深圳什么剝離液銷售價格

來源: 發(fā)布時間:2023-06-20

    本發(fā)明涉及剝離液技術領域:,更具體的說是涉及一種光刻膠剝離液再生方法。背景技術::電子行業(yè)飛速發(fā)展,光刻膠應用也越來越***。在半導體元器件制造過程中,經過涂敷-顯影-蝕刻過程,在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后,必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材,才能再進行下道工序。因此,光刻膠的剝離質量也有直接影響著產品的質量。而隨著電子行業(yè)的發(fā)展以及高世代面板的面世,光刻膠剝離液的使用越來越多。剝離液廢液中含有光刻膠樹脂、水和某些金屬雜質,而剝離液廢液的處理主要是通過焚燒或者低水平回收,其大量的使用但不能夠有效地回收,對環(huán)境、資源等都造成了比較大的影響。有鑒于此,申請人研發(fā)出以下的對使用后的光刻膠剝離液回收及再生方法。技術實現要素:本發(fā)明的目的是提供一種光刻膠剝離液再生方法。為了實現上述目的,本發(fā)明采用如下技術方案:本申請公開了一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液,包括以下質量組分:光刻膠剝離液再生方法,包括以下步驟:s1:回收剝離液新液使用后的剝離液廢液,將剝離液廢液經過蒸餾、加壓工序,得出剝離液廢液的純化液體;純化液體中含有酰胺化合物、醇醚化合物以及胺化合物;s2:制備添加劑。哪家剝離液質量比較好一點?深圳什么剝離液銷售價格

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    在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請實施例提供的剝離液機臺的***種結構示意圖。圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺的第二種結構示意圖。圖3為本申請實施例提供的剝離液機臺的第三種結構示意圖。圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺的第四種結構示意圖。圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖。具體實施方式目前剝離液機臺在工作時,如果過濾剝離光阻時產生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞,則需要剝離液機臺內的所有工作單元,待被阻塞的過濾器被清理后,才能重新進行剝離制程,使得機臺需頻繁停線以更換過濾器,極大的降低了生產效率。請參閱圖1,圖1為本申請實施例提供的過濾液機臺100的***種結構示意圖。本申請實施例提供一種剝離液機臺100,包括:依次順序排列的多級腔室10、每一級所述腔室10對應連接一存儲箱20;過濾器30,所述過濾器30的一端設置通過***管道40與當前級腔室101對應的存儲箱20連接,所述過濾器30的另一端通過第二管道50與下一級腔室102連接;其中,至少在***管道40或所述第二管道50上設置有閥門開關60。具體的,圖1所示出的是閥門開關60設置在***管道40上的示例圖。深圳什么剝離液銷售價格剝離液的的性價比、質量哪家比較好?

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濕電子化學品位于電子信息產業(yè)偏中上游的材料領域。濕電子化學品上游是基 礎化工產品,下游是電子信息產業(yè)(信息通訊、消費電子、家用電器、汽車電子、 LED、平板顯示、太陽能電池、**等領域)。濕電子化學品的生產工藝主要采用物 理的提純技術及混配技術,將工業(yè)級的化工原料提純?yōu)槌瑑舾呒兓瘜W試劑,并按照 特定的配方混配為具有特定功能性的化學試劑。濕電子化學品行業(yè)是精細化工和電 子信息行業(yè)交叉的領域,其行業(yè)特色充分融入了兩大行業(yè)的自身特點,具有品種多、 質量要求高、對環(huán)境潔凈度要求苛刻、產品更新換代快、產品附加值高、資金投入 量大等特點,是化工領域相當有發(fā)展前景的領域之一。

    所述抽真空氣體修飾法包括如下步驟:將將襯底和光刻膠抗粘劑置于密閉空間中,對密閉空間抽真空至光刻膠抗粘層氣化,保持1分鐘以上,直接取出襯底。進一步的改進,所述襯底為硅、氧化硅、石英、玻璃、氮化硅、碳化硅、鈮酸鋰、金剛石、藍寶石或ito制成。進一步的改進,所述步驟(2)對襯底修飾的試劑包括hmds和十三氟正辛基硅烷;對襯底修飾的試劑鍍在襯底表面。進一步的改進,所述所述光刻膠包括pmma,zep,瑞紅膠,az膠,納米壓印膠和光固化膠。進一步的改進,所述光刻膠厚度為1nm-100mm進一步的改進,所述光刻膠上加工出所需結構的輪廓的方法為電子束曝光,離子束曝光,聚焦離子束曝光,重離子曝光,x射線曝光,等離子體刻蝕,紫外光刻,極紫外光刻,激光直寫或納米壓印。進一步的改進,所述黏貼層為pdms,紫外固化膠,熱釋放膠,高溫膠帶,普通膠帶,pva,纖維素或ab膠。上述選擇性剝離光刻膠制備微納結構的方法制備的微納結構用于微納制造,光學領域,電學,生物領域,mems領域,nems領域。本發(fā)明的有益效果在于,解決了現有負性光刻膠加工效率低,難于去膠,去膠過程中損傷襯底,對于跨尺度結構的加工過程中加工精度和效率的矛盾等問題。哪家公司的剝離液的有售后?

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    上述組分中,酰胺是用于溶解光刻膠;醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的;環(huán)胺與鏈胺,用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結合力;緩蝕劑,用于降低對金屬的腐蝕速度;潤濕劑,能夠增強親水性,使得剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。進一步技術方案中,所述的步驟s3中重新制備剝離液新液,制備過程中加入酰胺化合物或醇醚化合物,其中重新制備新液時,加入的純化液體質量分數為:70%-95%,加入的添加劑質量分數為:5%-10%;加入的酰胺化合物質量分數為:0-15%;加入的醇醚化合物質量分數為0-5%。在制備過程中額外加入酰胺化合物以及醇醚化合物是為了調節(jié)中心制備的剝離液新液中各組分的質量分數,將配比調節(jié)到更優(yōu)的比例,使得剝離液新液的效果更好。經由上述的技術方案可知,與現有技術相比,本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明對剝離液廢液進行加壓、蒸餾等處理,得出純化液體,該純化液體中所含的物質是剝離液新液中所含有的某些組分,而通過預先制備添加劑,可以在得出純化液體后直接加入添加劑以及原材料,重新配備剝離液新液,使得剝離液廢液得以循環(huán)再生,減少資源的浪費以及對環(huán)境的危害。ITO剝離液的配方是什么?池州江化微的蝕刻液剝離液什么價格

剝離液的技術指標哪家比較好?深圳什么剝離液銷售價格

    本申請涉及半導體工藝技術領域,具體涉及一種剝離液機臺及其工作方法。背景技術:剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減,lift-off先形成光阻并圖案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同時,沉積在光阻上的膜層也被剝離,從而完成膜層的圖形化,通過該制程可以實現兩次光刻合并為一次以達到光罩縮減的目的。現有技術中,由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬,ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層),在剝離光阻的同時薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中,大量的薄膜碎屑將會導致剝離液機臺中的過濾器(filter)堵塞,從而導致機臺無法使用,并且需要停止所有剝離液機臺的工作,待將filter清理后再次啟動,降低了生產效率。技術實現要素:本申請實施例提供一種剝離液機臺及其工作方法,可以提高生產效率。本申請實施例提供一種剝離液機臺,包括:依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應連接一存儲箱;過濾器,所述過濾器的一端設置通過***管道與當前級腔室對應的存儲箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接;其中,至少在所述***管道或所述第二管道上設置有閥門開關。在一些實施例中。深圳什么剝離液銷售價格

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