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ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器
產品描述:
ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應力影響。
包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。
采用DFN1006-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。
產品特性:
1、截止電壓:5V
2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低電容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏電流:IR<1nAtyp.
7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固態(tài)硅技術
應用領域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便攜式電子產品和筆記本電腦
安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持,請隨時聯(lián)系我們。 ESD9N5B-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261A
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD73034D可用于提供高達±10kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。
產品特性:
· 截止電壓:±3.3VMax
· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護:±10kV(接觸放電)
· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)
· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:5.5A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏電流低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術
應用領域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便攜式電子設備
· 筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR420N65TFESD9B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:FBP-02C。
WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR(電源抑制比)以及高速CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)。其高精度與出色的性能,使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備中表現(xiàn)出色,為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設備不僅具有出色的限流折回電路,能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器,而且采用標準的SOT-23-5L封裝,確保產品的環(huán)保性和安全性。
WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍(2.7V~5.5V)、靈活的輸出電壓范圍(1.2V~3.3V)、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色,確保了電源噪聲的有效抑制。此外,其低dropout電壓(170mV@IOUT=200mA)和極低靜態(tài)電流(70μA)使得它在低功耗應用中表現(xiàn)突出。
這款產品的應用領域較廣,包括MP3/MP4播放器、手機、無線電話、數(shù)碼相機、藍牙和無線手持設備以及其他便攜式電子設備。無論是對于追求高性能的設計師,還是對于尋求成本效益的生產商,WL2801E都是理想的選擇。
安美斯科技專注于國產電子元器件的代理分銷,并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對產品質量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技,您將獲得優(yōu)異的產品和服務。
WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET
產品描述
WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝
產品特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· DC/DC轉換器
· 電源轉換器電路
· 便攜式設備的負載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產品,符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝:FBP1608-2L。
WS3222是一款具有可調OVLO(過壓鎖定)閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時,該設備將關閉內部MOSFET,斷開輸入到輸出的連接,以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時,WS3222會自動選擇內部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度,以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產品無鉛且無鹵素。
特點:
· 輸入電壓:29V
· 導通電阻:45mΩ(典型值)
· 超快OVP響應時間:450ns(典型值)
· 可調OVLO
· 閾值電壓:4V~15V
應用:
· 手機和平板電腦
· 便攜式媒體播放器
· STB、OTT(機頂盒、互聯(lián)網(wǎng)電視)
· 汽車DVR、汽車媒體系統(tǒng)外設
WS3222是專為現(xiàn)代便攜設備設計的靈活高效過壓保護開關。其特色在于可調OVLO閾值,為不同應用提供定制化保護。超快450納秒OVP響應時間確保負載在瞬間過壓下得到保護。低導通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強可靠性。緊湊封裝適合空間受限應用,符合環(huán)保標準。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E18-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS7222Q
WS74199Q-10/TR 電流感應放大器 封裝:WQFN-10(1.4x1.8)。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261A
WSB5546N-肖特基勢壘二極管
特性:
· 低反向電流
· 0.2A平均整流正向電流
· 無鉛和無鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產品,不含鉛和鹵素。
· 快速開關和低正向電壓降
· 反向阻斷
應用:
· 電源管理
· 信號處理
· 電子設備保護
總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管,具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型,它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降,而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結合了這些特點,提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9261A