專業(yè)BOE蝕刻液銷售價(jià)格

    sedispondrándispositivosdecorteporintensidaddedefecto,medianteinterruptoresdiferenciales,consensibilidadmáóncontraelectricidadestática,deberárealizarseunauniónequipotencialdemasas,ánestarconectadasaestared,tanquesdealmacenamiento,tuberías,estructurasmetálicas,aparatossurtidores,asícomolosconductoresdeproteccióndelosaparatoseléé)Cuadrogeneraleléctrico:ElgradodeprotecciónmínimoserádeIP237,segú)únelReglamentoElectrotécnicodeBajaTensióneICcorrespondientes,laaparamentaaincluirenelcuadroconstará:1.oInterruptorautomá.oInterruptoresautomáticos(PIA)paraproteccióndelí.oInterruptoresdiferencialesparalaproteccióóánunsistemadepuestaatierradelascisternasdeloscamiones,paradescargarlaelectricidadestáácompuestocomosigue:Uncableconectadoporunextremoalareddepuestaatierra,elotroextremoprovistodeunapinzaseconectaráaunterminalsituadoenelvehículoeníáextraflexibleconaislamiento。BOE蝕刻液請認(rèn)準(zhǔn)蘇州博洋化學(xué)。專業(yè)BOE蝕刻液銷售價(jià)格

    所述的磷酸濃度為82-87％。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液，醇醚類的含量為％。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液，表面活性劑的含量為％。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液，所述的醇醚類為選自二乙二醇單甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇單甲醚、三甘醇單丁醚等中的至少一種；表面活性劑為選自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、月桂酰氨乙基硫酸鈉、醇醚羧酸鹽等中的至少一種。進(jìn)一步地，在使用本發(fā)明的蝕刻液進(jìn)行氮化硅層蝕刻時(shí)，蝕刻溫度為152-165℃，蝕刻時(shí)間為5-60min。通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，改善了磷酸的浸潤性和表面張力，明顯提高了蝕刻液對氮化硅層的潤濕和蝕刻均勻性。為了便于驗(yàn)證氮化硅薄膜層的蝕刻均勻性，本發(fā)明使用淀積了氮化硅薄膜的晶圓樣片(初始厚度約為)。蝕刻液配制完成后，先使用表面張力儀檢測該蝕刻液的表面張力；然后將氮化硅晶圓片切割成1cm*3cm的小樣片，采用超純水清洗和氮?dú)獯蹈珊螅褂媒佑|角測量儀檢測蝕刻液對氮化硅層的接觸角大小。在蝕刻前，使用橢圓偏振光譜儀對氮化硅樣片取不同位置共6個(gè)點(diǎn)進(jìn)行厚度的測量。福建電子級BOE蝕刻液產(chǎn)品介紹蘇州博洋專業(yè)生產(chǎn)BOE蝕刻液歡迎詢價(jià)。

    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進(jìn)行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節(jié)點(diǎn)要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進(jìn)行蝕刻時(shí)，晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進(jìn)行相同位置取點(diǎn)的厚度測量時(shí)，檢測點(diǎn)之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實(shí)現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。

    添加劑為二乙二醇單甲醚、三乙二醇乙醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p，添加量分別為％、％、％。實(shí)施例6本發(fā)明的實(shí)施例按蝕刻液總質(zhì)量為400g進(jìn)行配制，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中，該實(shí)施例中所含成分及各成分稱取的質(zhì)量顯示于表1。添加劑為丙二醇丁醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、月桂酰氨乙基硫酸鈉，添加量分別為總質(zhì)量的％、％、％。對照例對照例中所含成分顯示于表1，并采用與實(shí)施例相同的方法進(jìn)行處理。對照例1為純磷酸，總質(zhì)量為400g。對照例2為磷酸、丙二醇丁醚，其中丙二醇丁醚的添加量為總質(zhì)量的％。對照例3為磷酸、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p，其中脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p的添加量為總質(zhì)量的％。結(jié)果如表2所示，與對照例蝕刻液相比，實(shí)施例蝕刻液有更低的表面張力和接觸角，并且氮化硅層蝕刻后顯示出良好的均勻性。表1表2顯然，上述實(shí)施例和對照例是為了清楚地說明所作的實(shí)例，而并非對實(shí)施方式的限制。對于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動，這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而因此所引申的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之內(nèi)。博洋 BOE 蝕刻液有妙招，個(gè)性化解決方案為您排憂解難。

    此處所描述的具體實(shí)施例用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。參照圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)包括：電解槽1、射流器2、再生液調(diào)配缸3、液體泵4，其中，電解槽1具有一出液口和出氣口，且電解槽1中內(nèi)置有酸性蝕刻液，電解槽1對該酸性蝕刻液進(jìn)行電解提銅，產(chǎn)生氯氣，得到電解后液，并且，產(chǎn)生的氯氣通過位于上方的出氣口排出，電解后液通過位于下方的出液口排出。射流器2包括混氣室21和擴(kuò)散管22，混氣室21和擴(kuò)散管22之間為喉管，混氣室21具有進(jìn)氣口2a、進(jìn)液口2b、出液口2c，擴(kuò)散管22連接至出液口2c，進(jìn)氣口2a通過導(dǎo)氣管a與電解槽1的出氣口連接以接收氯氣，擴(kuò)散管22深入到再生液調(diào)配缸3中。再生液調(diào)配缸3具有進(jìn)液口和循環(huán)出液口，進(jìn)液口通過管道b與電解槽1的出液口連接以接收電解后液。液體泵4的一端通過管道b連接再生液調(diào)配缸3的循環(huán)出液口，另一端通過管道b連接射流器2的進(jìn)液口2b，用于將再生液調(diào)配缸3中的電解后液通過管道b抽取至射流器2的進(jìn)液口2b。電解槽1電解提銅后，陽極產(chǎn)生的氯氣通過導(dǎo)氣管a進(jìn)入到射流裝置2的混氣室21內(nèi)，電解后液通過液體泵4打入到射流裝置2的混氣室21，在混氣室21形成真空，在喉管處氯氣與電解后液劇烈混合。優(yōu)先蘇州博洋化學(xué)股份有限公司。福建電子級BOE蝕刻液產(chǎn)品介紹

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