江蘇自動(dòng)化DDR測(cè)試

DDR測(cè)試

大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)是一樣的。 DDR測(cè)試USB眼圖測(cè)試設(shè)備？江蘇自動(dòng)化DDR測(cè)試

DDR測(cè)試

要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求，因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn)，并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。 浙江DDR測(cè)試價(jià)格多少DDR在信號(hào)測(cè)試中解決的問題有那些；

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對(duì)于一塊受PCB層數(shù)約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號(hào)線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當(dāng)使用6層來走線時(shí)，設(shè)計(jì)一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加容易，同時(shí)由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性。互聯(lián)通道的另一參數(shù)阻抗，在DDR2的設(shè)計(jì)時(shí)必須是恒定連續(xù)的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號(hào)上，且做到阻抗匹配，而對(duì)于差分信號(hào)，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號(hào)終端，比如CLOCK和DQS信號(hào)。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設(shè)置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設(shè)計(jì)時(shí)，單端信號(hào)的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設(shè)計(jì)到ADDR/CMD/CNTRL信號(hào)線上，這已經(jīng)被證明有很多的優(yōu)點(diǎn)。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號(hào)的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。

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1.目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達(dá)800Mbps，甚至更高的速度，如1066Mbps，而DDR3的速度已經(jīng)高達(dá)1600Mbps。對(duì)于如此高的速度，從PCB的設(shè)計(jì)角度來幫大家分析，要做到嚴(yán)格的時(shí)序匹配，以滿足信號(hào)的完整性，這里有很多的因素需要考慮，所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯(lián)拓?fù)?、時(shí)延匹配、串?dāng)_、信號(hào)及電源完整性和時(shí)序，目前，有很多EDA工具可以對(duì)它們進(jìn)行很好的計(jì)算和仿真，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術(shù)要求和專有的技術(shù)要求協(xié)助DDR有那些工具測(cè)試；河北DDR測(cè)試DDR測(cè)試

DDR3規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；江蘇自動(dòng)化DDR測(cè)試

5.串?dāng)_在設(shè)計(jì)微帶線時(shí)，串?dāng)_是產(chǎn)生時(shí)延的一個(gè)相當(dāng)重要的因素。通常，可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串?dāng)_的相互影響，然而，在合理利用走線空間上這是一個(gè)很大的弊端，所以，應(yīng)該控制在一個(gè)合理的范圍里面。典型的一個(gè)規(guī)則是，并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外，地過孔也起到一個(gè)相當(dāng)重要的作用，圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度，在有多個(gè)地過孔的情況下，其耦合程度降低了7dB?？紤]到互聯(lián)通路的成本預(yù)算，對(duì)于兩邊進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆抡媸潜仨毜模?dāng)在所有的網(wǎng)線上加一個(gè)周期性的激勵(lì)，將會(huì)由串?dāng)_產(chǎn)生的信號(hào)抖動(dòng)，通過仿真，可以在時(shí)域觀察信號(hào)的抖動(dòng)，從而通過合理的設(shè)計(jì)，綜合考慮空間和信號(hào)完整性，選擇比較好的走線間距。江蘇自動(dòng)化DDR測(cè)試

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