克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng),以成為高數(shù)信號傳輸測試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)。
克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室重心團(tuán)隊(duì)成員從業(yè)測試領(lǐng)域10年以上。實(shí)驗(yàn)室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及附件,使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具。堅(jiān)持以專業(yè)的技術(shù)人員,嚴(yán)格按照行業(yè)測試規(guī)范,配備高性能的權(quán)能測試設(shè)備,提供給客戶更精細(xì)更權(quán)能的全方面的專業(yè)服務(wù)。 克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室提供具深度的專業(yè)知識及一系列認(rèn)證測試、預(yù)認(rèn)證測試及錯(cuò)誤排除信號完整性測試、多端口矩陣測試、HDMI測試、USB測試等方面測試服務(wù)。 DDR3信號質(zhì)量自動(dòng)測試軟件;測量DDR測試商家
trombone線的時(shí)延是受到其并行走線之間的耦合而影響,一種在不需要提高其間距的情況下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然,sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是,依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時(shí)延不同的原因,所以,在實(shí)際的設(shè)計(jì)時(shí),要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計(jì)算,從而控制走線的時(shí)延匹配??紤]到在圖2中6層板上的過孔的因素,當(dāng)一個(gè)地過孔靠近信號過孔放置時(shí),則在時(shí)延方面的影響是必須要考慮的。先舉個(gè)例子,在TOP層的微帶線長度是150mils,BOTTOM層的微帶線也是150mils,線寬都為4mils,且過孔的參數(shù)為:barreldiameter=”8mils”,paddiameter=”18mils”,anti-paddiameter=”26mils”。信號完整性測試DDR測試商家DDR信號質(zhì)量自動(dòng)測試軟件;
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DDR4/5的協(xié)議測試除了信號質(zhì)量測試以外,有些用戶還會(huì)關(guān)心DDR總線上真實(shí)讀/寫的數(shù)據(jù)是否正確,以及總線上是否有協(xié)議的違規(guī)等,這時(shí)就需要進(jìn)行相關(guān)的協(xié)議測試。DDR的總線寬度很寬,即使數(shù)據(jù)線只有16位,加上地址、時(shí)鐘、控制信號等也有30多根線,更寬位數(shù)的總線甚至?xí)玫缴习俑€。為了能夠?qū)@么多根線上的數(shù)據(jù)進(jìn)行同時(shí)捕獲并進(jìn)行協(xié)議分析,適合的工具就是邏輯分析儀。DDR協(xié)議測試的基本方法是通過相應(yīng)的探頭把被測信號引到邏輯分析儀,在邏輯分析儀中運(yùn)行解碼軟件進(jìn)行協(xié)議驗(yàn)證和分析。
4.時(shí)延匹配在做到時(shí)延的匹配時(shí),往往會(huì)在布線時(shí)采用trombone方式走線,另外,在布線時(shí)難免會(huì)有切換板層的時(shí)候,此時(shí)就會(huì)添加一些過孔。不幸的是,但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線,將它們拉直變?yōu)榈乳L度理想走線時(shí),此時(shí)它們的時(shí)延是不等的,
顯然,上面講到的trombone方式在時(shí)延方面同直走線的不對等是很好理解的,而帶過孔的走線就更加明顯了。在中心線長度對等的情況下,trombone走線的時(shí)延比直走線的實(shí)際延時(shí)是要來的小的,而對于帶有過孔的走線,時(shí)延是要來的大的。這種時(shí)延的產(chǎn)生,這里有兩種方法去解決它。一種方法是,只需要在EDA工具里進(jìn)行精確的時(shí)延匹配計(jì)算,然后控制走線的長度就可以了。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi),減少不匹配度。對于trombone線,時(shí)延的不對等可以通過增大L3的長度而降低,因?yàn)椴⑿芯€間會(huì)存在耦合,其詳細(xì)的結(jié)果,可以通過SigXP仿真清楚的看出,L3長度的不同,其結(jié)果會(huì)有不同的時(shí)延,盡可能的加長S的長度,則可以更好的降低時(shí)延的不對等。對于微帶線來說,L3大于7倍的走線到地的距離是必須的。 DDR的規(guī)范要求進(jìn)行需求;
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主要的DDR相關(guān)規(guī)范,對發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對比??梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn),同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例,相 對于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn),比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測等。 解決DDR內(nèi)存系統(tǒng)測試難題?吉林DDR測試產(chǎn)品介紹
借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些;測量DDR測試商家
DDR5具備如下幾個(gè)特點(diǎn):·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s(百萬次/秒),而DDR4為3200MT/s,DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?!じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V,低于DDR4的1.2V,能降低單位頻寬的功耗達(dá)20%以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長度增加到BL16,約為DDR4的兩倍,提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù),同時(shí)限制同一存儲(chǔ)庫內(nèi)輸入輸出/陣列計(jì)時(shí)約束的風(fēng)險(xiǎn)。此外,DDR5使存儲(chǔ)組數(shù)量翻倍,這是通過在任意給定時(shí)間打開更多頁面來提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)存以滿足下一代計(jì)算的需求。測量DDR測試商家
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