紹興減薄用清洗劑銷售廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-20

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    所述支撐條431和所述第二支撐條432一一平行對(duì)應(yīng)設(shè)置,所述連接部433活動(dòng)連接所述支撐條431和所述第二支撐條432,所述支撐條431固定設(shè)置于所述底座41上,所述接觸部434均勻設(shè)置在所述第二支撐條432上。同時(shí)可通過設(shè)置所述支撐條431的高度或所述支撐條431的固定位置從而調(diào)節(jié)所述底支撐件43的高度,如通過將上述支撐條431的兩端固定在兩所述豎直平板421上。較佳的,所述支撐條431和所述第二支撐條432上設(shè)置有磁性組,所述支撐條431和所述第二支撐條432在所述磁性組提供的磁性斥力作用下具有調(diào)節(jié)間隙。所述磁性組包括磁性件435和第二磁性件436,所述磁性件435和所述第二磁性件436分別設(shè)置于所述支撐條431和所述第二支撐條432上,且所述磁性件435和所述第二磁性件436之間具有磁性斥力,從而使所述第二支撐條432懸浮于所述支撐條431的上方。所述連接部433設(shè)置有限位孔437,所述限位孔437設(shè)置為腰型孔,所述支撐條431的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干限位塊438,所述第二支撐條432的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干第二限位塊439,所述限位塊438和所述第二限位塊439一一對(duì)應(yīng)設(shè)置,對(duì)應(yīng)設(shè)置的所述限位塊438和所述第二限位塊439均設(shè)置在同一所述連接部433的所述限位孔437內(nèi)。池州半導(dǎo)體減薄用清洗劑銷售公司減薄清洗劑,讓您的產(chǎn)品更加完美,滿足高精度要求。

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    磁轉(zhuǎn)子12放置在待加工部件20的待加工表面上,用于通過旋轉(zhuǎn)對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨,對(duì)待加工表面進(jìn)行減薄。由于減薄過程中待加工部件20如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn),因此,可以降低拋光減薄過程中對(duì)待加工部件20如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力,降低待加工部件20如inp基晶圓的機(jī)械加工損傷??蛇x地,本發(fā)明實(shí)施例中通過光刻膠鍵合固定待加工部件20和托盤10。當(dāng)然,本發(fā)明并不限于此,在其他實(shí)施例中,待加工部件20和托盤10還可以采用其他膠體進(jìn)行鍵合固定?;诖耍鐖D2所示,本發(fā)明實(shí)施例中的拋光減薄裝置還包括熱板14,該熱板14設(shè)置在托盤10底部,用于對(duì)托盤10進(jìn)行加熱,以使待加工部件20與托盤10鍵合固定。具體地,將待加工部件20背面噴涂厚度約為2μm的光刻膠21,如az4620光刻膠,然后在托盤10表面噴涂厚度約為3μm的光刻膠21,如az4620光刻膠,之后,將托盤10光刻膠面向上放于溫度為90℃的熱板14上,將待加工部件20光刻膠面和托盤10光刻膠面貼合,在2×10-2mabr真空下,施加1bar壓強(qiáng)于待加工部件20上進(jìn)行鍵合,鍵合時(shí)間20min。本發(fā)明實(shí)施例中,采用噴頭11向待加工部件20的待加工表面噴涂拋光液110,來對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行拋光。需要說明的是。

    在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,拋光液110的主要成分包括:碳化硅顆粒,顆粒直徑為50nm~200nm,體積比為3%~5%;次氯酸鹽,體積比為30%~40%;氫溴酸,體積比為5%~7%,di水,體積比50~60%。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,如圖3所示,磁轉(zhuǎn)子12包括截面為半圓形的柱狀磁性結(jié)構(gòu)120和位于柱狀磁性結(jié)構(gòu)120的底部平面的研磨層121,以通過研磨層121對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨。當(dāng)然,本發(fā)明并不僅限于此,在其他實(shí)施例中,可以根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的磁轉(zhuǎn)子形狀??蛇x地,研磨層121為金屬氧化物層,進(jìn)一步可選地,金屬氧化物層包括三氧化二鋁層??蛇x地,研磨層121的厚度為10μm。本發(fā)明實(shí)施例中,如圖4所示,磁轉(zhuǎn)子12沿箭頭所示方向旋轉(zhuǎn),如沿逆時(shí)針或順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn),并且,磁轉(zhuǎn)子12的長(zhǎng)度近似等于待加工部件20如inp基晶圓的直徑,以對(duì)整個(gè)待加工表面進(jìn)行研磨。本發(fā)明實(shí)施例中,拋光減薄裝置還包括控制部件??刂撇考c磁轉(zhuǎn)子12和噴頭11相連,用于控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作,以對(duì)待加工表面交替進(jìn)行拋光和減薄。其中,控制部件通過脈沖方式控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作??蛇x地,控制部件控制磁轉(zhuǎn)子12的轉(zhuǎn)速為80rpm~200rpm。去除多余涂層,減薄用清洗劑是您不可或缺的好幫手。

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    且所述限位塊438和所述第二限位塊439均可在所述限位孔437內(nèi)移動(dòng),通過所述連接部433的限位效果,避免所述支撐條431和所述第二支撐條432在磁力作用下產(chǎn)生脫離,從而使所述支撐條431和所述第二支撐條432在磁力和所述連接部433的限位力作用下保持平衡。一般的,所述位塊438和所述第二限位塊439均設(shè)置為圓柱型,從而便于所述限位塊438和所述第二限位塊439在所述限位孔437內(nèi)的移動(dòng)。當(dāng)放置于所述底支撐件43上的玻璃受到?jīng)_擊或振動(dòng)時(shí),所述支撐條431可相對(duì)于所述第二支撐條432作水平方向的偏移移動(dòng),或所述限位塊438和所述第二限位塊439均在所述限位孔437內(nèi)移動(dòng),使所述支撐條431可相對(duì)于所述第二支撐條432作豎直方向的移動(dòng),從而可實(shí)現(xiàn)對(duì)各個(gè)方向上沖擊力或振動(dòng)的吸收緩沖效果,提高玻璃的安全性。較佳的,所述限位塊438和所述第二限位塊439可設(shè)置為螺釘,所述限位孔437寬度配合所述螺釘?shù)穆菁y直徑設(shè)置,在所述支撐條431和所述第二支撐條432上設(shè)置螺紋孔,通過將所述限位塊438和所述第二限位塊439與所述螺紋孔螺紋連接,從而實(shí)現(xiàn)所述限位塊438和所述第二限位塊439在所述支撐條431和所述第二支撐條432上的固定。通過將所述限位塊438和所述第二限位塊439設(shè)置為螺釘。選擇減薄用清洗劑,輕松應(yīng)對(duì)各種涂層問題,提升工作效率。廣東半導(dǎo)體減薄用清洗劑按需定制

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    降低待加工部件20如inp基晶圓的機(jī)械加工損傷。由于本發(fā)明實(shí)施例中采用光刻膠對(duì)托盤和待加工部件進(jìn)行了固定,因此,對(duì)待加工部件的待加工表面進(jìn)行拋光和減薄之后,還包括:對(duì)待加工部件進(jìn)行清洗;采用特定溶液對(duì)光刻膠進(jìn)行腐蝕,以將待加工部件與托盤分離。具體地,在完成拋光和減薄后,可以采用直鏈烷基苯磺酸鹽溶劑對(duì)待加工部件20進(jìn)行清洗,用di水沖洗干凈,40℃的氮?dú)獯蹈伞V?,將清洗后的待加工部?0和托盤10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min,使得待加工部件20和托盤10自動(dòng)分離,取出待加工部件20后清洗干凈即可。本發(fā)明實(shí)施例提供的方法,還包括:在磁轉(zhuǎn)子運(yùn)行一段時(shí)間后,更換磁轉(zhuǎn)子。如磁轉(zhuǎn)子12工作1小時(shí)后,可以將磁轉(zhuǎn)子12更換為新的磁轉(zhuǎn)子,以使磁轉(zhuǎn)子與待加工表面貼合緊密,避免了傳統(tǒng)減薄工藝中由于轉(zhuǎn)子形變誤差造成的加工精度失真。本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述,每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處,各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)于實(shí)施例公開的裝置而言,由于其與實(shí)施例公開的方法相對(duì)應(yīng),所以描述的比較簡(jiǎn)單,相關(guān)之處參見方法部分說明即可。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明。紹興減薄用清洗劑銷售廠家