聊城生產(chǎn)加工催化劑擠條機(jī)報(bào)價(jià)(大喜訊!2024已更新)

聊城生產(chǎn)加工催化劑擠條機(jī)報(bào)價(jià)(大喜訊!2024已更新)海昌機(jī)械,脫硫塔通常與灰塵去除包或灰塵去除包一起使用，因此，為脫硫劑設(shè)備選擇灰塵去除包設(shè)備時(shí)，我們需要知道客戶的具體工作條件和噸位。然后選擇適當(dāng)?shù)娘L(fēng)量和合理的過濾風(fēng)速，確保塔斯馬尼亞灰塵清除裝置達(dá)到良好的凈化效果。但是，以上所述基于幾個(gè)茄子原理和公式。在脫硫塔設(shè)備中安裝除塵袋設(shè)備時(shí)，首先要掌握脫硫塔的噸位，然后選擇除塵袋的面積，我們要知道具體的工作條件等，才能為客戶選擇正確的除塵袋。

單從脫硫劑的消耗來看，不同工藝使用的石灰、螢石、鎂等脫硫劑的市場(chǎng)價(jià)格相差很大。高C/Si時(shí),外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于降低外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長(zhǎng)條件下BPDs密度的降低可能是富C情況下臺(tái)階側(cè)向生長(zhǎng)所占比例降低,空間螺旋生長(zhǎng)所占比例增加,提高了BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面的控制研究在低生長(zhǎng)速率時(shí),由于生長(zhǎng)初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(zhǎng)(表面粒子吸附固定)的轉(zhuǎn)變相對(duì)較平穩(wěn),因此外延膜表面較少.但在高生長(zhǎng)速率時(shí),初期界面的轉(zhuǎn)換非常劇烈,導(dǎo)致初期在界面處波動(dòng)太大,形成大量的中心,從而在后續(xù)正常生長(zhǎng)中引入大量的點(diǎn),根據(jù)三角形產(chǎn)生的機(jī)制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑.從上述分析可以看出,外延膜的密度受生長(zhǎng)速率密切影響.高生長(zhǎng)速率時(shí)在生長(zhǎng)初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產(chǎn)生大量并延續(xù)到外延膜中,形成更多的表面.因此在高生長(zhǎng)速率的情況下,要得到低密度的外延膜,需要控制并減少在初期生長(zhǎng)界面處形成.通過在生長(zhǎng)初期逐漸增加源氣體流量,控制生長(zhǎng)初期時(shí)生長(zhǎng)界面的異常成核,可以減少在外延過程中形成.圖8是生長(zhǎng)速率為5.5μm/h時(shí),直接外延生長(zhǎng)和改進(jìn)后的外延膜表面的光學(xué)照片,從圖中可以看出改進(jìn)初期生長(zhǎng)條件后外延膜表面的密度極大地降低,提高了外延膜的質(zhì)量.利用熔融KOH腐蝕對(duì)有無初期生長(zhǎng)的外延膜結(jié)晶做了對(duì)比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長(zhǎng)的外延膜在熔融KOH腐蝕后發(fā)現(xiàn),即使在很高生長(zhǎng)速率(5.5μm/h,接近飽和生長(zhǎng)速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速減少,說明通過引入初期生長(zhǎng)能外延生長(zhǎng)初期的形成,從而極大降低高速生長(zhǎng)時(shí)外延膜中的密度,因此引入初期生長(zhǎng)是提高高速生長(zhǎng)外延膜質(zhì)量的重要手段之一。而企業(yè)作為加工應(yīng)用技術(shù)研究、研發(fā)投入的主體，單個(gè)企業(yè)投入研究可能負(fù)擔(dān)較重，因此同類應(yīng)用企業(yè)和加工裝備制造企業(yè)應(yīng)當(dāng)聯(lián)合起來形成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，如以股份制形式共同出資投入組建研究團(tuán)隊(duì)，形成共有共享的技術(shù)，從而促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展著碳化硅晶體質(zhì)量的不斷提高,對(duì)碳化硅(SiC)基半導(dǎo)體器件已開始大量研究開發(fā)[1-2].由于SiC晶體具有很強(qiáng)的共價(jià)鍵,高溫?cái)U(kuò)散或離子注入等方式制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學(xué)氣相外延(CVD)方法同質(zhì)外延一層結(jié)晶質(zhì)量高,摻雜可控的功能層是目前進(jìn)行器件制備的一個(gè)重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質(zhì)外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產(chǎn)生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺(tái)階側(cè)向生長(zhǎng)的方法可以實(shí)現(xiàn)晶型的穩(wěn)定延續(xù),即使在較低的生長(zhǎng)溫度下也可獲得高結(jié)晶質(zhì)量的SiC同質(zhì)外延膜[6].碳化硅同質(zhì)外延常用的CVD設(shè)備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD系統(tǒng)具有設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單,外延膜摻雜更易控制等優(yōu)點(diǎn),適合生長(zhǎng)微電子器件所需的優(yōu)質(zhì)摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD系統(tǒng)的外延膜生長(zhǎng)速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設(shè)備上實(shí)現(xiàn)外延膜的優(yōu)質(zhì)高速生長(zhǎng),本研究使用自制常壓冷壁CVD設(shè)備,在1400℃下進(jìn)行4H-SiC外延膜生長(zhǎng)研究.1實(shí)驗(yàn)方法1.1碳化硅同質(zhì)外延膜的制備實(shí)驗(yàn)使用的是Cree公司生長(zhǎng)的8°偏向的4H-SiC晶片.晶片經(jīng)過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行生長(zhǎng).生長(zhǎng)過程分為兩步:首先在1300℃進(jìn)行原位腐蝕處理;還有就是某些指標(biāo)數(shù)值的值在各個(gè)企業(yè)的成本核算中所占的比重不盡相同。企業(yè)在選擇某種脫硫工藝或裝備時(shí)，除了對(duì)比成本外，還要結(jié)合企業(yè)自身?xiàng)l件和特點(diǎn)，如脫硫劑的獲取途徑、鐵水條件、鋼種要求、整個(gè)工藝流程流暢的需要、廠房條件的等。目前各企業(yè)諸如鐵水、處理容器、介質(zhì)、脫硫劑、設(shè)備(扒渣機(jī)、噴吹罐、噴升降裝置等)性能，操作人員水平等條件很不相同，要在同一基準(zhǔn)上比較非常困難。之后升溫至1400℃并通入源氣體進(jìn)行外延生長(zhǎng).具體的生長(zhǎng)工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長(zhǎng)的氣源系統(tǒng)為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長(zhǎng)過程中的碳硅比(C/Si).部分高生長(zhǎng)速率樣品在生長(zhǎng)初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長(zhǎng)速率生長(zhǎng)一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長(zhǎng)過程.1.2測(cè)試方法生長(zhǎng)后得到的外延膜通過光學(xué)顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結(jié)果確認(rèn)晶型.通過斷面SEM計(jì)算外延膜的生長(zhǎng)速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體.2結(jié)果與討論2.1外延膜的晶型表征生長(zhǎng)完成后,首行了Raman表征以確定1400℃生長(zhǎng)時(shí)外延膜的晶型.如圖2所示,對(duì)比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長(zhǎng)溫度下,外延膜仍很好的延續(xù)襯底晶型.需要注意的是,在實(shí)驗(yàn)樣品中折疊縱光學(xué)(FLO)模出現(xiàn)在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發(fā)現(xiàn),晶體的摻雜濃度會(huì)明顯改變FLO的位置.根據(jù)他們實(shí)驗(yàn)的結(jié)果,980cm1對(duì)應(yīng)的雜質(zhì)濃度約~1018cm3,這與本實(shí)驗(yàn)通過霍爾(Hall)對(duì)樣品測(cè)試得到的結(jié)果相吻合.因?yàn)?C-SiC的折疊橫光學(xué)(FTO)模出現(xiàn)的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對(duì)外延膜進(jìn)行了進(jìn)一步的KOH腐蝕實(shí)驗(yàn).根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會(huì)出現(xiàn)三角形的腐蝕坑,而在本實(shí)驗(yàn)中,只出現(xiàn)了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認(rèn)即使是在1400℃的低生長(zhǎng)溫度下,4H-SiC同質(zhì)外延仍能獲得結(jié)晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長(zhǎng)速率由于外延膜與襯底的摻雜性質(zhì)不同,在SEM下會(huì)呈現(xiàn)明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準(zhǔn)確地測(cè)出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種方法,可以得到不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長(zhǎng)速率.圖3(a)是不同SiH4流量時(shí)的生長(zhǎng)速率關(guān)系圖,從圖中可以看出,生長(zhǎng)速率與SiH4流量的關(guān)系可以分為兩個(gè)區(qū)域.在區(qū)域Ⅰ,生長(zhǎng)速率隨SiH4流量增加而線性增加.在這個(gè)區(qū)域,系統(tǒng)內(nèi)反應(yīng)物質(zhì)處于非飽和狀態(tài),因此生長(zhǎng)速率由反應(yīng)物的質(zhì)量輸運(yùn)過程控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關(guān)系.在區(qū)域Ⅱ,生長(zhǎng)速率已達(dá)到系統(tǒng)的飽和值,增加SiH4流量并不增加生長(zhǎng)速率.對(duì)于本實(shí)驗(yàn)設(shè)備,在1400℃條件下飽和生長(zhǎng)速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量得到的不同C/Si比的生長(zhǎng)速率圖,從中可以看出,在C/Si1.5時(shí),生長(zhǎng)速率達(dá)到飽和狀態(tài),反應(yīng)受SiH4流量,再增加C3H8流量并不能增加生長(zhǎng)速率.由于在生長(zhǎng)溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長(zhǎng)速率對(duì)應(yīng)的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌利用光學(xué)顯微鏡研究了外延膜表面的形貌.外延膜表面出現(xiàn)的典型為圖4(a)所示的三角形.圖4(a)中內(nèi)嵌插圖為三角形的SEM照片,從圖中可以看出,三角形在表面凹陷,沿生長(zhǎng)方向,在臺(tái)階流上方的頂點(diǎn)處深,其對(duì)應(yīng)的底邊通常與臺(tái)階流方向(即方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長(zhǎng)速率時(shí)外延膜的表面形貌光學(xué)照片.在低的生長(zhǎng)速度下外延膜表面較少,隨著生長(zhǎng)速率的增加,外延膜表面的密度迅速增加.當(dāng)生長(zhǎng)速率達(dá)到6μm/h時(shí),表面已幾乎被覆蓋.因此,在較高生長(zhǎng)速度下,需做進(jìn)一步地研究來控制和降低外延膜表面密度.不同C/Si比生長(zhǎng)的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時(shí),在外延膜表面形成大量的“逗號(hào)”狀的凹坑.通過Raman測(cè)試表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴(yán)重過量,導(dǎo)致表面出現(xiàn)硅液滴的不斷沉積與揮發(fā)過程.但C/Si比大于1.5時(shí),外延膜表面形貌沒有太大區(qū)別.通過對(duì)生長(zhǎng)機(jī)制的分析,可以認(rèn)為三角形凹坑是由臺(tái)階側(cè)向的特性所決定的.按照SiC“臺(tái)階控制”生長(zhǎng)理論模型,同質(zhì)外延利用臺(tái)階的側(cè)向生長(zhǎng)以復(fù)制襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當(dāng)外延生長(zhǎng)過程中,在界面處出現(xiàn)(形成)一個(gè)點(diǎn)(可能是晶體、外來粒子等),就會(huì)阻礙此處臺(tái)階的側(cè)向移動(dòng).隨著生長(zhǎng)的不斷進(jìn)行,點(diǎn)不斷阻止側(cè)向生長(zhǎng)的進(jìn)行,而在臺(tái)階流下方會(huì)逐漸恢復(fù)到正常的生長(zhǎng)過程.終就會(huì)在外延膜表面留下一個(gè)臺(tái)階流上方頂點(diǎn)處凹陷下去的三角形,且三角形在臺(tái)階流上方的頂點(diǎn)深,而對(duì)應(yīng)邊與臺(tái)階流方向垂直.2.4外延膜的結(jié)晶由于襯底以及生長(zhǎng)工藝因素的影響,外延膜中通常會(huì)形成一些結(jié)晶.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發(fā)現(xiàn),襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀”腐蝕坑,對(duì)應(yīng)著基平面位錯(cuò)(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發(fā)現(xiàn)BPDs在正向?qū)娏髯饔孟聲?huì)演變形成堆垛層錯(cuò),造成高頻二極管(PiN)器件正向?qū)妷旱钠?而露頭刃位錯(cuò)(對(duì)應(yīng)7(b)中“六邊形”腐蝕坑)對(duì)器件性能的影響則相對(duì)較小.因此,在SiC外延生長(zhǎng)過程中阻止襯底中的BPDs向外延膜中延伸對(duì)提高器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長(zhǎng)速率分別為2.2和3.5μm/h時(shí)外延膜表面腐蝕后的光學(xué)照片(MP).生長(zhǎng)速率為2.2μm/h時(shí),外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(cuò)(TEDs),說明低生長(zhǎng)速率有利于襯底上的BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs.當(dāng)生長(zhǎng)速度增加到3.5μm/h時(shí),由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長(zhǎng)速度提高后,外延膜生長(zhǎng)過程中形成了大量的新.不同C/Si比條件生長(zhǎng)的外延膜也進(jìn)行了KOH腐蝕試驗(yàn).結(jié)果表明,低C/Si時(shí),外延膜中仍存在著BPDs;2.強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新模式我國(guó)的材料應(yīng)用企業(yè)一般規(guī)模不大。另外成本中有些指標(biāo)很難準(zhǔn)確的量化，如鐵損，回硫，渣的利用價(jià)值等。由于鑄件是承壓件需要，因此白模應(yīng)該致密，不能有珠粒融合的疏松，進(jìn)而在刷涂料時(shí)會(huì)造成涂料內(nèi)滲形成涂料渣，澆注的鑄件就會(huì)有滲漏現(xiàn)象。

根據(jù)飼料配方將所有飼料原料用粉碎機(jī)進(jìn)行粉碎過80目篩混勻，用F-26型雙螺桿擠條機(jī)制成5mm的硬顆粒飼料，70℃干燥后裝袋密封后于-20℃冰箱保存，備用。試驗(yàn)所用魚粉是粗蛋白為68%的秘魯魚粉，生物飼料酵母生產(chǎn)提供，粗蛋白含量為43%，按照不同的替代比例設(shè)計(jì)5種不同的飼料配方，組為對(duì)照組，不添加飼料酵母，組組組和組分別含有15%30%45%和60%的飼料酵母，相應(yīng)替代17%34%51%和68%的魚粉。相關(guān)產(chǎn)品低鈉活性氧化鋁球載Y型分子篩ZSM-5分子篩相關(guān)新聞活性氧化鋁和氧化鋁的區(qū)別。（圖是活性氧化鋁單螺桿擠條機(jī)結(jié)構(gòu)圖。飼料配方及飼料常規(guī)成分見表1。工業(yè)上應(yīng)用的還有雙螺桿擠條機(jī)、柱塞形擠條機(jī)、滾輪擠條機(jī)、環(huán)滾筒式擠條機(jī)等幾種設(shè)備。

在數(shù)據(jù)處理方面，報(bào)告以企業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù)和統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)中國(guó)進(jìn)出口數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)數(shù)據(jù)，為報(bào)告的翔實(shí)準(zhǔn)確可靠數(shù)據(jù)之間具有可比性，報(bào)告對(duì)統(tǒng)計(jì)樣本數(shù)據(jù)進(jìn)行必要的篩選分組，將宏觀樣本數(shù)據(jù)微觀樣本數(shù)據(jù)緊密結(jié)。針對(duì)企業(yè)的這種需要，我們對(duì)單螺桿擠條機(jī)市場(chǎng)進(jìn)行了深度調(diào)研，并撰寫了《中國(guó)單螺桿擠條機(jī)市場(chǎng)發(fā)展及價(jià)值分析報(bào)告012版）》，幫助企業(yè)進(jìn)行決策。同時(shí)采用統(tǒng)計(jì)圖表等多種形式將分析結(jié)果清晰直觀的展現(xiàn)出來，多方位多角度為咨詢者提供了系統(tǒng)完整的參考信息，同時(shí)也增加了報(bào)告研究結(jié)論的客觀性和可靠性。

還可能引起被覆層的裂紋或裂縫,即所謂的開裂,若發(fā)生開裂,停止被夏工藝返工是不可缺少的,并且需要等待時(shí)間直到系統(tǒng)再次達(dá)到平衡。在成型電線時(shí)這些情況會(huì)引|起在噴嘴出口的表面產(chǎn)生分子片段,對(duì)工藝帶來負(fù)面影響。殘留金屬在高溫下加工可能會(huì)使含氟聚合物的劣化和分解。該分解可能會(huì)產(chǎn)生變色劣化以及堵塞噴嘴。

工作原理是將物料加到料斗中，壓料箱中一對(duì)相對(duì)旋轉(zhuǎn)的壓料器將物料強(qiáng)行壓入旋轉(zhuǎn)的螺桿上，螺桿將物料送至機(jī)頭，經(jīng)過模板擠出就可以。擠條機(jī)是目前生產(chǎn)條粒狀固體催化劑常用的設(shè)備。隨著我國(guó)石油化工精細(xì)化工等行業(yè)的迅速發(fā)展，各企業(yè)對(duì)催化劑成型技術(shù)提出了較高的要求。不僅要求成型粉化率小，而且對(duì)形狀及外觀尺寸也提出了強(qiáng)度高的要求。

聊城生產(chǎn)加工催化劑擠條機(jī)報(bào)價(jià)(大喜訊!2024已更新)，擠條機(jī)應(yīng)用在工業(yè)制藥活性炭及食品加工行業(yè)的擠條造料生產(chǎn)工藝。在螺桿的加料端有一對(duì)自動(dòng)加料器，它將加料斗中的物料連續(xù)自動(dòng)地壓入旋轉(zhuǎn)的螺桿；擠條機(jī)在螺桿的加料端有一對(duì)自動(dòng)加料器，它將加料斗中的物料連續(xù)自動(dòng)地壓入旋轉(zhuǎn)的螺桿；可安裝切料機(jī)構(gòu)，在擠出同時(shí)完成切料；

聊城生產(chǎn)加工催化劑擠條機(jī)報(bào)價(jià)(大喜訊!2024已更新)，據(jù)悉，目前我國(guó)在機(jī)構(gòu)使用的氧氣有兩種，一種是作為藥品來管理的醫(yī)用氧，另一種是自制的氧氣，通過安裝一套分子篩設(shè)備將醫(yī)院里的空氣進(jìn)行加工后成為氧氣。另外，醫(yī)用氧必須對(duì)雜質(zhì)進(jìn)行檢測(cè)，一旦雜質(zhì)超標(biāo)，就不能出廠，而工業(yè)氧則沒這方面的要求，因此市場(chǎng)上醫(yī)用氧的價(jià)格往往是工業(yè)氧的兩三倍。

在廢氣處理中，常用的技術(shù)手段有吸附法吸收法催化法冷凝法等，吸附法是指吸附劑通過***結(jié)合的方式或化學(xué)反應(yīng)的方式對(duì)有害物質(zhì)進(jìn)行吸附，進(jìn)而達(dá)到凈化廢氣的目的。目前市場(chǎng)上的吸附劑種類較多，常用的有活性炭分子篩沸石等。在吸附過程中，吸附劑設(shè)備工藝再生等都是其關(guān)鍵控制點(diǎn)。

的烴原料分出，送回反應(yīng)工藝中，采用烴類選擇性分子篩設(shè)備將廢棄物料中未Ptrox排放污染。在OO2和的烴類原料和副產(chǎn)物送去燃燒，招致來自安裝的大量反應(yīng)器并回收產(chǎn)品后，未反應(yīng)物經(jīng)過反應(yīng)副產(chǎn)物而降低了選擇性。OO2和，因大量生成進(jìn)行

該吸附技術(shù)是指吸附劑通過***結(jié)合的方式或化學(xué)反應(yīng)的方式對(duì)有害物質(zhì)進(jìn)行吸附，進(jìn)而達(dá)到凈化廢氣的目的。目前市場(chǎng)上的吸附劑種類較多，常用的有活性炭分子篩沸石等。目前在VOs凈化過程中常用的吸附劑有無機(jī)和有機(jī)吸附劑兩類，吸附劑應(yīng)選擇有巨大的表面積良好的選擇性較強(qiáng)的再生性較好的熱穩(wěn)定性以及化學(xué)穩(wěn)定性較大的吸附容量等等。該技術(shù)在有機(jī)廢氣濃度較低時(shí)使用具有較好的效果，但是不宜直接用該技術(shù)處理高濃度有機(jī)廢氣，可以在冷凝等方式處理后，再使用該技術(shù)對(duì)廢氣進(jìn)行凈化。在吸附過程中，吸附劑設(shè)備工藝再生等都是其關(guān)鍵控制點(diǎn)。1吸附工藝技術(shù)34種典型的VOs處理技術(shù)

由于一些氣流組織原因，在甲醛濃度較高的角落，可放置活性炭藝術(shù)品等凈化。2活性碳纖維由于其局限性，很少用活性炭作為單獨(dú)處理室內(nèi)甲醛污染的方法。經(jīng)常配合其他方法綜合處理甲醛，利用活性炭的***吸附和作為催化劑載體。

聊城生產(chǎn)加工催化劑擠條機(jī)報(bào)價(jià)(大喜訊!2024已更新)，紋碎機(jī)是將片角配料較成細(xì)的山楂泥。擠條機(jī)將山楂泥通過擠條機(jī)擠壓成11mm,長(zhǎng)600mm的園條。搓球胚機(jī)將山楂園條,通過三輥搓球機(jī),切斷并成扁園形山植球胚。這項(xiàng)設(shè)備還有待于進(jìn)一步改進(jìn)。細(xì)矽糖機(jī);用這臺(tái)設(shè)備,完成兩道工藝操作。先是在山積球胚上均勻的層糯米糕粉。再是在糯米糕粉的球上再裹一層細(xì)砂糖層,烘干后即為成品。干燥設(shè)備我廠現(xiàn)在是采用煙道火力烘房進(jìn)行干燥。現(xiàn)正著手進(jìn)行建設(shè)靂道式蒸汽烘房,這將是干燥設(shè)備的改進(jìn),利于增加山楂的質(zhì)量,減少勞動(dòng)強(qiáng)度。