山東測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-14

由于DDR5工作時(shí)鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小,因此信號(hào)的 隨機(jī)和確定性抖動(dòng)對(duì)于數(shù)據(jù)的正確傳輸至關(guān)重要,需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引 入的PJ、傳輸通道損耗帶來的DJ等影響。DDR5的測(cè)試項(xiàng)目比DDR4也更加復(fù)雜。比如 其新增了nUI抖動(dòng)測(cè)試項(xiàng)目,并且需要像很多高速串行總線一樣對(duì)抖動(dòng)進(jìn)行分解并評(píng)估 RJ、DJ等不同分量的影響。另外,由于高速的DDR5芯片內(nèi)部都有均衡器芯片,因此實(shí)際 進(jìn)行信號(hào)波形測(cè)試時(shí)也需要考慮模擬均衡器對(duì)信號(hào)的影響。圖5.16展示了典型的DDR5 和LPDDR5測(cè)試軟件的使用界面和一部分測(cè)試結(jié)果。DDR、DDR2、DDR3、DDR4都有什么區(qū)別?山東測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試

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按照存儲(chǔ)信息方式的不同,隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單,但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管,不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量,主要用于一些對(duì)時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合,如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時(shí)延比SRAM大,而且需要定期的刷新,控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管,因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn),目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流,典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。山東測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試DDR1 電氣一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。

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工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),Specification:如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議,那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),讀懂規(guī)范之后,才能開始設(shè)計(jì)。

因此,為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的DDR模塊,需要技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計(jì)DDR存諸模塊,那么在所有的資料當(dāng)中,應(yīng)該較早了解DDR規(guī)范。通過對(duì)DDR規(guī)范文件JEDEC79R]的閱讀,我們了解到,設(shè)計(jì)一個(gè)DDR接口,需要滿足規(guī)范中規(guī)定的DC,AC特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來解讀,如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。

DDR簡(jiǎn)介與信號(hào)和協(xié)議測(cè)試

DDR/LPDDR簡(jiǎn)介

目前在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式的應(yīng)用中,存儲(chǔ)器是必不可少的。常用的存儲(chǔ)器有兩 種: 一種是非易失性的,即掉電不會(huì)丟失數(shù)據(jù),常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-Only Memory),這種存儲(chǔ)器速度較慢,主要用于存儲(chǔ)程序代碼、文件以及長久的數(shù)據(jù)信息等;另 一種是易失性的,即掉電會(huì)丟失數(shù)據(jù),常用的有RAM(Random Access Memory,隨機(jī)存儲(chǔ) 器),這種存儲(chǔ)器運(yùn)行速度較快,主要用于程序運(yùn)行時(shí)的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市 面上一些主流存儲(chǔ)器類型的劃分。 82496 DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試方法、測(cè)試裝置與測(cè)試設(shè)備與流程;

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D D R 5 的 接 收 端 容 限 評(píng) 估 需 要 通 過 接 收 容 限 的 一 致 性 測(cè) 試 來 進(jìn) 行 , 主 要 測(cè) 試 的 項(xiàng) 目 有 D Q 信 號(hào) 的 電 壓 靈 敏 度 、 D Q S 信 號(hào) 的 電 壓 靈 敏 度 、 D Q S 的 抖 動(dòng) 容 限 、 D Q 與 D Q S 的 時(shí) 序 容 限、DQ的壓力眼測(cè)試、DQ的均衡器特性等。

在DDR5的接收端容限測(cè)試中,也需要通過御用的測(cè)試夾具對(duì)被測(cè)件進(jìn)行測(cè)試以及測(cè)試前的校準(zhǔn)。展示了一套DDR5的DIMM條的測(cè)試夾具,包括了CTC2夾具(ChannelTestCard)和DIMM板(DIMMTestCard)等。CTC2夾具上有微控制器和RCD芯片等,可以通過SMBus/I2C總線配置電路板的RCD輸出CA信號(hào)以及讓被測(cè)件進(jìn)入環(huán)回模式。測(cè)試夾具還提供了CK/CA/DQS/DQ/LBD/LBS等信號(hào)的引出。 DDR原理及物理層一致性測(cè)試;山東測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試

DDR4存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的信號(hào)完整性。山東測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試

我們看到,在用通用方法進(jìn)行的眼圖測(cè)試中,由于信號(hào)的讀寫和三態(tài)都混在一起,因此很難對(duì)信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。要進(jìn)行信號(hào)的評(píng)估,第1步是要把讀寫信號(hào)分離出來。傳統(tǒng)上有幾種方法用來進(jìn)行讀寫信號(hào)的分離,但都存在一定的缺陷??梢岳米x寫Preamble的寬度不同用脈沖寬度觸發(fā),但由于JEDEC只規(guī)定了WritePreamble寬度的下限,因此不同芯片間Preamble的寬度可能是不同的,而且如果Read/Write的Preamble的寬度一樣,則不能進(jìn)行分離。也可以利用讀寫信號(hào)的幅度不同進(jìn)行分離,如圖7-138中間 的圖片所示,但是如果讀寫信號(hào)幅度差別不大,則也不適用6還可以根據(jù)RAS、CAS、CS、 WE等控制信號(hào)來分離讀寫,但這種方法要求通道數(shù)多于4個(gè),只 有帶數(shù)字通道的MSO示波器才能滿足要求,比如Agilent的MS09000A系列或者 MSOX90000A系列,對(duì)于用戶示波器的要求比較高。山東測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試