重慶測試服務(wù)DDR一致性測試

如果PCB的密度較高，有可能期望測量的引腳附近根本找不到合適的過孔(比如采用雙面BGA貼裝或采用盲埋孔的PCB設(shè)計時),這時就需要有合適的手段把關(guān)心的BGA引腳上的信號盡可能無失真地引出來。為了解決這種探測的難題，可以使用一種專門的BGAInterposer(BGA芯片轉(zhuǎn)接板，有時也稱為BGA探頭)。這是一個專門設(shè)計的適配器，使用時要把適配器焊接在DDR的內(nèi)存顆粒和PCB板中間，并通過轉(zhuǎn)接板周邊的焊盤把被測信號引出。BGA轉(zhuǎn)接板內(nèi)部有專門的埋阻電路設(shè)計，以盡可能減小信號分叉對信號的影響。一個DDR的BGA探頭的典型使用場景。DDR4 和 LPDDR4 合規(guī)性測試軟件。重慶測試服務(wù)DDR一致性測試

前面介紹過，JEDEC規(guī)范定義的DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但 是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方 式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳 處的信號質(zhì)量， 一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的 去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數(shù)模型 文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據(jù)實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數(shù)， 來計算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進一步的波形參數(shù)測量和統(tǒng)計。展示了典型的DDR4和DDR5信號質(zhì)量測試環(huán)境，以及在示波器中進行去嵌入操作的 界面。重慶測試服務(wù)DDR一致性測試DDR2 3 4物理層一致性測試；

DDR系統(tǒng)設(shè)計過程，以及將實際的設(shè)計需求和DDR規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個實際的設(shè)計分析實例來說明，如何在一個DDR系統(tǒng)設(shè)計中，解讀并使用DDR規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實際的系統(tǒng)設(shè)計中。某項目中，對DDR系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖。在這個系統(tǒng)中，對DDR的設(shè)計需求如下。

整個DDR功能模塊由四個512MB的DDR芯片組成，選用Micron的DDR存諸芯片MT46V64M8BN-75。每個DDR芯片是8位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成32位寬的2GBDDR存諸單元，地址空間為Add<13..0>，分四個Bank，尋址信號為BA<1..0>。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

DDR SDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前 DDR4已經(jīng)成為市場的主流，DDR5也開始進入市場。對于DDR總線來說，我們通常說的 速率是指其數(shù)據(jù)線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應(yīng)的工作時鐘速率是 1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線 上會有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時間、高阻態(tài)時間、總線刷新時間等，因此其實際的總線傳輸速率 達不到這個理想值。 DDR-致性測試探測和夾具；

通常測量眼圖很有效的一種方法就是使用示波器的眼圖測量功能，即用時鐘做觸發(fā)對數(shù) 據(jù)信號進行累積，看累積結(jié)果的差情況是否在可以容許的范圍內(nèi)。但遺憾的是，想用這種 方法直接測量DDR的信號質(zhì)量非常困難，因為DDR信號讀寫時序是不一樣的。

可以看到，寫數(shù)據(jù)(DQ)的跳變位置對應(yīng)著鎖存信號(DQS)的中心，而 讀數(shù)據(jù)的跳變位置卻對應(yīng)著鎖存信號的邊沿，而且在總線上還有三態(tài)，因此如果直接用DQS 觸發(fā)對DQ累積進行眼圖測量的話，會得到的結(jié)果。 DDR2 和 LPDDR2 一致性測試軟件。山東測試服務(wù)DDR一致性測試

DDR5 接收機一致性和表征測試應(yīng)用軟件。重慶測試服務(wù)DDR一致性測試

按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM(Static RAM)和 動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲需要多個晶體管，不容易實現(xiàn)大的存儲容量，主要用于一些對時 延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復(fù)雜。但是由于DRAM每比特數(shù)據(jù)存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM。重慶測試服務(wù)DDR一致性測試