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    所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為，所述酸的濃度為20重量％至70重量％，所述有機硫化合物的濃度為％至10重量％。另外，所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為％至5重量％。另外，本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外，本發(fā)明的蝕刻液實質(zhì)上不含氫氟酸及過氧化氫，因此毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。具體實施方式本發(fā)明的蝕刻液為含有選自由硫酸、鹽酸及三氯乙酸所組成的群組中的至少一種酸與選自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所組成的群組中的至少一種有機硫化合物的水溶液。所述酸中，從蝕刻速度的穩(wěn)定性及酸的低揮發(fā)性的觀點來看，推薦為硫酸。酸的濃度并無特別限制，推薦為20重量％至70重量％，更推薦為30重量％至60重量％。在酸的濃度小于20重量％的情況下，有無法獲得充分的鈦蝕刻速度的傾向，在超過70重量％的情況下，有蝕刻液的安全性成問題的傾向。哪家的蝕刻液的價格優(yōu)惠？上海哪家蝕刻液蝕刻液銷售廠家

    將蝕刻液通過回流管抽入到一號排液管中，并由進液管導(dǎo)入到伸縮管中，直至蝕刻液由噴頭重新噴到電解池中，可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉(zhuǎn)化為金屬銅，起到循環(huán)電解蝕刻液的作用；該回收處理裝置通過設(shè)置有伸縮管與伸縮桿，能夠在蝕刻液通過進液管流入到電解池中時，啟動液壓缸帶動伸縮桿向上移動，從而通過圓環(huán)塊配合伸縮管帶動噴頭向上移動，進而將蝕刻液緩慢的由噴頭噴入到電解池中，避免蝕刻液對電解池造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護電解池的功能；該回收處理裝置通過設(shè)置有集氣箱與蓄水箱，能夠在電解蝕刻液結(jié)束后，啟動抽氣泵，將電解池中產(chǎn)生的有害氣體抽入到排氣管并導(dǎo)入到集氣箱中，實現(xiàn)有害氣體的清理，接著啟動增壓泵并打開三號電磁閥，將蓄水箱中的清水通過抽水管抽入到進液管中，將裝置主體內(nèi)部的蝕刻液進行清洗，具有很好的清理作用。附圖說明圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明圖2中a的示意圖；圖4為本發(fā)明圖3的整體示意圖；圖5為本發(fā)明電解池的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中：1、裝置主體；2、分隔板；3、承載板；4、電解池；5、隔膜；6、進液漏斗；7、過濾網(wǎng)；8、進液管；9、伸縮管；10、噴頭；11、液壓缸。廣東ITO蝕刻液蝕刻液鋁蝕刻液的配方是什么？

    裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲罐21，裝置主體1的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件11，裝置主體1的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)固定連接有過濾部件9，裝置主體1的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉8，收集倉8的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門7，過濾部件9的頂端兩側(cè)活動連接有滑動蓋24，過濾部件9的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管25，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管27，連接構(gòu)件11的內(nèi)部中間兩側(cè)活動連接有活動軸28，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層29。推薦的，硝酸鉀儲罐21的頂部嵌入連接有密封環(huán)22，在將制備蝕刻液儲罐加入制備材料的時候，需要將儲罐進行密封，密封環(huán)22能將硝酸鉀儲罐21和其他儲罐的頂蓋與儲罐主體連接的位置進行密封，使硝酸鉀儲罐21和其它儲罐的內(nèi)部形成一個密閉的空間，避免環(huán)境外部的雜質(zhì)進入儲罐內(nèi)，有效的提高了裝置使用的密封性。推薦的，連接構(gòu)件11的兩側(cè)嵌入連接有海綿層12，在使用裝置制備蝕刻液的時候，需要通過連接構(gòu)件11將裝置主體1內(nèi)部的部件進行連接，在旋轉(zhuǎn)連接構(gòu)件11的兩側(cè)時，操作人員的手會與連接構(gòu)件11接觸，海綿層12可以將操作人員手上的水分進行吸收。

    本發(fā)明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術(shù)：以往，在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的過氧化氫、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所構(gòu)成的水溶液將pH值調(diào)整為7至9。但是，含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問題，含有過氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩(wěn)定性的問題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：日本特許第4471094號說明書。技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問題本發(fā)明是鑒于所述實際情況而成，其目的在于提供一種蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法，所述蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦，而且毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。解決問題的技術(shù)手段本發(fā)明的蝕刻液是為了在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦而使用，并且含有：選自由硫酸、鹽酸及三氯乙酸所組成的群組中的至少一種酸；以及選自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所組成的群組中的至少一種有機硫化合物。所述硫酮系化合物推薦為選自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。蝕刻液的價格哪家比較優(yōu)惠？

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。4.具體地，本技術(shù)首先方面提供了一種ito蝕刻液，所述ito蝕刻液包括以下重量份數(shù)的各組分：20-22份的鹽酸，6-7份的硝酸，0.5-3份的酸抑制劑，0.5-3份的表面活性劑，以及水；其中，所述酸抑制劑包括n,n-二異丙基乙胺、n,n-二異丙基乙醇胺中的至少一種；所述表面活性劑包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一種。5.通過對蝕刻液中硝酸及鹽酸的含量進行精確限定，以實現(xiàn)了對王水系蝕刻液蝕刻速度的初步調(diào)控，并在一定程度上實現(xiàn)了對蝕刻角度的控制(蝕刻角度小于35天馬微電子用的哪家的蝕刻液？廣東ITO蝕刻液蝕刻液

如何挑選一款適合自己公司的蝕刻液？上海哪家蝕刻液蝕刻液銷售廠家

    負的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征，上述氧化物膜推薦包含sio2，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序，能夠使上述氮化物膜去除工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留和氧化物膜損傷不良問題**少化。本發(fā)明的蝕刻液組合物包含如上選擇的添加劑，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜時，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良(參照圖2)以及氮化物膜雖被完全去除但也造成氧化物膜損傷(damage)的工序不良(參照圖3)的發(fā)生**少化。因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良在添加劑的防蝕能力強于適宜水平時發(fā)生，氧化物膜不良在添加劑的防蝕能力弱于適宜水平時發(fā)生。以下，對于本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的磷酸、作為添加劑的硅烷(silane)系偶聯(lián)劑以及進行更詳細的說明。(a)磷酸本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述磷酸(phosphoricacid)作為主氧化劑可以在使氮化物膜氧化時使用。相對于組合物總重量，上述磷酸的含量為50～95重量％，推薦為80～90重量％。在上述磷酸的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下。上海哪家蝕刻液蝕刻液銷售廠家

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