(dòng)方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(hù)(UVP) 功能，通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%)，欠壓比較器的輸出將會(huì)置高，以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關(guān)管，阻止芯片繼續(xù)開關(guān)工作。在穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，芯片通過反饋二極管由輸 出進(jìn)行供電，同時(shí)借助高壓啟動(dòng)電路，系統(tǒng)待機(jī)功 耗可以低至 50mW 以下。山東交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電...