電氣性能測(cè)試DDR3測(cè)試多端口矩陣測(cè)試

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號(hào)、網(wǎng)絡(luò)名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長(zhǎng)度百分比、總耦合參考值。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖。注意，在彩圖 上方有一排工具欄，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段，對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 DDR3一致性測(cè)試期間是否會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)完整性產(chǎn)生影響？電氣性能測(cè)試DDR3測(cè)試多端口矩陣測(cè)試

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)。以下是對(duì)DDR規(guī)范的一些解讀：DDR速度等級(jí)：DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。時(shí)序要求：DDR規(guī)范定義了內(nèi)存模塊的各種時(shí)序要求，包括初始時(shí)序、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序、刷新時(shí)序等。這些時(shí)序要求確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作，并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作。四川DDR3測(cè)試銷售廠DDR3一致性測(cè)試是否適用于工作站和游戲電腦？

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對(duì)話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對(duì)話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對(duì)話框在NewWorkspace對(duì)話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實(shí)際的IBIS模型。雙擊Controller模塊，在工作區(qū)下方彈出Property界面，左側(cè)為Block之間的連接信息，右側(cè)是模型設(shè)置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對(duì)話框。

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為100?200MHz； 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號(hào)雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號(hào)速率為 100?200Mbps,通過時(shí)鐘信號(hào)上升沿采樣；信號(hào)走線都使用樹形拓?fù)?，沒有ODT功能。

DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作電壓為1.8V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為200? 400MHz；數(shù)據(jù)信號(hào)速率為400?800Mbps,在低速率下可選擇使用單端選通信號(hào)，但在高速 率時(shí)需使用差分選通信號(hào)以保證釆樣的準(zhǔn)確性；地址/命令/控制信號(hào)在每個(gè)時(shí)鐘上升沿釆樣的 情況下(1T模式)速率為200?400Mbps,在每個(gè)間隔時(shí)鐘上升沿釆樣的情況下(2T模式) 速率減半；信號(hào)走線也都使用樹形拓?fù)?，?shù)據(jù)和選通信號(hào)有ODT功能。 DDR3一致性測(cè)試是否會(huì)導(dǎo)致操作系統(tǒng)或應(yīng)用程序崩潰？

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個(gè)圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時(shí)序圖中，所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號(hào)的控制下，對(duì)DQ和DM信號(hào)進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時(shí)序圖中，所有信號(hào)是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號(hào)是同步的，都是和時(shí)鐘沿對(duì)齊的!這時(shí)候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對(duì)DQ信號(hào)的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號(hào)之間的相位延時(shí)!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡(jiǎn)單，是要把邏輯設(shè)計(jì)的復(fù)雜性留在控制器一端，從而使得外設(shè)(DDR存儲(chǔ)心片)的設(shè)計(jì)變得簡(jiǎn)單而廉價(jià)。因此，對(duì)于DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言，信號(hào)完整性仿真和分析的大部分工作，實(shí)質(zhì)上就是要保證這兩個(gè)時(shí)序圖的正確性。什么是DDR3內(nèi)存的一致性問題？甘肅智能化多端口矩陣測(cè)試DDR3測(cè)試

是否可以在已通過一致性測(cè)試的DDR3內(nèi)存模塊之間混搭？電氣性能測(cè)試DDR3測(cè)試多端口矩陣測(cè)試

· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification：如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計(jì)。

因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的 DDR 模塊，需要的技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計(jì) DDR 存儲(chǔ)模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解 DDR 規(guī)范。通過對(duì) DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R」的閱讀，我們了解到，設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC，AC 特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來解讀，如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 電氣性能測(cè)試DDR3測(cè)試多端口矩陣測(cè)試