自動化一致性測試
因為DDR3總線測試信號多,測試參數(shù)多,測試工作量非常大,所以如果不使用自動化 的方案,則按Jedec規(guī)范完全測完要求的參數(shù)可能需要7?14天。提供了全自動的DDR測試 軟件,包括:支持DDR2/LPDDR2的N5413B軟件;支持DDR3/LPDDR3的U7231B軟件; 支持DDR4的N6462A軟件。DDR測試軟件的使用非常簡便,用戶只需要 按順序選擇好測試速率、測試項目并根據(jù)提示進行參數(shù)設置和連接,然后運行測試軟件即可。 DDR4測試軟件使用界面的例子。 4代DDR之間有什么區(qū)別?陜西眼圖測試DDR一致性測試
為了進行更簡單的讀寫分離,Agilent的Infiniium系列示波器提供了一種叫作InfiniiScan 的功能,可以通過區(qū)域(Zone)定義的方式把讀寫數(shù)據(jù)可靠分開。
根據(jù)讀寫數(shù)據(jù)的建立保持時間不同,Agilent獨有的InfiniiScan功能可以通過在屏幕上畫 出幾個信號必須通過的區(qū)域的方式方便地分離出讀、寫數(shù)據(jù),并進一步進行眼圖的測試。
信號的眼圖。用同樣的方法可以把讀信號的眼圖分離出來。
除了形成眼圖外,我們還可以利用示波器的模板測量功能對眼圖進行定量分析,
用戶可以根據(jù)JEDEC的要求自行定義一個模板對讀、寫信號進行模板測試,如 果模板測試Fail,則還可以利用Agilent示波器提供的模板定位功能定位到引起Fail的波形段。 信號完整性測試DDR一致性測試項目用于 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 調試和驗證的總線解碼器。
DDR-致性測試探測和夾具
DDR的信號速率都比較高,要進行可靠的測量,通常推薦的探頭連接方式是使用焊接式 探頭。還有許多很難在PCB板上找到相應的測試焊盤的情況(比如釆用盲埋孔或雙面BGA 焊接的情況),所以Agilent還提供了不同種類的BGA探頭,通過對板子做重新焊接將BGA 的Adapter焊接在DDR的memory chip和PCB板中間,并將信號引出。DDR3的 BGA探頭的焊接例子。
DDR是需要進行信號完整性測試的總線中復雜的總線,不僅走線多、探測困難,而且 時序復雜,各種操作交織在一起。本文分別從時鐘、地址、命令、數(shù)據(jù)總線方面介紹信號完 整性一致性測試的一些要點和方法,也介紹了自動化測試軟件和測試夾具,但是真正測試DDR 總線仍然是一件比較有挑戰(zhàn)的事情。
除了DDR以外,近些年隨著智能移動終端的發(fā)展,由DDR技術演變過來的LPDDR (Low-Power DDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應用場景,相 對于同一代技術的DDR來說會采用更低的工作電壓,而更低的工作電壓可以直接減少器 件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1. 1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一 些,有些廠商還提出了更低功耗的內存技術,比如三星公司推出的LPDDR4x技術,更是把 外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是,更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪 聲會更敏感,其電路設計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外,LPDDR還會采用一些額 外的技術來節(jié)省功耗,比如根據(jù)外界溫度自動調整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷 新)、部分陣列可以自刷新,以及一些對低功耗的支持。同時,LPDDR的芯片一般體積更 小,因此占用的PCB空間更小。DDR、DDR2、DDR3、DDR4 調試和驗證的總線解碼器。
我們看到,在用通用方法進行的眼圖測試中,由于信號的讀寫和三態(tài)都混在一起,因此很難對信號質量進行評估。要進行信號的評估,第1步是要把讀寫信號分離出來。傳統(tǒng)上有幾種方法用來進行讀寫信號的分離,但都存在一定的缺陷??梢岳米x寫Preamble的寬度不同用脈沖寬度觸發(fā),但由于JEDEC只規(guī)定了WritePreamble寬度的下限,因此不同芯片間Preamble的寬度可能是不同的,而且如果Read/Write的Preamble的寬度一樣,則不能進行分離。也可以利用讀寫信號的幅度不同進行分離,如圖7-138中間 的圖片所示,但是如果讀寫信號幅度差別不大,則也不適用6還可以根據(jù)RAS、CAS、CS、 WE等控制信號來分離讀寫,但這種方法要求通道數(shù)多于4個,只 有帶數(shù)字通道的MSO示波器才能滿足要求,比如Agilent的MS09000A系列或者 MSOX90000A系列,對于用戶示波器的要求比較高。DDR時鐘總線的一致性測試。信號完整性測試DDR一致性測試項目
DDR3信號質量測試,信號一致性測試。陜西眼圖測試DDR一致性測試
按照存儲信息方式的不同,隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM(Static RAM)和 動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單,但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲需要多個晶體管,不容易實現(xiàn)大的存儲容量,主要用于一些對時 延和速度有要求但又不需要太大容量的場合,如一些CPU芯片內置的緩存等。DRAM的 時延比SRAM大,而且需要定期的刷新,控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數(shù)據(jù)存儲只需要一個晶體管,因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點,目前已經成為大 容量RAM的主流,典型的如現(xiàn)在的PC、服務器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內存都是DRAM。陜西眼圖測試DDR一致性測試