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來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-24

WS4603E:可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān) 

描述

   WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導(dǎo)通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4603E還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí),可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí),輸出自動(dòng)放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。

特性

1、輸入電壓范圍:2.5~5.5V

2、主開關(guān)RON:80mΩ@VIN=5V

3、調(diào)整電流限制范圍:0.4~2A(典型值)

4、電流限制精度:±20%

5、自動(dòng)放電

6、反向阻斷(無“體二極管”)

7、過溫保護(hù)

應(yīng)用

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于WS4603E的進(jìn)一步問題或需求,請隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WS72358D-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝:DFN-8-EP(2x2)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WD1071VA

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WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261AWS72552S-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝:SOP-8。

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      WPM1483是一個(gè)單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性:

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計(jì)

優(yōu)異的ON電阻,適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用:

繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開關(guān)

負(fù)載開關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET,采用先進(jìn)溝槽技術(shù),具有低RDS(ON)和低柵極電荷,適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用??沙惺?5A直流電流,極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝,無鉛無鹵素,環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān),驅(qū)動(dòng)繼電器、電機(jī)等應(yīng)用。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護(hù)功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達(dá)7.0V,而不會(huì)損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡而言之,在實(shí)際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性:

· 電源電壓:1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻:在VCC=4.5V時(shí)為5.5Ω-3dB

· 帶寬:在CL=5pF時(shí)為400MHz

· 斷開隔離度:在10MHz時(shí)為-69dB

· 低靜態(tài)電流:<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù):HBM為±8000V,MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 手機(jī)

· MID(移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2805N33-3/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO)封裝:SOT-23-3L。

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ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計(jì)。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達(dá)8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù)

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景,包括手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問題或需求,請隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WL2815D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:XDFN-4-EP(1x1)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56241D20

WS3222D-8/TR 功率電子開關(guān) 封裝:WDFN-8-EP(2x2)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WD1071VA

     ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD5451X可提供高達(dá)±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)8A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特點(diǎn):

· 反向截止電壓:±5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±30kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):8A(8/20μs)

· 電容:CJ=17.5pFtyp

· 低漏電流:IR<1nAtyp

· 低鉗位電壓:VCL=9Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)


應(yīng)用:

· 手機(jī)

· 平板

· 電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5451X是高性能瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力影響。適用于手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備,雙向保護(hù),應(yīng)對極端電氣環(huán)境。低漏電流、低鉗位電壓,不影響設(shè)備正常工作。固態(tài)硅技術(shù),穩(wěn)定可靠。各方面保護(hù)現(xiàn)代電子設(shè)備,消費(fèi)者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WD1071VA