一旦將晶片粘合在一起，就必須測試粘合表面，看該工藝是否成功。通常，將批處理過程中產(chǎn)生的一部分產(chǎn)量留給破壞性和非破壞性測試方法使用。破壞性測試方法用于測試成品的整體剪切強度。非破壞性方法用于評估粘合過程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常，從而有助于確保成品沒有缺陷。EVGr...

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展...

1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應(yīng)用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實現(xiàn)圖形...

鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程?？梢允褂眠m合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發(fā)的鍵合機。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ...

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結(jié)合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合...

封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展...

EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站，該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預(yù)對準功能，是一種多功能的研...

EVG?501晶圓鍵合機（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計，可實現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換...

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表...

高精度電容位移傳感器是一種測量長度、位移、壓力、力、撓度等物理量的傳感器。它基于電容變化的原理，通過測量電容的變化來計算物理量的變化。具有測量精度高、靈敏度高、響應(yīng)速度快、輸出信號穩(wěn)定等特點。高精度電容位移傳感器基本結(jié)構(gòu)包括固定殼體和可動傳感器元件，可動傳感器...

選購電阻率測量儀的時候需要注意什么？1. 測量范圍：不同型號的電阻率測量儀有不同的測量范圍，需要根據(jù)實際需要選擇適合的型號。2. 測量精度：電阻率測量儀的測量精度直接影響測試結(jié)果的準確性，因此需要選擇精度高的測量儀。3. 使用環(huán)境：不同的電阻率測量儀適合的使用...

薄膜應(yīng)力分析儀如何維護保養(yǎng)？1. 清潔保養(yǎng)：薄膜應(yīng)力分析儀必須保持干燥和清潔，使用后應(yīng)立即對儀器表面和內(nèi)部進行清潔。2. 常規(guī)維護：薄膜應(yīng)力分析儀在使用過程中需要定期檢查各個部件的密封、電源等系統(tǒng)，確保各系統(tǒng)正常運行。3. 保持干燥：在使用薄膜應(yīng)力分析儀時，要...

晶圓缺陷檢測光學(xué)系統(tǒng)的創(chuàng)新發(fā)展趨勢有哪些？1、光學(xué)和圖像技術(shù)的創(chuàng)新：晶圓缺陷檢測光學(xué)系統(tǒng)需要采用更先進的圖像和光學(xué)技術(shù)以提高檢測效率和準確性。例如，采用深度學(xué)習(xí)、圖像增強和超分辨率等技術(shù)來提高圖像的清晰度，準確檢測到更小的缺陷。2、機器學(xué)習(xí)和人工智能的應(yīng)用：機...

如何選擇薄膜應(yīng)力分析儀廠家？需要注意哪些事項？1. 質(zhì)量和性能：選擇有保障和有信譽的廠家并購買具有品質(zhì)保障的薄膜應(yīng)力分析儀。特別是在購買前需要了解設(shè)備的技術(shù)性能、測試精度、儀器穩(wěn)定性等。2. 技術(shù)支持和服務(wù)：選擇那些提供完善技術(shù)支持和售后服務(wù)的廠家，以便在使用...

影響薄膜應(yīng)力分析儀價格的因素有哪些？1. 測量范圍和精度：較高的測量范圍和精度通常意味著更高的成本和價格。2. 測量速度：具有更高測量速度的薄膜應(yīng)力分析儀通常價格更高。3. 設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性：性能更高、品牌名度更高、售后服務(wù)更完善的薄膜應(yīng)力分析儀通常價格更高...

企業(yè)選擇電阻率測量儀的主要原因是什么？企業(yè)選擇電阻率測量儀的主要原因包括：1. 精度高：電阻率測量儀具有精度高、反應(yīng)快、測量數(shù)據(jù)準確等特點，具有很高的技術(shù)可靠性，能夠為企業(yè)提供高精度測量服務(wù)。2. 操作簡便：電阻率測量儀通常采用簡單的操作界面，簡便易用，即使沒...

晶圓缺陷自動檢測設(shè)備的特點是什么？1、高效性：晶圓缺陷自動檢測設(shè)備能夠快速、準確地檢測晶圓表面的缺陷，大幅提高了生產(chǎn)效率。2、精度高：晶圓缺陷自動檢測設(shè)備能夠檢測微小的缺陷，具有高精度的檢測能力。3、可靠性高：晶圓缺陷自動檢測設(shè)備采用先進的檢測技術(shù)和算法，能夠...

晶圓缺陷檢測設(shè)備的安裝步驟如下：1、確定設(shè)備安裝位置：根據(jù)設(shè)備的大小和使用要求，選擇一個空間充足、通風(fēng)良好、無振動、溫濕度穩(wěn)定的地方進行安裝。2、準備安裝環(huán)境：對于需要特殊環(huán)境的設(shè)備（例如光學(xué)器件），應(yīng)按照設(shè)備使用要求準備環(huán)境。為避免灰塵或污染，應(yīng)在安裝區(qū)域使...

電阻率測量儀：Delcom通過渦流技術(shù)，非接觸、無損測量靜態(tài)或動態(tài)的導(dǎo)電材料物體的方阻。Delcom能做到瞬時讀數(shù),提供實時工序檢查。測量方阻的范圍從0.005到10萬歐姆/平方（具體的測試范圍需要提前商定）；重復(fù)性好、測量結(jié)果偏差小于3%，具有溫度補償功能；...

高精度電容位移傳感器是一種測量物體相對位置變化的傳感器，它通過在物體周圍放置電極并測量電極之間的電容值變化來測量物體的位置變化。這種傳感器具有高精度、高分辨率和高靈敏度的特點。它可以測量微小的位移變化，并將其轉(zhuǎn)換為電信號輸出。一般情況下，這種傳感器的分辨率可以...

薄膜應(yīng)力分析儀存儲注意事項：1. 存放環(huán)境：薄膜應(yīng)力分析儀應(yīng)該存放在干燥、通風(fēng)、不受陽光直射和震動的環(huán)境中，因為儀器本身是精密的測試設(shè)備，需要保持穩(wěn)定的環(huán)境以防止損壞或者機械性能損失。2. 電源管理：在長時間不使用薄膜應(yīng)力分析儀時，應(yīng)該將其拔掉電源并存儲在干燥...

高精度電容位移傳感器提供了哪些好處?1. 高精度：高精度電容位移傳感器具有較高的精度，可以測量微小的位移和形變變化，保證了數(shù)據(jù)的準確性和可靠性。2. 高靈敏度：電容式傳感器原理的特點使其靈敏度高于其他傳感器類型，實現(xiàn)了更高的檢測靈敏度。3. 可調(diào)性：通過調(diào)整傳...

薄膜應(yīng)力分析儀的影響因素有哪些？1. 溫度變化：溫度是薄膜應(yīng)力的一個很大的影響因素。在溫度變化時，薄膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)會發(fā)生變化，從而會導(dǎo)致薄膜應(yīng)力的改變。在測量時，需要將樣品和儀器置于恒溫環(huán)境中，以保持溫度的穩(wěn)定。2. 濕度變化：濕度的變化也會對薄膜應(yīng)力的測量結(jié)果...

電阻率測量儀的使用方法是什么？1. 首先，將要測試的材料導(dǎo)電端面清潔干凈，使其能夠與測試接口良好接觸。2. 打開電阻率測量儀，進行相關(guān)參數(shù)的配置，如測量范圍、測量方式等。根據(jù)需要，還可以進行數(shù)據(jù)處理和結(jié)果顯示等設(shè)置。3. 將測試接口連接至要測試的材料電導(dǎo)端面，...

晶圓缺陷檢測設(shè)備的優(yōu)點：1、高效性：晶圓缺陷檢測設(shè)備采用自動化設(shè)備進行檢測，不僅檢測速度快，而且可同時處理多個晶圓，提高了生產(chǎn)效率。2、準確性：晶圓缺陷檢測設(shè)備采用多種成像技術(shù)和算法，可以精確地檢測各種缺陷，并且可以判斷缺陷類型、大小和位置等。3、非接觸式檢測...

輪廓儀是一種兩坐標測量儀器，儀器傳感器相對被測工件表而作勻速滑行，傳感器的觸針感受到被測表而的幾何變化，在X和Z方向分別采樣，并轉(zhuǎn)換成電信號，該電信號經(jīng)放大和處理，再轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號儲存在計算機系統(tǒng)的存儲器中，計算機對原始表而輪廓進行數(shù)字濾波，分離掉...

輪廓儀產(chǎn)品概述：NanoX-2000/3000系列3D光學(xué)干涉輪廓儀建立在移相干涉測量（PSI）、白光垂直掃描干涉測量（VSI）和單色光垂直掃描干涉測量（CSI）等技術(shù)的基礎(chǔ)上，以其納米級測量準確度和重復(fù)性（穩(wěn)定性）定量地反映出被測件的表面粗糙度、表面輪廓、臺...

輪廓儀的技術(shù)原理被測表面(光)與參考面(光)之間的光程差（高度差）形成干涉移相法(PSI)高度和干涉相位f=(2p/l)2h形貌高度:<120nm精度:<1nmRMS重復(fù)性:0.01nm垂直掃描法(VSI+CSI)精度：?/1000干涉信號~光程差位置形貌高度...

滿足您需求的輪廓儀使用范圍廣:兼容多種測量和觀察需求保護性:非接觸式光學(xué)輪廓儀耐用性更強，使用無損可操作性:一鍵式操作，操作更簡單，更方便智能性:特殊形狀能夠只能計算特征參數(shù)個性化:定制化客戶報告模式更好用戶體驗：迅捷的售后服務(wù)，個性化應(yīng)用軟件支持1.精度高,...