引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導(dǎo)體中，這是因?yàn)槠涑杀拘矢咔乙子趹?yīng)用。在ZUI佳環(huán)境中，每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金，但由于銅的相對成...

業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的...

二、EVG501晶圓鍵合機(jī)特征：帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨(dú)特的壓力和溫度均勻性與EVG的機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器兼容靈活的設(shè)計(jì)和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）可選渦輪泵（<1E-5mbar）可升級陽極鍵合開放式腔室設(shè)計(jì)，...

EVG?6200BA自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動化鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)...

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準(zhǔn)問題，實(shí)際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等...

輪廓儀是一種兩坐標(biāo)測量儀器，儀器傳感器相對被測工件表而作勻速滑行，傳感器的觸針感受到被測表而的幾何變化，在X和Z方向分別采樣，并轉(zhuǎn)換成電信號，該電信號經(jīng)放大和處理，再轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號儲存在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲器中，計(jì)算機(jī)對原始表而輪廓進(jìn)行數(shù)字濾波，分離掉...

參考材料備用BK7和二氧化硅參考材料。BG-Microscope顯微鏡系統(tǒng)內(nèi)取背景反射的小型抗反光鏡BG-F10-RT平臺系統(tǒng)內(nèi)獲取背景反射的抗反光鏡REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率鋁基準(zhǔn)REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率...

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背...

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表...

電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – ZUI簡單的材料之一, 主要是因?yàn)樗诖蟛糠止庾V上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計(jì)量 (就是說，硅...

測量眼科設(shè)備涂層厚度光譜反射率可用于測量眼鏡片減反射(AR)光譜和殘余顏色，以及硬涂層和疏水層的厚度。減反涂層減反涂層用來減少眩光以及無涂層鏡片導(dǎo)致的眼睛疲勞。減反鏡片的藍(lán)綠色彩也吸引了眾多消費(fèi)者。因此，測量和控制減反涂層及其色彩就變得越來越重要了。Filme...

測量眼科設(shè)備涂層厚度光譜反射率可用于測量眼鏡片減反射(AR)光譜和殘余顏色，以及硬涂層和疏水層的厚度。測量范例：F10-AR系統(tǒng)配備HC升級選擇通過反射率信息進(jìn)行硬涂層厚度測量。這款儀器儀器采用接觸探頭，從而降低背面反射影響，并可測凹凸表面。接觸探頭安置在...

厚度測量產(chǎn)品：我們的膜厚測量產(chǎn)品可適用于各種應(yīng)用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網(wǎng)頁產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應(yīng)用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協(xié)助。單點(diǎn)厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層...

NanoX-80003D輪廓測量主要技術(shù)參數(shù)3D測量主要技術(shù)指標(biāo)（1）：測量模式：PSI+VSI+CSIZ軸測量范圍：大行程PZT掃描（300um標(biāo)配/500um選配）10mm精密電機(jī)拓展掃描CCD相機(jī)：1920x1200高速相機(jī)（標(biāo)配）干涉物鏡：2.5X,5...

樣品視頻包括硬件和照相機(jī)的F20系統(tǒng)視頻。視頻實(shí)時顯示精確測量點(diǎn)。 不包括SS-3平臺。SampleCam-sXsX探頭攝像機(jī)包含改裝的sX探頭光學(xué)配件，但不包含平臺。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺，具有SS-3鏡頭與3...

F30包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置光斑尺寸10微米的單點(diǎn)測量平臺FILMeasure8反射率測量軟件Si參考材料FILMeasure度力軟件(用于遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)分析)額外的好處：每臺系統(tǒng)內(nèi)建超過130種材料庫,隨著不同應(yīng)用更超過數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周...

FSM413紅外干涉測量設(shè)備關(guān)鍵詞：厚度測量，光學(xué)測厚，非接觸式厚度測量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光測厚，近紅外光測厚，TSV,CD,Trench，砷化鎵厚度，磷化銦厚度，玻璃厚度測量，石英厚度，聚合物厚度,背磨厚度，上下兩個測試頭。Michaelson干...

接觸探頭測量彎曲和難測的表面CP-1-1.3測量平面或球形樣品，結(jié)實(shí)耐用的不銹鋼單線圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射，對1.5mm厚的基板可抑制96%。鋼制單線圈外加PVC涂層，蕞大可測厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直徑17.5...

F50系列自動化薄膜測繪FilmetricsF50系列的產(chǎn)品能以每秒測繪兩個點(diǎn)的速度快速的測繪薄膜厚度。一個電動R-Theta平臺可接受標(biāo)準(zhǔn)和客制化夾盤，樣品直徑可達(dá)450毫米。(耐用的平臺在我們的量產(chǎn)系統(tǒng)能夠執(zhí)行數(shù)百萬次的量測!)測繪圖案可以是極座標(biāo)、矩...

EVG也提供量產(chǎn)型掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)。對于在微米范圍內(nèi)的光刻圖形，掩模對準(zhǔn)器是ZUI具成本效益的技術(shù)，與其他解決方案相比，每層可節(jié)省30％以上的成本，這對用戶來說是至關(guān)重要的。EVG的大批量制造系統(tǒng)旨在以ZUI佳的成本效率與ZUI高的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)相結(jié)合，并由卓YUE的全...

EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一基活并結(jié)...

鍵合機(jī)特征 高真空，對準(zhǔn)，共價鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對面對準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 ...

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞...

EVG?501鍵合機(jī)特征：獨(dú)特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器；靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級用于陽極鍵合；開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)...

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層，但不同之處在于，它依...

臨時鍵合系統(tǒng)：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片...

用晶圓級封裝制造的組件被guangfan用于手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中。這主要是由于市場對更小，更輕的電子設(shè)備的需求，這些電子設(shè)備可以以越來越復(fù)雜的方式使用。例如，除了簡單的通話外，許多手機(jī)還具有多種功能，例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應(yīng)用中。例如，...

鍵合對準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個雙面對準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術(shù)，并通過分離對準(zhǔn)和鍵合工藝在對準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以...