安徽DDR一致性測(cè)試調(diào)試

JEDEC組織發(fā)布的主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對(duì)發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長(zhǎng)度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對(duì)比?？梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn)，同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例，相 對(duì)于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn)，比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號(hào)時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問(wèn)可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測(cè)等。DDR、DDR2、DDR3、DDR4都有什么區(qū)別？安徽DDR一致性測(cè)試調(diào)試

工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification:如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計(jì)。

因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的DDR模塊，需要技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計(jì)DDR存諸模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解DDR規(guī)范。通過(guò)對(duì)DDR規(guī)范文件JEDEC79R]的閱讀，我們了解到，設(shè)計(jì)一個(gè)DDR接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的DC，AC特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來(lái)解讀，如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 校準(zhǔn)DDR一致性測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試DDR4 和 LPDDR4 一致性測(cè)試應(yīng)用軟件提供了多種可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)驗(yàn)證的關(guān)鍵功能。

DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3 . 0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過(guò)很多高速的串行總線 由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣 信 號(hào) 下 的 表 現(xiàn) 。 對(duì) 于 D D R 來(lái) 說(shuō) ， D D R 4 及 之 前 的 總 線 接 收 端 還 相 對(duì) 比 較 簡(jiǎn) 單 ， 只 是 做 一 些 匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5 . 19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也 開 始 采 用 很 多 高 速 串 行 總 線 中 使 用 的 可 變 增 益 調(diào) 整 以 及 均 衡 器 技 術(shù) ， 這 也 使 得 D D R 5 測(cè) 試 中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。

由于讀/寫時(shí)序不一樣造成的另一個(gè)問(wèn)題是眼圖的測(cè)量。在DDR3及之前的規(guī)范中沒(méi) 有要求進(jìn)行眼圖測(cè)試，但是很多時(shí)候眼圖測(cè)試是一種快速、直觀衡量信號(hào)質(zhì)量的方法，所以 許多用戶希望通過(guò)眼圖來(lái)評(píng)估信號(hào)質(zhì)量。而對(duì)于DDR4的信號(hào)來(lái)說(shuō)，由于時(shí)間和幅度的余量更小，必須考慮隨機(jī)抖動(dòng)和隨機(jī)噪聲帶來(lái)的誤碼率的影響，而不是做簡(jiǎn)單的建立/保  持時(shí)間的測(cè)量。因此在DDR4的測(cè)試要求中，就需要像很多高速串行總線一樣對(duì)信號(hào)疊加  生成眼圖，并根據(jù)誤碼率要求進(jìn)行隨機(jī)成分的外推，然后與要求的小信號(hào)張開窗口(類似  模板)進(jìn)行比較。圖5 . 8是DDR4規(guī)范中建議的眼圖張開窗口的測(cè)量方法(參考資料： JEDEC     STANDARD    DDR4     SDRAM,JESD79-4)。DDR4 和 LPDDR4 合規(guī)性測(cè)試軟件。

(2)根據(jù)讀/寫信號(hào)的幅度不同進(jìn)行分離。如果PCB走線長(zhǎng)度比較 長(zhǎng)，在不同位置測(cè)試時(shí)可能讀/寫信號(hào)的幅度不太一樣，可以基于幅度進(jìn)行觸發(fā)分離。但是 這種方法對(duì)于走線長(zhǎng)度不長(zhǎng)或者讀/寫信號(hào)幅度差別不大的場(chǎng)合不太適用。

(3)根據(jù)RAS、CAS、CS、WE等控制信號(hào)進(jìn)行分離。這種方法使用控制信號(hào)的讀/寫  來(lái)判決當(dāng)前的讀寫指令，是可靠的方法。但是由于要同時(shí)連接多個(gè)控制信號(hào)以及Clk、 DQS、DQ等信號(hào)，要求示波器的通道數(shù)多于4個(gè)，只有帶數(shù)字通道的混合信號(hào)示波器才能  滿足要求，而且數(shù)字通道的采樣率也要比較高。圖5.11是用帶高速數(shù)字通道的示波器觸發(fā)  并采集到的DDR信號(hào)波形。 DDR4 和 LPDDR4 發(fā)射機(jī)一致性測(cè)試應(yīng)用軟件的技術(shù)指標(biāo)。遼寧DDR一致性測(cè)試安裝

DDR4協(xié)議/功能調(diào)試和分析參考解決方案。安徽DDR一致性測(cè)試調(diào)試

大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)是一樣的。安徽DDR一致性測(cè)試調(diào)試